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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： IXA531L4T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：反相
外壳：44-LCC（J 形引线）
封装：44-PLCC（16.54x16.54）
料号：P4-2481
包装： 500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXA531L4T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531L4T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531L4T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531L4T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXA531S10
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48MLP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：反相
外壳：48-TFQFN 裸露焊盘
封装：48-MLP（7x7）
料号：P4-2482
包装： 500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXA531S10' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531S10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531S10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531S10' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXA531S10T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48MLP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：反相
外壳：48-TFQFN 裸露焊盘
封装：48-MLP（7x7）
料号：P4-2483
包装： 500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXA531S10T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531S10T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531S10T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA531S10T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXA611M6
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：6V，7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：16-VDFN 裸焊盘
封装：16-MLP（7x6）
料号：P4-2484
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXA611M6' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611M6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611M6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611M6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXA611M6T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16MLP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：6V，7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：16-VDFN 裸焊盘
封装：16-MLP（7x6）
料号：P4-2485
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXA611M6T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611M6T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611M6T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611M6T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXA611P7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：6V，7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：14-PDIP
料号：P4-2486
包装： 375个/ 盒
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXA611P7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXA611S3
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：6V，7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-2487
包装： 368个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXA611S3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611S3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611S3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611S3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXA611S3T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：6V，7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-2488
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXA611S3T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611S3T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611S3T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXA611S3T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXB611P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2489
包装： 450个/ 盒
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXB611P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXB611P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXB611P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXB611P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IXB611S1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2490
包装： 470个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXB611S1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXB611S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXB611S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXB611S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXB611S1T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2491
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： IXC611P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2492
包装： 450个/ 盒
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXC611P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXC611P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXC611S1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2493
包装： 470个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXC611S1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXC611S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXC611S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXC611S1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXC611S1T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
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8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2494
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXC611S1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IXD611P1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：2.4V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-2495
包装： 500个/ 盒
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXD611P1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611P1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： IXD611P7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：2.4V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-DIP(7.62mm)
封装：14-PDIP
料号：P4-2496
包装： 400个/ 盒
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611P7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXD611S1
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：2.4V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2497
包装： 470个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXD611S1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： IXD611S1T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：2.4V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2498
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXD611S1T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611S1T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXD611S7
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：2.4V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-2499
包装： 424个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXD611S7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611S7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611S7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 停产
型号： IXD611S7T/R
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:6V，7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 35V *7逻辑电压*7:2.4V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:600mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 35V
7逻辑电压7：2.4V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：600mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-2500
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXD611S7T/R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611S7T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611S7T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXD611S7T/R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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