元器件型号:1652
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*电流 - 集电极(ic)(最大值)

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电阻器 - 基底(R1)(欧姆)

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电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)

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不同?Ic,Vce?时的

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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)

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*电流 - 集电极截止(最大值)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: RN1609(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4167
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1609(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: DCX100NS-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k
6最大功率值:150mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-563
料号:JTG5-4168
包装: 带卷(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DCX100NS-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCX100NS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DCX100NS-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: RN4604(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4169
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN4604(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN4604(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN4604(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: RN1601(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4170
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1601(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: RN1608(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4171
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1608(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1608(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1608(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: RN2964(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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2集电极-最大电流(ic):100mA
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4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4172
包装:
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合作现货:0
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型号: RN4607(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
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外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4173
包装:
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合作现货:0
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型号: RN2962(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧
6最大功率值:200mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4174
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2962(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: RN1505(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器)
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
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料号:JTG5-4177
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型号: RN1506(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SMV
料号:JTG5-4178
包装:
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型号: RN4609(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4179
包装:
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型号: RN4601(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4180
包装:
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合作现货:0
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型号: RN1965(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4181
包装:
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型号: RN1961(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧
6最大功率值:200mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4182
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型号: RN1705JE(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:100mW
外壳:SOT-553
封装:ESV
料号:JTG5-4183
包装:
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合作现货:0
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型号: RN1503(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
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1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器)
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6最大功率值:300mW
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SMV
料号:JTG5-4184
包装:
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合作现货:0
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型号: DCX143TU-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 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预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:-
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:SOT-363
料号:JTG5-4185
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状态: 在售
型号: XN0F26100L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):50mA,100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10k,1k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10k 不同?Ic,Vce?时的:30 @ 5mA,5V / 33 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 NPN - 预偏压(双)(耦合发射器) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):600mA *3集射极-击穿电压(最大值):20V *4基底R1电阻(欧姆)4:3.3 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:80mV @ 2.5mA,50mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):80mV @ 2.5mA,50mA 电流-集电极截止(最大值):-
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2集电极-最大电流(ic):600mA
3集射极-击穿电压(最大值):20V
4基底R1电阻(欧姆)4:3.3 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-23-6
封装:MINI6-G1
料号:JTG5-4186
包装:
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