首页 >> 商品目录 >> 晶体管 >> 预偏置多路晶体管
元器件型号：1652 件
当前类别共1652 件相关商品

*系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

*晶体管类型

清除

*电流 - 集电极（ic）（最大值）

清除

电压 - 集射极击穿（最大值）

清除

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）

清除

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）

清除

不同?Ic，Vce?时的

清除

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）

清除

*电流 - 集电极截止（最大值）

清除

*频率 - 跃迁

清除

*功率 - 最大值

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 1652
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： EMD9T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG5-3348
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMD9T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMD9T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMD9T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMD9T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IMH9AT110
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG5-3349
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMH9AT110' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH9AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH9AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMH9AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDC115EU-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：100 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：100 千欧
6最大功率值：200mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG5-3350
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDC115EU-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC115EU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC115EU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC115EU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IMD9AT108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG5-3351
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMD9AT108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD9AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD9AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD9AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DDC143ZU-7-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：200mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：SOT-363
料号：JTG5-3352
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DDC143ZU-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC143ZU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC143ZU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DDC143ZU-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EMD22T2R
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：EMT6
料号：JTG5-3353
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMD22T2R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMD22T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMD22T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMD22T2R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IMB10AT110
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG5-3354
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMB10AT110' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB10AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB10AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMB10AT110' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMA564050R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL PNP SMINI6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：150mW
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：SMINI6-F3-B
料号：JTG5-3355
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMA564050R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA564050R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA564050R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMA564050R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMG564040R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：150mW
外壳：6-SMD，扁平引线
封装：SMINI6-F3-B
料号：JTG5-3356
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMG564040R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG564040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG564040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMG564040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC561060R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：150mW
外壳：5-SMD，扁平引线
封装：SMINI5-F3-B
料号：JTG5-3357
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC561060R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC561060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC561060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC561060R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PBLS1503Y,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，15V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3358
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS1503Y,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS1503Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS1503Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS1503Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PBLS4002Y,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，40V
4基底R1电阻(欧姆)4：4.7 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：4.7 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3359
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS4002Y,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4002Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4002Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4002Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PBLS4005Y,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，40V
4基底R1电阻(欧姆)4：47 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3360
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS4005Y,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4005Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4005Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4005Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PBLS4003Y,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，40V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3361
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS4003Y,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4003Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4003Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4003Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： PBLS4004Y,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 NPN 预偏压式，1 PNP
2集电极-最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V，40V
4基底R1电阻(欧姆)4：22 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装：6-TSSOP
料号：JTG5-3362
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PBLS4004Y,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4004Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4004Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PBLS4004Y,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IMD10AT108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧，100 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz，200MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧，100 欧姆
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：10 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG5-3363
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMD10AT108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD10AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD10AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD10AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IMD16AT108
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧，100 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz，200MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧，2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 电流-集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA，500mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：100 千欧，2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：22 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74，SOT-457
封装：SMT6
料号：JTG5-3364
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMD16AT108' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD16AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD16AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD16AT108' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FMA5AT148
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧，100 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz，200MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧，2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 电流-集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：2.2 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SMT5
料号：JTG5-3365
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMA5AT148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMA5AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMA5AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMA5AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： FMG4AT148
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧，100 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz，200MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧，2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 电流-集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：-
6最大功率值：300mW
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SMT5
料号：JTG5-3366
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FMG4AT148' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG4AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG4AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FMG4AT148' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DMC961040R
品牌： Panasonic/松下 Panasonic 松下电子元件
描述： TRANS PREBIAS DUAL NPN SSMINI5
参数： 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:100 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:200mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，2.5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，2.5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:150mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:150mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，15V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA，100nA 频率 - 跃迁:280MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:4.7 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:4.7 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:47 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 NPN 预偏压式，1 PNP *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V，40V *4基底R1电阻(欧姆)4:22 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 500µA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 电流-集电极截止(最大值):1µA 频率 - 跃迁:300MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧，100 欧姆 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:10 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA / 300mV @ 5mA，100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz，200MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA，500mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:100 千欧，2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:22 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA / 300mV @ 100µA，1mA 电流-集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:2.2 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 250µA，5mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:- 不同?Ic，Vce?时的:300mV @ 1mA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 1mA，10mA 电流-集电极截止(最大值):- 频率 - 跃迁:250MHz *6最大功率值:300mW 制造商统称:Panasonic/松下 制造商统称:Panasonic Electronic Components 类目:未设 替代选料:未设定 *1晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双） *2集电极-最大电流(ic):100mA *3集射极-击穿电压(最大值):50V *4基底R1电阻(欧姆)4:10 千欧 *5发射极基底R2电阻(欧姆)5:47 千欧 不同?Ic，Vce?时的:250mV @ 500µA，10mA 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 500µA，10mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 频率 - 跃迁:- *6最大功率值:125mW
1晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
2集电极-最大电流(ic)：100mA
3集射极-击穿电压(最大值)：50V
4基底R1电阻(欧姆)4：10 千欧
5发射极基底R2电阻(欧姆)5：47 千欧
6最大功率值：125mW
外壳：SOT-665
封装：SSMINI5-F4-B
料号：JTG5-3367
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DMC961040R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Panasonic/松下' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC961040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC961040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DMC961040R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有1652个记录    每页显示20条，本页141-160条    8/83页    首 页    上一页   4  5  6  7  8  9  10  11  12   下一页    尾 页      
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922