元器件型号:6417
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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 停产
型号: EL7158IS
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 12V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:12A,12A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2221
包装: 97个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7158IS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158IS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: EL7202CS
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 15V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2222
包装: 97个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7202CS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: EL7212CN
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 15V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-2223
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7212CN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7212CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7212CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7212CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: EL7212CS
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 15V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2224
包装: 97个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7212CS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7212CS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7212CS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: EL7222CS
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 15V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2225
包装: 97个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7222CS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7222CS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: EL7242CN
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 16V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-2226
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7242CN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7242CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: EL7242CS
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 16V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2227
包装: 97个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7242CS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7242CS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7242CS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7242CS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: EL7252CN
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 16V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-2228
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7252CN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7252CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7252CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7252CN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 停产
型号: FAN7390N
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 22V
7逻辑电压7:1.2V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:4.5A,4.5A
5输入类型5:非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-DIP
料号:P4-2229
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7390N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: IXDD509D1T/R
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 30V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:9A,9A
5输入类型5:非反相
外壳:6-VDFN 裸露焊盘
封装:6-DFN(4x5)
料号:P4-2230
包装: 1000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDD509D1T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD509D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD509D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD509D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: FAN7371M
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOP
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:4A,4A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2231
包装: 90个/ 管件
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7371M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: FAN7382M1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:350mA,650mA
5输入类型5:非反相
外壳:14-SOIC(3.90mm 宽)
封装:14-SOP
料号:P4-2232
包装: 54个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7382M1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7382M1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7382M1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7382M1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: FAN73833M
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:11V ~ 20V
7逻辑电压7:1.2V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:350mA,650mA
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2233
包装: 90个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN73833M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73833M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73833M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73833M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: FAN7384M
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:13V ~ 20V
7逻辑电压7:1.2V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:250mA,500mA
5输入类型5:非反相
外壳:14-SOIC(3.90mm 宽)
封装:14-SOIC
料号:P4-2234
包装: 54个/ 管件
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7384M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7384M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7384M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: FAN7388M
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:6
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:1V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:350mA,650mA
5输入类型5:非反相
外壳:20-SOIC(7.50mm 宽)
封装:20-SOIC
料号:P4-2235
包装: 36个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7388M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7388M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7388M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7388M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: FAN7390M
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 22V
7逻辑电压7:1.2V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:4.5A,4.5A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2236
包装: 90个/ 管件
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 停产
型号: FAN7390M1
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 22V
7逻辑电压7:1.2V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:4.5A,4.5A
5输入类型5:非反相
外壳:14-SOIC(3.90mm 宽)
封装:14-SOP
料号:P4-2237
包装: 54个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7390M1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390M1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390M1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7390M1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: FAN7842M
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:350mA,650mA
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2238
包装: 90个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7842M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7842M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7842M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7842M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: FAN7888M
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:6
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:1V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:350mA,650mA
5输入类型5:非反相
外壳:20-SOIC(7.50mm 宽)
封装:20-SOIC
料号:P4-2239
包装: 36个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7888M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7888M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7888M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7888M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: FAN7080CMX_F085
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA,650mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:300mA,600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5.5V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:300mA,600mA
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-2240
包装: 2500个/ 卷带
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合作现货:0
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海外现货:0
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