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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： IXDN502D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（4x5）
料号：P4-2381
包装： 56个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN502D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN502D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN502D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN502D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDN502SIA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2382
包装： 94个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN502SIA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN502SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN502SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN502SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IXDN504D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（4x5）
料号：P4-2383
包装： 56个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN504D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXDN504PI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2384
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN504PI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDN504SIA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2385
包装： 94个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN504SIA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDN504SIAT/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2386
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN504SIAT/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN504SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDN509D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：非反相
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（4x5）
料号：P4-2387
包装： 56个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN509D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN509D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN509D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN509D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDN509PI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2388
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN509PI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN509PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN509PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN509PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IXDE504SIA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2389
包装： 94个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE504SIA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE504SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE504SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE504SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDE504SIAT/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2390
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE504SIAT/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE504SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE504SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE504SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDE509D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（4x5）
料号：P4-2391
包装： 56个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE509D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDE509D1T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（4x5）
料号：P4-2392
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE509D1T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IXDE509PI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2393
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE509PI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDE509SIA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2394
包装： 94个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE509SIA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDE509SIAT/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2395
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE509SIAT/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE509SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDE514D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（4x5）
料号：P4-2396
包装： 56个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE514D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDE514D1T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（4x5）
料号：P4-2397
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE514D1T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514D1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDE514PI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2398
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE514PI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDE514SIA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2399
包装： 94个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE514SIA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDE514SIAT/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2400
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDE514SIAT/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDE514SIAT/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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