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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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上升/下降时间（典型值）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IRS21091SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-361
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS21091SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21091SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21091SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21091SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IRS2123SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-362
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2123SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2123SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2123SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2123SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IRS2124SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-363
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2124SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2124SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2124SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2124SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 不适用于新设计
型号： 6ED003L06F2XUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：13V ~ 17.5V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：反相
外壳：28-SOIC(7.50mm 宽)
封装：PG-DSO-28
料号：P4-364
包装： 1000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6ED003L06F2XUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6ED003L06F2XUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6ED003L06F2XUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6ED003L06F2XUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 最后售卖
型号： IRS2108PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-365
包装： 3000个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2108PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2108PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2108PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2108PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IRS26072DSPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-366
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS26072DSPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS26072DSPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS26072DSPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS26072DSPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IR25600PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.3A，3.3A
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-367
包装： 3000个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR25600PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR25600PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR25600PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR25600PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRS2118SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：6V，9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-368
包装： 3800个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2118SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2118SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2118SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2118SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： IRS21858STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-369
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS21858STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21858STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21858STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21858STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IR21814STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.9A，2.3A
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-370
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21814STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： IRS2608DSPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-371
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2608DSPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： IRS2607DSPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-372
包装： 95个/ 管件
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型号： IRS2304PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.7V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-373
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2304PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2304PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2304PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2304PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR11671ASPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR FET EXTERNAL 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-374
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR11671ASPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR11671ASPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR11671ASPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR11671ASPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MIC4423ZWM
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:28ns，32ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，3A
5输入类型5：反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-375
包装： 47个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIC4423ZWM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4423ZWM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4423ZWM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4423ZWM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDD408YI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:28ns，32ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 25V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:14ns，15ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 25V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：8A，8A
5输入类型5：非反相
外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
封装：TO-263-5
料号：P4-376
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDD408YI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD408YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD408YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD408YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDD414CI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:28ns，32ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 25V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:14ns，15ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：非反相
外壳：TO-220-5
封装：TO-220-5
料号：P4-377
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDD414CI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414CI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXDD414PI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:28ns，32ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 25V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:14ns，15ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-DIP
料号：P4-378
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDD414PI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414PI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IXDD414YI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:28ns，32ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 25V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:14ns，15ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 35V
7逻辑电压7：0.8V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：14A，14A
5输入类型5：非反相
外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
封装：TO-263-5
料号：P4-379
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDD414YI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDD414YI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IXBD4410SI
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，80ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:13V ~ 17.5V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:620 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，26ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:60ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:40ns，20ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:28ns，32ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 25V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:14ns，15ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A，14A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，22ns 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V，3.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200 V 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1V，3.65V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-380
包装： 46个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXBD4410SI' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBD4410SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBD4410SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXBD4410SI' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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