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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

清除

*电压 - 电源

清除

逻辑电压 

清除

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FAN3225TMX
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4620
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN3225TMX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3225TMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3225TMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3225TMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： FAN3223TMX
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4621
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN3223TMX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3223TMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3223TMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3223TMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRS2301SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4622
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2301SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2301SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2301SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2301SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： IRS21834STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.9A，2.3A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-4623
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS21834STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21834STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21834STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21834STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FAN3227CMX_F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DVR DUAL 2A 8-SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低压侧
2通道类型2：独 立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：n 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4.5 v ~ 18 v
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3a，3a
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.90mm 间距1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4624
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN3227CMX_F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3227CMX_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3227CMX_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3227CMX_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： TC4420EOA713
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：6A，6A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4625
包装： 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4420EOA713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4420EOA713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4420EOA713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4420EOA713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： FAN3217TMX_F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRIVER DUAL 2A 8-SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：n 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4.5 v ~ 18 v
7逻辑电压7：0.8v，2v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3a，3a
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.90mm 间距1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4626
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN3217TMX_F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3217TMX_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3217TMX_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3217TMX_F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IRS2302SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4627
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2302SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2302SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2302SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： IR2304SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：60mA，130mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4628
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2304SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2304SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2304SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： IR2102SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：210mA，360mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4629
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2102SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： ISL6612ACBZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4630
包装： 2500个/ 卷带（TR）剪切带（CT）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6612ACBZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612ACBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612ACBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612ACBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRS21271STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4631
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS21271STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21271STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21271STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS21271STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRS2113STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：6V，9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，2.5A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-4632
包装： 1000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2113STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2113STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2113STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2113STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1EDI30I12MFXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC IGBT DVR 1200V DSO8
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:igbt *6电压-电源(v)*6:13 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:1.5v，3.5v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5.9a，6.2a *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：igbt
6电压-电源(v)6：13 v ~ 18 v
7逻辑电压7：1.5v，3.5v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5.9a，6.2a
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.90mm 间距1.27mm)
封装：PG-DSO-8-51
料号：P4-4633
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EDI30I12MFXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EDI30I12MFXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EDI30I12MFXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EDI30I12MFXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRS2336DSTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:igbt *6电压-电源(v)*6:13 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:1.5v，3.5v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5.9a，6.2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：反相
外壳：28-SOIC(7.50mm 宽)
封装：28-SOIC
料号：P4-4634
包装： 1000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2336DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2336DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2336DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2336DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： TC4432VOA713
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:igbt *6电压-电源(v)*6:13 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:1.5v，3.5v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5.9a，6.2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 30V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4635
包装： 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4432VOA713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4432VOA713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4432VOA713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4432VOA713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IR2110SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:igbt *6电压-电源(v)*6:13 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:1.5v，3.5v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5.9a，6.2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.3V ~ 20V
7逻辑电压7：6V，9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-4636
包装： 45个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2110SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2110SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2110SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2110SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IR21094STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:igbt *6电压-电源(v)*6:13 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:1.5v，3.5v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5.9a，6.2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-4637
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21094STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21094STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21094STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21094STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR21064SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:igbt *6电压-电源(v)*6:13 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:1.5v，3.5v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5.9a，6.2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-4638
包装： 1980个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21064SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21064SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IR2011SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.9A，2.3A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:独 立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:汽车级，AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3a，3a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:igbt *6电压-电源(v)*6:13 v ~ 18 v *7逻辑电压*7:1.5v，3.5v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5.9a，6.2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 30V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.7V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4639
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2011SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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