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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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*输入类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： LM2722MX
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 7V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，3.2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2641
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM2722MX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM2722MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM2722MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM2722MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： LM5100MX
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：3V，8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.6A，1.6A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2642
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM5100MX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5100MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5100MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5100MX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： LM5109MAX
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2643
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM5109MAX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5109MAX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5109MAX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5109MAX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： SI9910DY-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 16.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2644
包装： 500个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9910DY-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9910DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9910DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9910DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： SI9912DY-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2645
包装： 500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9912DY-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9912DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9912DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9912DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： SI9912DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2646
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9912DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9912DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9912DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9912DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI9913DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2647
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9913DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： SI9976DY-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 16.5V
7逻辑电压7：1V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-2648
包装： 550个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9976DY-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9976DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9976DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9976DY-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SI9976DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 16.5V
7逻辑电压7：1V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-2649
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9976DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9976DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9976DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9976DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 停产
型号： SI9978DW-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：14.5V ~ 17.5V
7逻辑电压7：1V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：24-SOIC(7.50mm宽)
封装：24-SOIC
料号：P4-2650
包装： 300个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9978DW-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9978DW-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9978DW-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SI9978DW-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 停产
型号： SI9978DW-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：14.5V ~ 17.5V
7逻辑电压7：1V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：24-SOIC(7.50mm宽)
封装：24-SOIC
料号：P4-2651
包装： 1500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SI9978DW-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： SIP41103DM-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG MLP33-10
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.5V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：900mA，1.1A
5输入类型5：非反相
外壳：PowerPAK® MLP33-10
封装：PowerPAK® MLP33-10
料号：P4-2652
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIP41103DM-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIP41103DM-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIP41103DM-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIP41103DM-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： SIP41104DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.5V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：900mA，1.1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2653
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SIP41104DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIP41104DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIP41104DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SIP41104DY-T1-E3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： SIP41109DY-T1-E3
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：1V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：800mA，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2654
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： MC33285D
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.7V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：7V ~ 40V
7逻辑电压7：0.7V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2655
包装： 98个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33285D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33285D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33285D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33285D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： MC33883DW
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.7V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 28V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SOIC
料号：P4-2656
包装： 38个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33883DW' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33883DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33883DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： L6385D
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.7V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:17V（最大） *7逻辑电压*7:1.5V，3.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:400mA，650mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：17V（最大）
7逻辑电压7：1.5V，3.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：400mA，650mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2657
包装： 2000个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L6385D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6385D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6385D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6385D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： L6386D
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.7V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:17V（最大） *7逻辑电压*7:1.5V，3.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:400mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:17V（最大） *7逻辑电压*7:1.5V，3.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:400mA，650mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：17V（最大）
7逻辑电压7：1.5V，3.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：400mA，650mA
5输入类型5：反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SO
料号：P4-2658
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L6386D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6386D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6386D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6386D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： MC33152D
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.7V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:17V（最大） *7逻辑电压*7:1.5V，3.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:400mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:17V（最大） *7逻辑电压*7:1.5V，3.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:400mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.1V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.1V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-2659
包装： 98个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33152D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： MC33152P
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 7V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3.2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3V，8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.5V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:900mA，1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.7V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:17V（最大） *7逻辑电压*7:1.5V，3.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:400mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:17V（最大） *7逻辑电压*7:1.5V，3.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:400mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.1V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.1V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.1V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-2660
包装： 1000个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33152P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33152P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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