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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*电压 - 电源

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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上升/下降时间（典型值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NCV5104DR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-221
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV5104DR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5104DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5104DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5104DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NCP81071CDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-222
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81071CDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： L6743D
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 12V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-223
包装： 100个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L6743D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： NCP81074ADR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.5V，1.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：10A，10A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-224
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81074ADR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81074ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81074ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81074ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NCP81071AMNTXG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：反相
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-WDFN（3x3）
料号：P4-225
包装： 3000个/ 卷带（TR）卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81071AMNTXG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071AMNTXG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071AMNTXG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071AMNTXG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NCP81071BMNTXG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-WDFN（3x3）
料号：P4-226
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81071BMNTXG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071BMNTXG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071BMNTXG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071BMNTXG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NCP81071CMNTXG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8WDFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-WDFN（3x3）
料号：P4-227
包装： 3000个/ 卷带
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合作现货:0
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型号： NCP81071AZR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-MSOP-EP
料号：P4-228
包装： 3000个/ 卷带
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描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-MSOP-EP
料号：P4-229
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81071BZR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071BZR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81071BZR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： NCP81071CZR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-MSOP-EP
料号：P4-230
包装： 3000个/ 卷带
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型号： NCP81074AMNTBG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
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外壳：8-VFDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（2x2）
料号：P4-231
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81074AMNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81074AMNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：10A，10A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-VFDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（2x2）
料号：P4-232
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81074BMNTBG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81074BMNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： L6743Q
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 12V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，-
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-233
包装： 100个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L6743Q' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743Q' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MC33151VDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:31ns，32ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-234
包装： 2500个/ 卷带（TR）剪切带（CT）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33151VDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151VDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151VDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151VDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： L6743B
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VFDFPN
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:31ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 12V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，-
5输入类型5：非反相
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-VFDFPN（3x3）
料号：P4-235
包装： 100个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L6743B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态：
型号： MC33152VDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:31ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.1V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:36ns，32ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.1V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-236
包装： 2500个/ 卷带（TR）剪切带（CT）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33152VDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152VDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152VDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152VDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： L9856-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:31ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.1V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:36ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.4V ~ 6.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-237
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L9856-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9856-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9856-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9856-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： L9857-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:31ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.1V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:36ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:300 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 18V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-238
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L9857-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9857-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9857-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： L9856-TR-LF
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:31ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.1V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:36ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:300 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.4V ~ 6.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-239
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L9856-TR-LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9856-TR-LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： L9856-LF
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
参数： 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:10A，10A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:4ns，4ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:31ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.1V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:36ns，32ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:300 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，100ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.4V ~ 6.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-240
包装： 100个/ 管件
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合作现货:0
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海外现货:0
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