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元器件型号：1652 件
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*晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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电阻器 - 基底（R1）（欧姆）

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电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）

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不同?Ic，Vce?时的

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不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

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*电流 - 集电极截止（最大值）

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*功率 - 最大值

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： EMF21T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，12V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG5-3787
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMF21T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMF21T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMF21T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMF21T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UMG4N-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：150mW
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SOT-353
料号：JTG5-3788
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMG4N-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMG4N-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UMC4N-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT353
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧，10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SOT-353
料号：JTG5-3789
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMC4N-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMC4N-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMC4N-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IMD14T108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：220 欧姆
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG5-3790
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMD14T108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD14T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD14T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD14T108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： IMB5AT108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：30mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：-
外壳：
封装：
料号：JTG5-3791
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMB5AT108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB5AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB5AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB5AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IMH24T110
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS 2NPN 20V SC74
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO）
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：600mA
3集射极-击穿电压(最大值)：20V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：
封装：
料号：JTG5-3792
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMH24T110' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH24T110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH24T110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH24T110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DMC961010R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-665
封装：SSMINI5-F4-B
料号：JTG5-3793
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC961010R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC961010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC961010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC961010R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： XN0A31100L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：迷你型5-G1
料号：JTG5-3794
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'XN0A31100L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0A31100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0A31100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0A31100L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NUS2401SNT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
2集电极-最大电流(ic)：200mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：175 欧姆，10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：175 欧姆，10 千欧
6最大功率值：350mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SC-74
料号：JTG5-3795
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NUS2401SNT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： BCR141SH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：250mW
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3796
包装：
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合作现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： BCR08PNH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
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外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3797
包装：
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型号： BCR08PNH6433XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
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料号：JTG5-3798
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
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4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
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外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
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料号：JTG5-3799
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：250mW
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3800
包装：
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型号： BCR10PNH6727XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
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外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3801
包装：
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：250mW
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3802
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BCR116SH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：250mW
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3803
包装：
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型号： BCR119SH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 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6最大功率值：250mW
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3804
包装：
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型号： BCR119SH6433XTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 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预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：250mW
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3805
包装：
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BCR129SH6327XTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数： 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 10mA，200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:220 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):30mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:- 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 50mA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 50mA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA（ICBO） 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式 *2集电极-最大电流(ic):200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:175 欧姆，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:175 欧姆，10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：250mW
外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
封装：PG-SOT363-6
料号：JTG5-3806
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BCR129SH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BCR129SH6327XTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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