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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*栅极类型

清除

*电压 - 电源

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 1ED44175N01BXTSA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：12.7V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，1.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.6A，2.6A
5输入类型5：非反相
外壳：SOT-23-6
封装：PG-SOT23-6-3
料号：P4-5492
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1ED44175N01BXTSA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1ED44175N01BXTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1ED44175N01BXTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1ED44175N01BXTSA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2ED2109S06FXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：CB，cCSAus，CE，CQ
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：PG-DSO-8-53
料号：P4-5493
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2ED2109S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED2109S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED2109S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED2109S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MCP14A0902T-E/SN
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5495
包装： 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14A0902T-E/SN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0902T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0902T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0902T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCP14A0901T-E/SN
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5496
包装： 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14A0901T-E/SN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MCP14A0902T-E/MS
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8MSOP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：P4-5497
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14A0902T-E/MS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0902T-E/MS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0902T-E/MS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0902T-E/MS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MCP14A0901T-E/MS
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8MSOP
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：P4-5498
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14A0901T-E/MS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/MS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/MS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/MS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2ED21064S06JXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRIVER DSO-14
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:-
1驱动配置1：高压侧和低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：CB，cCSAus，CE，CQ
5输入类型5：-
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：PG-DSO-14
料号：P4-5499
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2ED21064S06JXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED21064S06JXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED21064S06JXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED21064S06JXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2ED21091S06FXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRIVER DSO-8
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:-
1驱动配置1：高压侧和低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：CB，cCSAus，CE，CQ
5输入类型5：-
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：PG-DSO-8
料号：P4-5500
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2ED21091S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED21091S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED21091S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED21091S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MCP14A0901T-E/MNY
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8TDFN
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-WFDFN 裸露焊盘
封装：8-TDFN（2x3）
料号：P4-5501
包装： 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14A0901T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A0901T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2ED2182S06FXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，2.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：PG-DSO-8-69
料号：P4-5502
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2ED2182S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED2182S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED2182S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED2182S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
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7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
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料号：P4-5504
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品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相
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品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFN
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：反相
外壳：8-WFDFN 裸露焊盘
封装：8-TDFN（2x3）
料号：P4-5506
包装： 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14A1201T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A1201T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A1201T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： MCP14A1202T-E/MNY
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TDFN
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：非反相
外壳：8-WFDFN 裸露焊盘
封装：8-TDFN（2x3）
料号：P4-5507
包装： 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14A1202T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A1202T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14A1202T-E/MNY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： MP6539BGV-P
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： 100V, THREE-PHASE BLDC MOTOR PRE
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8.5V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：800mA，1A
5输入类型5：非反相
外壳：28-VFQFN 裸露焊盘
封装：28-QFN（4x5）
料号：P4-5508
包装： 500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP6539BGV-P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6539BGV-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6539BGV-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6539BGV-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MPQ6531GV-AEC1-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： 5V TO 60V, THREE-PHASE BRUSHLESS
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 60V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：800mA，1A
5输入类型5：非反相
外壳：28-VFQFN 裸露焊盘
封装：28-QFN（4x5）
料号：P4-5509
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ6531GV-AEC1-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ6531GV-AEC1-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ6531GV-AEC1-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ6531GV-AEC1-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2ED2183S06FXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.1V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，2.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：PG-DSO-8-53
料号：P4-5510
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2ED2183S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED2183S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED2183S06FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： NCV5703CDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：0.75V，4.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5512
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV5703CDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5703CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5703CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5703CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NCV5703BDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12.7V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:CB，cCSAus，CE，CQ *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.1V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：0.75V，4.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5513
包装： 2500个/ 卷带
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5703BDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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