元器件型号:6417
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 停产
型号: UC2710T
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.7V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:6A,6A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:TO-220-5
封装:TO-220-5
料号:P4-4040
包装: 50个/ 管件
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: UC3705N
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 40V
7逻辑电压7:0.8V,2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-4041
包装: 50个/ 管件
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: UC3708NE
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16DIP
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 35V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:非反相
外壳:16-DIP(7.62mm)
封装:16-PDIP
料号:P4-4042
包装: 25个/ 管件
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC3708NE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC3708NE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC3708NE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: UC2708DW
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 35V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-4043
包装: 40个/ 管件
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC2708DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC2708DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC2708DW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
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状态: 在售
品牌: ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8MSOP
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 15V
7逻辑电压7:1.2V,1.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.1A,1.1A
5输入类型5:非反相
外壳:8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装:8-MSOP-EP
料号:P4-4044
包装: 50个/ 管件
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC4440AMPMS8E-5#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC4440AMPMS8E-5#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC4440AMPMS8E-5#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: UC2710N
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.7V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:6A,6A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-4045
包装: 50个/ 管件
62.79 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UC2710N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC2710N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC2710N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UC2710N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UC2708N
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 35V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-4046
包装: 50个/ 管件
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MAX5063AASA+
品牌: ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
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5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-4047
包装: 100个/ 管件
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063AASA+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: MAX4426MJA/883B
品牌: ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:反相
外壳:8-CDIP(宽7.62mm)
封装:8-CERDIP
料号:P4-4048
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX4426MJA/883B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX4426MJA/883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX4426MJA/883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX4426MJA/883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MAX4429MJA/883B
品牌: ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8CERDIP
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:6A,6A
5输入类型5:反相
外壳:8-CDIP(宽7.62mm)
封装:8-CERDIP
料号:P4-4049
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX4429MJA/883B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX4429MJA/883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX4429MJA/883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX4429MJA/883B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: SM74101SD/NOPB
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相
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最小起订:
总额:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UCC27516DRST
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6SON
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
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4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
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外壳:6-WDFN 裸露焊盘
封装:6-SON(3x3)
料号:P4-4051
包装: 250个/ 卷带
2.68 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: LM5134BSD/NOPB
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
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料号:P4-4052
包装: 1000个/ 卷带
5.92 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: LM5114AMF/S7003109
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 12.6V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.3A,7.6A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:SOT-23-6
封装:SOT-23-6
料号:P4-4053
包装: 1000个/ 卷带
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: LM5114BMF/S7003110
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 12.6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.3A,7.6A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:SOT-23-6
封装:SOT-23-6
料号:P4-4054
包装: 1000个/ 卷带
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合作现货:0
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最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: LM5114AMF/NOPB
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 12.6V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.3A,7.6A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:SOT-23-6
封装:SOT-23-6
料号:P4-4055
包装: 1000个/ 卷带
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状态: 在售
型号: EMB1412MYE/NOPB
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:3.5V ~ 14V
7逻辑电压7:0.8V,2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,7A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-PowerTSSOP,8-MSOP(3.00mm 宽)
封装:8-HVSSOP
料号:P4-4056
包装: 250个/ 卷带
20.70 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EMB1412MYE/NOPB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMB1412MYE/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EMB1412MYE/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
总额:
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: UCC27518AQDBVRQ1
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:4A,4A
5输入类型5:反相
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SOT-23-5
料号:P4-4057
包装: 3000个/ 卷带
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态: 在售
型号: IXDN602D2TR
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 35V
7逻辑电压7:0.8V,3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-EP(5x4)
料号:P4-4058
包装: 2000个/ 卷带(TR)
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN602D2TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: MIC4605-1YM-TR
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.2V,1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.1A,1.1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.7V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列:Military, MIL-STD-883 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A,6A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.3A,7.6A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,7A *5输入类型*5:反相,非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A,4A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5.5V ~ 16V
7逻辑电压7:0.8V,2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1A,1A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-4059
包装: 2500个/ 卷带
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4605-1YM-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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