元器件型号:1652
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电阻器 - 基底(R1)(欧姆)

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电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)

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不同?Ic,Vce?时的

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: RN4989(T5L,F,T)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO)
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧
6最大功率值:200mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4307
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN4989(T5L,F,T)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: RN4990(T5L,F,T)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO)
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:200mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4308
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN4990(T5L,F,T)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: RN4991(T5L,F,T)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO)
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:200mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4309
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN4991(T5L,F,T)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN4991(T5L,F,T)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN4991(T5L,F,T)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: RN4986(T5L,F,T)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO)
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:200mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4310
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN4986(T5L,F,T)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
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状态: 在售
型号: RN2905T5LFT
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k
6最大功率值:200mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:US6
料号:JTG5-4311
包装: 带卷(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN2905T5LFT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2905T5LFT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN2905T5LFT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: PEMB9,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-666
料号:JTG5-4312
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMB9,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB9,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB9,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB9,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: PEMB9,315
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-666
料号:JTG5-4313
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB9,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB9,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PEMB9,315' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: RN4606(TE85L,F)
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO)
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74,SOT-457
封装:SM6
料号:JTG5-4314
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RN4606(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN4606(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN4606(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RN4606(TE85L,F)' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PUMH20,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG5-4315
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PUMH20,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
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外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG5-4316
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描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMH15,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMH15,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMH15,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: PUMH2,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:6-TSSOP
料号:JTG5-4318
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PUMH2,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMH2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMH2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMH2,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: NSBA144EDP6T5G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:408mW
外壳:SOT-963
封装:SOT-963
料号:JTG5-4319
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NSBA144EDP6T5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBA144EDP6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBA144EDP6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NSBA144EDP6T5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: UMD5NTR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧
6最大功率值:150mW,120mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:UMT6
料号:JTG5-4320
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMD5NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: UMB3NTN
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型:-
2集电极-最大电流(ic):-
3集射极-击穿电压(最大值):-
4基底R1电阻(欧姆)4:-
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:-
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:UMT6
料号:JTG5-4321
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMB3NTN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: UMA3NTR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:-
6最大功率值:150mW
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:UMT5
料号:JTG5-4322
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UMA3NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMA3NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: UMH5NTR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧
6最大功率值:150mW
外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
封装:UMT6
料号:JTG5-4323
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMH5NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMH5NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UMH5NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: PEMD12,115
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SOT-563,SOT-666
封装:SOT-666
料号:JTG5-4324
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PEMD12,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: UMA2NTR
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:150mW
外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
封装:UMT5
料号:JTG5-4325
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: FMG8AT148
品牌: ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
参数: 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2k *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47k 不同?Ic,Vce?时的:80 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:100mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):100mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):100µA(ICBO) 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:配电阻晶体管(RET) 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:250mV @ 300µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧,4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧,10 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:- *2集电极-最大电流(ic):- *3集射极-击穿电压(最大值):- *4基底R1电阻(欧姆)4:- *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):- 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:150mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):150mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:* 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 500µA,10mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic,Vce?时的:300mV @ 250µA,5mA 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)
2集电极-最大电流(ic):100mA
3集射极-击穿电压(最大值):50V
4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧
6最大功率值:300mW
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SMT5
料号:JTG5-4326
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG8AT148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG8AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG8AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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