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元器件型号：1652 件
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电阻器 - 基底（R1）（欧姆）

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电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）

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不同?Ic，Vce?时的

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NSBC143ZDXV6T5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：500mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG5-3727
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSBC143ZDXV6T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBC143ZDXV6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBC143ZDXV6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBC143ZDXV6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSBC144WDXV6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：500mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG5-3728
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSBC144WDXV6T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBC144WDXV6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBC144WDXV6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBC144WDXV6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IMH20TR1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC74R
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：15V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SC-74R
料号：JTG5-3729
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMH20TR1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH20TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH20TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH20TR1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IMD10AMT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：13 千欧，130 欧姆
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：285mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SC-74R
料号：JTG5-3730
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMD10AMT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD10AMT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD10AMT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD10AMT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NSVMUN5312DW1T2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3731
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVMUN5312DW1T2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVMUN5312DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVMUN5312DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVMUN5312DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IMB4AT110
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG5-3732
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMB4AT110' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB4AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB4AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB4AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SSVMUN5312DW1T2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：187mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3733
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SSVMUN5312DW1T2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSVMUN5312DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSVMUN5312DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SSVMUN5312DW1T2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVMUN5135DW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 50V SOT363-6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3734
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVMUN5135DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVMUN5135DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVMUN5135DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： EMG4T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：150mW
外壳：5-SMD，扁平引线
封装：EMT5
料号：JTG5-3735
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMG4T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMG4T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMG4T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EMA2T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT5
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：5-SMD，扁平引线
封装：EMT5
料号：JTG5-3736
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMA2T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMA2T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMA2T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMA2T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： EMB10T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG5-3737
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMB10T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMB10T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMB10T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMB10T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： EMB11T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG5-3738
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMB11T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMB11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMB11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMB11T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： EMH4T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG5-3739
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMH4T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH4T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH4T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMH4T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVUMC2NT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC70
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SC-70
料号：JTG5-3740
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVUMC2NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC2NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC2NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC2NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SC-88A（SC-70-5 / SOT-353）
料号：JTG5-3741
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVUMC3NT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC3NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC3NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC3NT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVUMC5NT2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W SC88
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧，4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧，10 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SC-88A（SC-70-5 / SOT-353）
料号：JTG5-3742
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVUMC5NT2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC5NT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC5NT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVUMC5NT2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： NSVTB60BDW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：150mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：250mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3743
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVTB60BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVTB60BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVTB60BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVTB60BDW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FMA10AT148
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:1 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：1 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SMT5
料号：JTG5-3744
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMA10AT148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMA10AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMA10AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMA10AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMUN5114DW1T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:1 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：187mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SC-88/SC70-6/SOT-363
料号：JTG5-3745
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMUN5114DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMUN5114DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMUN5114DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMUN5114DW1T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NSVBA114EDXV6T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):15V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:80mV @ 2.5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:80mV @ 2.5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:13 千欧，130 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):150mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 5mA，10mA / 500mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:1 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：500mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563-6
料号：JTG5-3746
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSVBA114EDXV6T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBA114EDXV6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBA114EDXV6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBA114EDXV6T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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