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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*电压 - 电源

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*输入类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： DGD05473FN-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：0.3V ~ 60V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，2.5A
5输入类型5：CMOS/TTL
外壳：10-WFDFN 裸露焊盘
封装：W-DFN3030-10
料号：P4-5308
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD05473FN-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD05473FN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD05473FN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD05473FN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DGD0506AFN-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，2A
5输入类型5：CMOS/TTL
外壳：10-WFDFN 裸露焊盘
封装：W-DFN3030-10
料号：P4-5309
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD0506AFN-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0506AFN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0506AFN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0506AFN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： DGD0507AFN-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，2A
5输入类型5：CMOS/TTL
外壳：10-WFDFN 裸露焊盘
封装：W-DFN3030-10
料号：P4-5310
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD0507AFN-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0507AFN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0507AFN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0507AFN-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCP81080DR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，800mA
5输入类型5：TTL
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5311
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81080DR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81080DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81080DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81080DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCP81080MNTBG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，800mA
5输入类型5：TTL
外壳：8-VFDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（2x2）
料号：P4-5312
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81080MNTBG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81080MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81080MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81080MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态：
型号： L6498DTR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HI-SIDE/LO-SIDE 8SO
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.45V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2.5A
5输入类型5：CMOS/TTL
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5313
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L6498DTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6498DTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6498DTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6498DTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MAX17606SFBEVKIT#
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述：
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
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7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
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外壳：
封装：
料号：P4-5921
包装：
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合作现货:0
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型号： MAX5048CAUT+
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述：
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：
封装：SOT23
料号：P4-5922
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5048CAUT+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5048CAUT+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5048CAUT+' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCP81075DR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8.5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5316
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81075DR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81075DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81075DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81075DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCP14A0454T-E/SN
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4.5A，4.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5315
包装： 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14A0454T-E/SN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0454T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0454T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0454T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态：
型号： UCC27712DR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.5V，1.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.8A，2.8A
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5317
包装： 2500个/ 卷带
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： A4919GETTR-T
品牌： Allegro/埃戈罗 Allegro 埃戈罗
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 28QFN
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 50V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
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外壳：28-VFQFN 裸露焊盘
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料号：P4-5318
包装： 1500个/ 卷带
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： A4919GETTR-5-T
品牌： Allegro/埃戈罗 Allegro 埃戈罗
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 28QFN
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 50V
7逻辑电压7：0.8V，1.5V
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5输入类型5：TTL
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封装：28-QFN（5x5）
料号：P4-5319
包装： 1500个/ 卷带
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型号： DRV8703QRHBTQ1
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： DRV8703QRHBTQ1
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：32-VFQFN 裸露焊盘
封装：32-VQFN（5X5）
料号：P4-5320
包装： 带卷（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DRV8703QRHBTQ1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： A4919GLPTR-5-T
品牌： Allegro/埃戈罗 Allegro 埃戈罗
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 28TSSOP
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 50V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：TTL
外壳：28-SOIC(4.40mm宽)裸露焊盘
封装：28-TSSOP-EP
料号：P4-5321
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A4919GLPTR-5-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Allegro/埃戈罗' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A4919GLPTR-5-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A4919GLPTR-5-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A4919GLPTR-5-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： PE29101A-X
品牌： pSemi pSemi
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:pSemi 制造商统称:未设定 制造商统称:pSemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，4A *5输入类型*5:CMOS/TTL
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 6.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，4A
5输入类型5：CMOS/TTL
外壳：模具
封装：模具
料号：P4-5322
包装： 500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PE29101A-X' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'pSemi' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PE29101A-X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PE29101A-X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PE29101A-X' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： A4928KLPTR-T
品牌： Allegro/埃戈罗 Allegro 埃戈罗
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24TSSOP
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:pSemi 制造商统称:未设定 制造商统称:pSemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，4A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:1.5V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 50V
7逻辑电压7：1.5V，3.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：24-TSSOP(4.40mm宽)裸露焊盘
封装：24-TSSOP-EP
料号：P4-5323
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'A4928KLPTR-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Allegro/埃戈罗' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A4928KLPTR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A4928KLPTR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'A4928KLPTR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UCC27511ADBVT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:pSemi 制造商统称:未设定 制造商统称:pSemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，4A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:1.5V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，8A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-23-6
料号：P4-5324
包装： 250个/ 卷带
￥3.71 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27511ADBVT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1SC0450E2B0-65
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:pSemi 制造商统称:未设定 制造商统称:pSemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，4A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:1.5V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:SCALE™-2 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:50A，50A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：14.5V ~ 15.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：50A，50A
5输入类型5：-
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5325
包装： 12个/ 托盘
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SC0450E2B0-65' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Power Integrations' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MAX5048CEVKIT#
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述：
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0.3V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，2A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，800mA *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.45V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2.5A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.5V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.8A，2.8A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，1.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列:带卷（TR） 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 系列: 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:pSemi 制造商统称:未设定 制造商统称:pSemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，4A *5输入类型*5:CMOS/TTL 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro/埃戈罗 制造商统称:Allegro MicroSystems 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 50V *7逻辑电压*7:1.5V，3.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:SCALE™-2 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:50A，50A *5输入类型*5:- 系列:MOSFET Drivers 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：
封装：
料号：P4-5923
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX5048CEVKIT#' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5048CEVKIT#' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5048CEVKIT#' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5048CEVKIT#' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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