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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FAN7085MX-GF085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 20V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：450mA，450mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4956
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN7085MX-GF085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7085MX-GF085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7085MX-GF085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN7085MX-GF085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FAN1100-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：4V ~ 28V
7逻辑电压7：1.2V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4957
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN1100-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN1100-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN1100-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN1100-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NCD5701CDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：7.8A，6.8A
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4958
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCD5701CDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： NCD5701BDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：7.8A，6.8A
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4959
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCD5701BDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701BDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701BDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701BDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IX4340UETR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： 5-AMP DUAL LOW-SIDE MOSFET DRIVE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-MSOP-EP
料号：P4-5455
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IX4340UETR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX4340UETR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX4340UETR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IX4340UETR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NCD5701ADR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，6A
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4960
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCD5701ADR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCD5701ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： A6861KLPTR-T
品牌： Allegro/埃戈罗 Allegro 埃戈罗
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16TSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：3
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 50V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：16-TSSOP(4.40mm宽)裸露焊盘
封装：16-eTSSOP-EP
料号：P4-4961
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A6861KLPTR-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Allegro/埃戈罗' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A6861KLPTR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A6861KLPTR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A6861KLPTR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCV5183DR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 18V
7逻辑电压7：1.2V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4.3A，4.3A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4962
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV5183DR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5183DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5183DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5183DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FAN8811TMPX
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MLP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 16V
7逻辑电压7：1.3V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，6A
5输入类型5：非反相
外壳：10-WDFN 裸露焊盘
封装：10-MLP（4x4）
料号：P4-4963
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN8811TMPX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN8811TMPX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN8811TMPX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN8811TMPX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： UCC27524A1QDGNRQ1
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-HVSSOP
料号：P4-4964
包装： 2500个/ 卷带
￥3.83 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27524A1QDGNRQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： FAN7190MX-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 22V
7逻辑电压7：1.2V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4.5A，4.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-4965
包装： 2500个/ 卷带
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DRV8702QRHBRQ1
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 32VQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5 V ~ 45 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：240mA，420mA
5输入类型5：
外壳：32-VFQFN 裸露焊盘
封装：32-VQFN（5X5）
料号：P4-4966
包装： 带卷（TR）
￥7.89 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8702QRHBRQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NCV5700DR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：-
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：0.75V，4.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：7.8A，6.8A
5输入类型5：-
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-4967
包装： 2500个/ 卷带
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV5700DR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5700DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5700DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5700DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DRV8703QRHBRQ1
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 32VQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5:
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2通道类型2：同步
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型号： DRV8702QRHBTQ1
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 32VQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5 V ~ 45 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：240mA，420mA
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外壳：32-VFQFN 裸露焊盘
封装：32-VQFN（5X5）
料号：P4-4969
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合作现货:0
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型号： A4927KLPTR-T
品牌： Allegro/埃戈罗 Allegro 埃戈罗
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24TSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
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外壳：24-TSSOP(4.40mm宽)裸露焊盘
封装：24-TSSOP-EP
料号：P4-4970
包装： 8000个/ 卷带
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合作现货:0
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型号： DRV8320HRTVT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC 3PHASE GATE DRIVER 32WQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
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6电压-电源(v)6：6 V ~ 60 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
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外壳：32-WFQFN 裸露焊盘
封装：32-WQFN（5X5）
料号：P4-4971
包装： 带卷（TR）
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8320HRTVT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8320HRTVT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DRV8320SRTVT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC 3PHASE GATE DRIVER 32WQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6 V ~ 60 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
5输入类型5：
外壳：32-WFQFN 裸露焊盘
封装：32-WQFN（5X5）
料号：P4-4972
包装： 带卷（TR）
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合作现货:0
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最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DRV8323HRTAT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： 60V THREE-PHASE SMART GATE DRIVE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6 V ~ 60 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
5输入类型5：
外壳：40-WFQFN 裸露焊盘
封装：40-WQFN（6X6）
料号：P4-4973
包装： 带卷（TR）
￥14.87 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DRV8320RHRHAT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC 3PHASE GATE DRIVER 40VQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:450mA，450mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:1.2V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.3A，4.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，6.8A *5输入类型*5:- 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5 V ~ 45 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:240mA，420mA *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6 V ~ 60 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
5输入类型5：
外壳：40-VFQFN 裸露焊盘
封装：40-VQFN（6X6）
料号：P4-4974
包装： 带卷（TR）
￥15.95 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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