元器件型号:3857
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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*电压 - 断态

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*电压 - 栅极触发(vgt)(最大值)

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*电流 - 栅极触发(igt)(最大值)

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*电压 - 通态(vtm)(最大值)

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电流 - 通态(it(av))(最大值)

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电流 - 通态(it(rms))(最大值)

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电流 - 保持(ih)(最大值)

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*电流 - 断态(最大值)

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电流 - 不重复浪涌 50,60hz(itsm)

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scr 类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: MCR68-002
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 50V 12A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:50V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1.5V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:30mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:2.2V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:8A
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2321
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCR68-002' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR68-002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR68-002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR68-002' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MCR8SM
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 600V 8A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:600V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.8V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:1.8V
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2322
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCR8SM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR8SM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR8SM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR8SM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MCR12LD
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 400V 12A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:400V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:8mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:2.2V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:7.6A
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2323
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCR12LD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12LD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12LD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12LD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MCR12DCNT4
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 800V 12A DPAK
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:800V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:20mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.9V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:7.8A
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63
封装:DPAK-3
料号:JZG2-2324
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCR12DCNT4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12DCNT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12DCNT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12DCNT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MCR12DSMT4
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 600V 12A DPAK
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA
1电压-断态(v)1:600V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:200µA
4电流-通态(it(av))(最大值)4:7.6A
2电流-断态(最大值)2:6mA
外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63
封装:DPAK-3
料号:JZG2-2325
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCR12DSMT4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12DSMT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12DSMT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12DSMT4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MCR716T4
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 400V 4A DPAK
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA
1电压-断态(v)1:400V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:75µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:75µA
4电流-通态(it(av))(最大值)4:2.6A
2电流-断态(最大值)2:5mA
外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线+接片),SC-63
封装:DPAK-3
料号:JZG2-2326
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCR716T4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR716T4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR716T4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR716T4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: X0402NE 1AA2
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: SCR 800V 1.35A TO202
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA
1电压-断态(v)1:800V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.8V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:900mA
2电流-断态(最大值)2:5µA
外壳:TO-202 无接片
封装:TO-202
料号:JZG2-2327
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'X0402NE 1AA2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'X0402NE 1AA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'X0402NE 1AA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'X0402NE 1AA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TYN1006RG
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: SCR 1KV 6A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:1kV
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1.5V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:15mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.6V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:3.8A
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2328
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TYN1006RG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TYN1006RG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TYN1006RG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: TYN1008RG
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: SCR 1KV 8A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA
1电压-断态(v)1:1kV
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1.5V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:25mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.6V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:5A
2电流-断态(最大值)2:5µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2329
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TYN1008RG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TYN1008RG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TYN1008RG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TYN1008RG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: TXN1012RG
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: SCR 1KV 12A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:1kV
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外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2330
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TXN1012RG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: BTW68-1000RG
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: SCR 1KV 30A TOP3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA
1电压-断态(v)1:1kV
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1.5V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:50mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:2.1V
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2电流-断态(最大值)2:20µA
外壳:TOP-3
封装:TOP3
料号:JZG2-2331
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BTW68-1000RG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: P0111MA2AL3
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: SCR 600V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:600V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
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外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2332
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P0111MA2AL3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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1~2周可到达
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型号: P0102MA1AA3
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: SCR 600V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:600V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.95V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:500mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2333
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P0102MA1AA3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: BT151-500C,127
品牌: Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述: SCR 500V 12A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:500V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.75V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:500µA
1电压-断态(v)1:500V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1.5V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:15mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.75V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:7.5A
2电流-断态(最大值)2:500µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2334
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BT151-500C,127' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BT151-500C,127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BT151-500C,127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BT151-500C,127' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2N5061RLRAG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 60V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:500V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.75V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:500µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:60V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:60V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2335
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: 2N5062RLRAG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 100V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:500V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.75V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:500µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:60V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:100V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2336
包装:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2N5064RLRAG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 200V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:500V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.75V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:500µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:60V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:200V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2337
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合作现货:0
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型号: 2N5060G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 30V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:500V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.75V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:500µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:60V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:30V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2338
包装:
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最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2N5061G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 60V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:200µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:6mA 系列:* 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:75µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:75µA *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5mA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:900mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:1.35A 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:3.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:6A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:45mA *2电流-断态(最大值)*2:5µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.6V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:1kV *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:50mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.1V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:19A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:30A 电流-保持(ih)(最大值)*8:75mA *2电流-断态(最大值)*2:20µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.95V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:500mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:500V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:15mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.75V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.5A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:500µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:60V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:60V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:60V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
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3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2339
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: 2N5064G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 200V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.8V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:6mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:20mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.9V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.8A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 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Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:60V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA 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2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
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料号:JZG2-2340
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5064G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5064G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5064G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5064G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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