元器件型号:1652
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电阻器 - 基底(R1)(欧姆)

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电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)

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不同?Ic,Vce?时的

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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: RN1910FE(T5L,F,T)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:100mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:ES6
料号:JTG5-4207
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1910FE(T5L,F,T)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1910FE(T5L,F,T)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: UMD2NTR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧
6最大功率值:150mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:UMT6
料号:JTG5-4208
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMD2NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMD2NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: UMH9NTN
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:150mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:UMT6
料号:JTG5-4209
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMH9NTN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMH9NTN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMH9NTN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMH9NTN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: UMG2NTR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:-
2集电极-最大电流(ic):-
3集射极-击穿电压(最大值):-
4基底R1电阻(欧姆)4:-
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:-
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:UMT5
料号:JTG5-4210
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMG2NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMG2NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMG2NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMG2NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: RN1962FE(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧
6最大功率值:100mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:ES6
料号:JTG5-4211
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1962FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1962FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1962FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1962FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: RN1965FE(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:100mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:ES6
料号:JTG5-4212
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1965FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: RN1961FE(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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6最大功率值:100mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:ES6
料号:JTG5-4213
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1961FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1961FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1961FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: RN1963FE(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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6最大功率值:100mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:ES6
料号:JTG5-4214
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1963FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1963FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1963FE(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: FMG2AT148
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SMT5
料号:JTG5-4215
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG2AT148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG2AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: RN1602(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4216
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1602(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: UP0338300L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
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3集射极-击穿电压(最大值):50V
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5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧
6最大功率值:125mW
外壳:SOT-665
封装:SSMINI5-F2
料号:JTG5-4217
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UP0338300L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DMA961040R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:125mW
外壳:SOT-665
封装:SSMINI5-F4-B
料号:JTG5-4218
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMA961040R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA961040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA961040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA961040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DME914C10R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP
2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:125mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SSMINI6-F3-B
料号:JTG5-4219
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DME914C10R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DME914C10R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DME914C10R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DME914C10R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: RN1905FE,LF(CB
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k
6最大功率值:100mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:ES6
料号:JTG5-4220
包装: 带卷(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN1905FE,LF(CB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1905FE,LF(CB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1905FE,LF(CB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN1905FE,LF(CB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: DMA261060R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI5
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:迷你型5-G3-B
料号:JTG5-4221
包装:
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合作现货:0
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型号: XN0621600L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-23-6
封装:MINI6-G1
料号:JTG5-4222
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'XN0621600L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: DMC264030R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-23-6
封装:迷你型6-G4-B
料号:JTG5-4223
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: DMG264H00R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 5mA,100mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA,1µA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,4.7 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-23-6
封装:迷你型6-G4-B
料号:JTG5-4224
包装:
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型号: DMA266030R
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 5mA,100mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA,1µA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-23-6
封装:迷你型6-G4-B
料号:JTG5-4225
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA266030R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA266030R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA266030R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: XN0411600L
品牌: Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述: TRANS PREBIAS DUAL PNP MINI6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式,1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V,12V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 10mA,200mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA,500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 5mA,100mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA / 250mV @ 5mA,100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA,1µA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-23-6
封装:MINI6-G1
料号:JTG5-4226
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'XN0411600L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0411600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0411600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XN0411600L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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