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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： IR2113STR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.3V ~ 20V
7逻辑电压7：6V，9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-2081
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2113STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2113STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2113STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2113STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR2118STR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：6V，9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2082
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2118STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2118STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2118STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2118STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IR2125STR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：0V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.6A，3.3A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-2083
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2125STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2125STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2125STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2125STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IR2128STR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：12V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2084
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2128STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2128STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2128STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2128STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： IR2130JTR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：44-LCC（J形引线），32 引线
封装：44-PLCC，32 引线（16.58x16.58）
料号：P4-2085
包装： 500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2130JTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2130JTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2130JTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2130JTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IR2130STR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：28-SOIC(7.50mm 宽)
封装：28-SOIC
料号：P4-2086
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2130STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2130STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2130STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2130STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IR2131JTR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：44-LCC（J形引线），32 引线
封装：44-PLCC，32 引线（16.58x16.58）
料号：P4-2087
包装： 500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2131JTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2131JTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IR2135PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：28-DIP(15.24mm)
封装：28-PDIP
料号：P4-2088
包装： 13个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2135PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2135PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2135PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2135PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IR21366SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：12V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：反相
外壳：28-SOIC(7.50mm 宽)
封装：28-SOIC
料号：P4-2089
包装： 25个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21366SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21366SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21366SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21366SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR21362PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：11.5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：28-DIP(15.24mm)
封装：28-PDIP
料号：P4-2090
包装： 13个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21362PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21362PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21362PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21362PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR2138QPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64MQFP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：12.5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：350mA，200mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：64-BQFP
封装：64-MQFP（20x14）
料号：P4-2091
包装： 66个/ 托盘
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： IR21368JTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
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5输入类型5：反相
外壳：44-LCC（J形引线），32 引线
封装：44-PLCC，32 引线（16.58x16.58）
料号：P4-2092
包装： 500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21368JTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21368JTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21368JTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21368JTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IR21365JTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：12V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：反相
外壳：44-LCC（J形引线），32 引线
封装：44-PLCC，32 引线（16.58x16.58）
料号：P4-2093
包装： 500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21365JTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21365JTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 停产
型号： IR20153STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.4V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2094
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR20153STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR20153STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR20153STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR20153STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR21141SSTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：11.5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，3A
5输入类型5：非反相
外壳：24-SSOP(5.30mm宽)
封装：24-SSOP
料号：P4-2095
包装： 2000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21141SSTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21141SSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21141SSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21141SSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IR21381QPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64MQFP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，540mA *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：12.5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：350mA，540mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：64-BQFP
封装：64-MQFP（20x14）
料号：P4-2096
包装： 660个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21381QPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21381QPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21381QPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21381QPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR22141SSTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，540mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：11.5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，3A
5输入类型5：非反相
外壳：24-SSOP(5.30mm宽)
封装：24-SSOP
料号：P4-2097
包装： 2000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR22141SSTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22141SSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22141SSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22141SSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IR22381QPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64MQFP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，540mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，540mA *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：12.5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：350mA，540mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：64-BQFP
封装：64-MQFP（20x14）
料号：P4-2098
包装： 660个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR22381QPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22381QPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22381QPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22381QPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR2151SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，540mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，540mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:125mA，250mA *5输入类型*5:RC 输入电路
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：125mA，250mA
5输入类型5：RC 输入电路
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2099
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2151SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2151SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2151SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2151SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MAX8552ETB+T
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10TDFN
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，3.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，200mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，540mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:12.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，540mA *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:125mA，250mA *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 6.5V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：10-WFDFN 裸露焊盘
封装：10-TDFN（3x3）
料号：P4-2100
包装： 2500个/ 卷带
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合作现货:0
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海外现货:0
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