元器件型号:3857
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制造商统称

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制造商统称

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*电压 - 断态

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*电压 - 栅极触发(vgt)(最大值)

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*电流 - 栅极触发(igt)(最大值)

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*电压 - 通态(vtm)(最大值)

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电流 - 通态(it(av))(最大值)

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电流 - 通态(it(rms))(最大值)

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电流 - 保持(ih)(最大值)

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*电流 - 断态(最大值)

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电流 - 不重复浪涌 50,60hz(itsm)

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scr 类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: 2N5060RLRAG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 30V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:30V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2541
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5060RLRAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: 2N5060RLRM
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 30V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:30V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2542
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5060RLRM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5060RLRM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N5062G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 100V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:100V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2543
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5062G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5062G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5062G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5062G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N5064RLRM
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 200V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:200V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:510mA
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2544
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N5064RLRM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5064RLRM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N5064RLRM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: 2N6394
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 50V 12A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:50V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1.5V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:30mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:2.2V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:2.2V
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2545
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6394' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6394' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N6400
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 50V 16A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:50V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:1.5V
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:30mA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:10A
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2546
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2N6400' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6400' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: 2N6401
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 100V 16A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
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外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2547
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6401' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2N6509T
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 800V 25A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:16A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:25A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
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外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2548
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2N6509T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: C106M1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 600V 4A TO225AA
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:16A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:25A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.55A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:3mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:600V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:2.2V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:2.55A
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-225AA,TO-126-3
封装:TO-225AA
料号:JZG2-2549
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'C106M1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'C106M1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: C122F1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 50V 8A TO220AB
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型号: MCR100-003
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
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品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 100V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:16A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:25A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.55A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:3mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.83V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.83V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:100V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:1.7V
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2553
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: MCR100-3RL
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 100V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:16A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:25A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.55A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:3mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.83V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.83V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:100V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
6电流-栅极触发(igt)(最大值)6:200µA
3电压-通态(vtm)(最大值)3:1.7V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:1.7V
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2554
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCR100-3RL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: MCR100-4G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 200V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:16A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:25A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.55A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:3mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.83V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.83V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:200V
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4电流-通态(it(av))(最大值)4:1.7V
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2555
包装:
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合作现货:0
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型号: MCR100-6G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 400V 800MA TO92-3
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1电压-断态(v)1:400V
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封装:TO-92-3
料号:JZG2-2556
包装:
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型号: MCR100-6RLRA
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 400V 800MA TO92-3
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:16A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:25A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.55A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:3mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.83V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.83V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:400V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
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4电流-通态(it(av))(最大值)4:1.7V
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
封装:TO-92-3
料号:JZG2-2557
包装:
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合作现货:0
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型号: MCR12LM
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 600V 12A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:16A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:25A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.55A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:3mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.83V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.83V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:600V
5电压-栅极触发(vgt)(最大值)5:800mV
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3电压-通态(vtm)(最大值)3:2.2V
4电流-通态(it(av))(最大值)4:7.6A
2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2558
包装:
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型号: MCR12LMG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 600V 12A TO220AB
参数: 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:30V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:510mA 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.2V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:50mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:10A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:16A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:800V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:30mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.8V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:16A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:25A 电流-保持(ih)(最大值)*8:40mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:2.55A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:4A 电流-保持(ih)(最大值)*8:3mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:50V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:1.5V *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:25mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.83V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.83V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:8A 电流-保持(ih)(最大值)*8:30mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:100V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:200V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:400V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:200µA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:1.7V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:1.7V 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:800mA 电流-保持(ih)(最大值)*8:5mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1电压-断态(v)*1:600V *5电压-栅极触发(vgt)(最大值)*5:800mV *6电流-栅极触发(igt)(最大值)*6:8mA *3电压-通态(vtm)(最大值)*3:2.2V *4电流-通态(it(av))(最大值)*4:7.6A 电流-通态(it(rms))(最大值)*7:12A 电流-保持(ih)(最大值)*8:20mA *2电流-断态(最大值)*2:10µA
1电压-断态(v)1:600V
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2电流-断态(最大值)2:10µA
外壳:TO-220-3
封装:TO-220AB
料号:JZG2-2559
包装:
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合作现货:0
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状态: 在售
型号: MCR12LNG
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: SCR 800V 12A TO220AB
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封装:TO-220AB
料号:JZG2-2560
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12LNG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12LNG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCR12LNG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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