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元器件型号：1652 件
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*晶体管类型

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*电流 - 集电极（ic）（最大值）

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电压 - 集射极击穿（最大值）

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电阻器 - 基底（R1）（欧姆）

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电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）

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不同?Ic，Vce?时的

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不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

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*电流 - 集电极截止（最大值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： XP0331200L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：S迷你型5-G1
料号：JTG5-4567
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'XP0331200L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PUMF12,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，40V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-4568
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PUMF12,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PUMF12,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PBLS6022D,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA
1晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，1.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，60V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：4.7 千欧
6最大功率值：760mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG5-4569
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS6022D,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS6022D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS6022D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS6022D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PBLS6021D,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，1.5A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，60V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：2.2 千欧
6最大功率值：760mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG5-4570
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS6021D,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS6021D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS6021D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS6021D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PBLS2023D,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL PNP 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA
1晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，1.8A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，20V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：760mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG5-4571
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS2023D,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS2023D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS2023D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA
1晶体管类型：1 PNP 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，1.8A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，20V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：4.7 千欧
6最大功率值：760mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG5-4572
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS2022D,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： PBLS2021D,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，1.8A
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，20V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：2.2 千欧
6最大功率值：760mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：6-TSOP
料号：JTG5-4573
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS2021D,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS2021D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS2021D,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： DDA114EH-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG5-4574
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDA114EH-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDA114EH-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDA114EH-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDA114EH-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DDA144EH-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG5-4575
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDA144EH-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： DDC144EH-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：JTG5-4576
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDC144EH-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC144EH-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC144EH-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC144EH-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： UP0121MG0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-665
封装：SS迷你型5-F3
料号：JTG5-4577
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型号： UP03390G0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧，10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
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外壳：SOT-665
封装：SS迷你型5-F3
料号：JTG5-4578
包装：
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型号： UP03397G0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，30V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，30V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧，47 千欧
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-665
封装：SS迷你型5-F3
料号：JTG5-4579
包装：
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型号： UP04112G0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，30V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SS迷你型5-F3
料号：JTG5-4580
包装：
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合作现货:0
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品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，30V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):-
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F2
料号：JTG5-4581
包装：
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合作现货:0
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型号： UP04311G0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，30V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F2
料号：JTG5-4582
包装：
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型号： UP04314G0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，30V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
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4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
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6最大功率值：125mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F2
料号：JTG5-4583
包装：
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合作现货:0
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型号： UP0431NG0L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，30V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F2
料号：JTG5-4584
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UP0431NG0L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： UP0421500L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI6
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，30V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SSMINI6-F1
料号：JTG5-4585
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UP0421500L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： UP0121M00L
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
参数： 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.5A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，60V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 260mV @ 100mA，1.5A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 PNP 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:Special feature transistors 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，1.8A *3集射极-击穿电压(最大值):50V，20V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:2.2 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 210mV @ 100mA，1.8A 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧，10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，30V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧，47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 系列:- 制造商:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 300µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 300µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-665
封装：SSMINI5-F2
料号：JTG5-4586
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UP0121M00L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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