元器件型号:1652
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MUN5234DW1T1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:250mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
料号:JTG5-4027
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUN5234DW1T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: MUN5235DW1T1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:250mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
料号:JTG5-4028
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUN5235DW1T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: MUN5312DW1T1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧
6最大功率值:250mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
料号:JTG5-4029
包装:
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型号: MUN5313DW1T1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:250mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
料号:JTG5-4030
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUN5313DW1T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: MUN5315DW1T1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:250mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
料号:JTG5-4031
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MUN5315DW1T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
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封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
料号:JTG5-4032
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描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
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4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
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6最大功率值:250mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
料号:JTG5-4036
包装:
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合作现货:0
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型号: MUN5334DW1T1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:250mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
料号:JTG5-4037
包装:
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型号: NSBA124EDXV6T5G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧
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6最大功率值:500mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG5-4038
包装:
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合作现货:0
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型号: NSBA143ZDXV6T5G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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外壳:SOT-563,SOT-666
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料号:JTG5-4040
包装:
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品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:500mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG5-4041
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSBC143TPDXV6T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: NSTB1002DXV5T1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
2集电极-最大电流(ic):100mA,200mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V,40V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:500mW
外壳:SOT-553
封装:SOT-553
料号:JTG5-4042
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSTB1002DXV5T1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):-
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6最大功率值:-
外壳:SOT-553
封装:SOT-553
料号:JTG5-4043
包装:
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型号: NSTB1004DXV5T1G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT553
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):-
3集射极-击穿电压(最大值):-
4基底R1电阻(欧姆)4:-
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
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外壳:SOT-553
封装:SOT-553
料号:JTG5-4044
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合作现货:0
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型号: NSVBC114YPDXV65G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 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预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:500mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG5-4045
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSVBC114YPDXV65G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: EMF21-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT563
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 5mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 5mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 1mA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,200mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA / 400mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG5-4046
包装:
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合作现货:0
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