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元器件型号：6417 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

清除

*电压 - 电源

清除

逻辑电压 

清除

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

清除

*输入类型

清除

高压侧电压 - 最大值（自举）

清除

上升/下降时间（典型值）

清除

工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 6417
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 不适用于新设计
型号： MLX83100LGO-DBA-000-RE
品牌： Melexis Technologies NV Melexis 迈来芯
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 28V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.4A，1.6A
5输入类型5：-
外壳：28-SOIC(4.40mm宽)裸露焊盘
封装：28-TSSOP-EP
料号：P4-5228
包装： 4500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MLX83100LGO-DBA-000-RE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Melexis Technologies NV' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MLX83100LGO-DBA-000-RE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MLX83100LGO-DBA-000-RE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MLX83100LGO-DBA-000-RE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 6ED003L06C2X1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DVR 3-PH 600V DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：13 V ~ 17.5 V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：非反相
外壳：
封装：
料号：P4-5229
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6ED003L06C2X1SA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6ED003L06C2X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6ED003L06C2X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6ED003L06C2X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DRV8320RHRHAR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： 60V THREE-PHASE SMART GATE DRIVE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6 V ~ 60 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
5输入类型5：
外壳：
封装：
料号：P4-5230
包装：
￥9.72 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DRV8320RHRHAR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8320RHRHAR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8320RHRHAR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8320RHRHAR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： DRV8320RSRHAR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC 3PHASE GATE DRIVER 40VQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6 V ~ 60 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
5输入类型5：
外壳：40-VFQFN 裸露焊盘
封装：40-VQFN（6X6）
料号：P4-5231
包装： 带卷（TR）
￥9.72 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DRV8320RSRHAR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8320RSRHAR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8320RSRHAR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8320RSRHAR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： 6EDM2003L06F06X1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR BARE DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：-
封装：-
料号：P4-5232
包装： 1个/ 散装
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6EDM2003L06F06X1SA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F06X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F06X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F06X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 6EDM2003L06F10X1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRIVER BARE DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：
封装：
料号：P4-5233
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6EDM2003L06F10X1SA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F10X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F10X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F10X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： LT8672EMS#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3V ~ 42V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：10-TFSOP，10-MSOP(3.00mm宽)
封装：10-MSOP
料号：P4-5234
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LT8672EMS#TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LT8672EMS#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LT8672EMS#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LT8672EMS#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 6EDM2003L06F15X1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRIVER BARE DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：
封装：
料号：P4-5235
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6EDM2003L06F15X1SA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F15X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F15X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F15X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 6EDM2003L06F20X1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRIVER BARE DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：
封装：
料号：P4-5236
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6EDM2003L06F20X1SA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F20X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F20X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F20X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： UCC27321PG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 15V
7逻辑电压7：1.1V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-5237
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC27321PG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27321PG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27321PG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27321PG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： UCC27322PG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 15V
7逻辑电压7：1.1V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-5238
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC27322PG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： 6EDM2003L06F30X1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRIVER BARE DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：
封装：
料号：P4-5239
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F30X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F30X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDM2003L06F30X1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DRV8323RHRGZR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC 3PHASE GATE DRIVER 48VQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6 V ~ 60 V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
5输入类型5：
外壳：48-VFQFN 裸露焊盘
封装：48-VQFN（7X7）
料号：P4-5240
包装： 带卷（TR）
￥9.76 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8323RHRGZR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8323RHRGZR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DRV8323RHRGZR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LTC7004EMSE#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
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外壳：10-TFSOP，10-MSOP(3.00mm宽裸露焊盘)
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料号：P4-5241
包装： 2500个/ 卷带
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型号： DRV8323RSRGZR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC 3PHASE GATE DRIVER 48VQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
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外壳：48-VFQFN 裸露焊盘
封装：48-VQFN（7X7）
料号：P4-5242
包装： 带卷（TR）
￥9.76 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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总额：
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LT8672IMS#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10MSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
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4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3V ~ 42V
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料号：P4-5243
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LT8672IMS#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BM6103FV-CE2
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 20SSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5 ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：-
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5 ~ 5.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：反相，非反相
外壳：20-LSSOP(6.10mm宽)
封装：20-SSOP-B
料号：P4-5244
包装： 2000个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BM6103FV-CE2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM6103FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM6103FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM6103FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 6EDL04I06NCX1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DVR 3-PH 600V DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5 ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：13 V ~ 17.5 V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：非反相
外壳：
封装：
料号：P4-5245
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6EDL04I06NCX1SA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL04I06NCX1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL04I06NCX1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL04I06NCX1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 6EDL04I06PCX1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DVR 3-PH 600V DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5 ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：13 V ~ 17.5 V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：非反相
外壳：
封装：
料号：P4-5246
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL04I06PCX1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL04I06PCX1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 6EDL04N06PCX1SA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DVR 3-PH 600V DIE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Melexis Technologies NV 制造商统称:未设定 制造商统称:Melexis Technologies NV 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.6A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6 V ~ 60 V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5: 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5 ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13 V ~ 17.5 V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：13 V ~ 17.5 V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：非反相
外壳：
封装：
料号：P4-5247
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6EDL04N06PCX1SA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL04N06PCX1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL04N06PCX1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL04N06PCX1SA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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