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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： FAN73832N
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：15V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：350mA，650mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2421
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN73832N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73832N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73832N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73832N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： FAN7383M
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOP
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：15V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：350mA，650mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC(5.30mm 宽)
封装：14-SOP
料号：P4-2422
包装： 54个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7383M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7383M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7383M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7383M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： FAN7385M
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 14SOP
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.3V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：350mA，650mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOP
料号：P4-2423
包装： 54个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7385M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7385M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7385M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7385M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IXDI409SI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2424
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI409SI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IX6R11P7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：6V，9.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：6A，6A
5输入类型5：非反相
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：14-PDIP
料号：P4-2425
包装： 25个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IX6R11P7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX6R11P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX6R11P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX6R11P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDN404SIA
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2426
包装： 94个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN404SIA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN404SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN404SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN404SIA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IX2A11P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8DIP
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2427
包装： 300个/ 盒
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IX2A11P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX2A11P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX2A11P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX2A11P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IX2A11S1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2428
包装： 282个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IX2A11S1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX2A11S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX2A11S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX2A11S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXDI409CI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：TO-220-5
封装：TO-220-5
料号：P4-2429
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI409CI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDI409PI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2430
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI409PI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDI409YI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
封装：TO-263-5
料号：P4-2431
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI409YI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI409YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXDI414CI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：TO-220-5
封装：TO-220-5
料号：P4-2432
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI414CI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXDI414PI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2433
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI414PI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDI414SI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-2434
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI414SI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDI414YI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：反相
外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
封装：TO-263-5
料号：P4-2435
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI414YI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI414YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDI430CI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：30A，30A
5输入类型5：反相
外壳：TO-220-5
封装：TO-220-5
料号：P4-2436
包装： 50个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI430CI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXDI430MCI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：30A，30A
5输入类型5：反相
外壳：TO-220-5
封装：TO-220-5
料号：P4-2437
包装： 50个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI430MCI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430MCI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430MCI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430MCI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDI430MYI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：30A，30A
5输入类型5：反相
外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
封装：TO-263-5
料号：P4-2438
包装： 50个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI430MYI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430MYI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430MYI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430MYI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDI430YI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：30A，30A
5输入类型5：反相
外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
封装：TO-263-5
料号：P4-2439
包装： 50个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI430YI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI430YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDI502D1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，9.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:30A，30A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：反相
外壳：6-VDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（4x5）
料号：P4-2440
包装： 56个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI502D1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI502D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI502D1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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