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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

清除

*电压 - 电源

清除

逻辑电压 

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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： NCV5703ADR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：0.75V，4.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5514
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV5703ADR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5703ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5703ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5703ADR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TD310ID
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SO
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：3
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 16V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：反相，非反相
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SO
料号：P4-5516
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TD310ID' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TD310ID' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TD310ID' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TD310ID' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCP51820AMNTWG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI SPD
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：-
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 17V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：15-VFQFN
封装：15-QFN（4x4）
料号：P4-5517
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP51820AMNTWG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP51820AMNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP51820AMNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP51820AMNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MP6539BGF-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： 100V, THREE-PHASE BLDC MOTOR PRE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8.5V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：800mA，1A
5输入类型5：非反相
外壳：28-SOIC(4.40mm宽)裸露焊盘
封装：28-TSSOP-EP
料号：P4-5518
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP6539BGF-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6539BGF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6539BGF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP6539BGF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCV5702DR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：0.75V，4.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-5519
包装： 2500个/ 卷带（TR）卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV5702DR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5702DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5702DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV5702DR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： TMC6200-TA-T
品牌： Trinamic Motion Control GmbH
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 48TQFP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 60V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：CMOS
外壳：48-TQFP 裸露焊盘
封装：48-TQFP-EP（7x7）
料号：P4-5520
包装： 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TMC6200-TA-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Trinamic Motion Control GmbH' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC6200-TA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC6200-TA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC6200-TA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： TMC6100-LA-T
品牌： Trinamic Motion Control GmbH
描述： GATE DRIVER IC 8-60V QFN37
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：3
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 60V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：-
外壳：37-VFQFN 裸露焊盘
封装：37-QFN-EP（7x7）
料号：P4-5521
包装： 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TMC6100-LA-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Trinamic Motion Control GmbH' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC6100-LA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC6100-LA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TMC6100-LA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCV51705MNTWG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：SiC MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 22V
7逻辑电压7：1.2V，1.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：6A，6A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：24-VFQFN 裸露焊盘
封装：24-QFNW（4x4）
料号：P4-5522
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV51705MNTWG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV51705MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV51705MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV51705MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 2EDF9275FXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC IGBT DVR
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，SiC MOSFET
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：-，1.65V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，8A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：PG-DSO-16-11
料号：P4-5523
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2EDF9275FXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDF9275FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDF9275FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDF9275FXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 最后售卖
型号： HIP2211FRTZ-T7A
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： 100V/4A HI/LI HALF BRIDGE DRIVER
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6V ~ 18V
7逻辑电压7：1.47V，1.84V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：10-WDFN 裸露焊盘
封装：10-TDFN（4x4）
料号：P4-5524
包装： 250个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP2211FRTZ-T7A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2211FRTZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2211FRTZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2211FRTZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TLE92108231QXXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC MOSFET DRIVER ADAPTIVE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6V ~ 28V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：100mA，100mA
5输入类型5：非反相
外壳：48-VFQFN 裸露焊盘
封装：PG-VQFN-48-31
料号：P4-5525
包装： 2500个/ 卷带
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： BM60212FV-CE2
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧和低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 24V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4.5A，3.9A
5输入类型5：非反相
外壳：20-SSOP(6.10mm 宽)
封装：20-SSOP-BW
料号：P4-5526
包装： 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BM60212FV-CE2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM60212FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM60212FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM60212FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： BM60213FV-CE2
品牌： ROHM/罗姆 Rohm Semiconductor 罗姆半导体
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 24V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4.5A，3.9A
5输入类型5：非反相
外壳：20-SSOP(6.10mm 宽)
封装：20-SSOP-BW
料号：P4-5527
包装： 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'BM60213FV-CE2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ROHM/罗姆' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM60213FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM60213FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'BM60213FV-CE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： TLE92108232QXXUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC MOSFET DRIVER ADAPTIVE
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6V ~ 28V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：100mA，100mA
5输入类型5：非反相
外壳：48-VFQFN 裸露焊盘
封装：PG-VQFN-48-31
料号：P4-5528
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TLE92108232QXXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TLE92108232QXXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TLE92108232QXXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TLE92108232QXXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： LT8672EDDB#TRMPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 10DFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3V ~ 42V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：10-WFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x2）
料号：P4-5529
包装： 500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LT8672EDDB#TRMPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LT8672EDDB#TRMPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LT8672EDDB#TRMPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LT8672EDDB#TRMPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ISL78444AVEZ-T7A
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5530
包装： 250个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78444AVEZ-T7A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： ISL78424AVEZ-T7A
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5531
包装： 250个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78424AVEZ-T7A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78424AVEZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78424AVEZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： ISL78434AVEZ-T7A
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5532
包装： 250个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78434AVEZ-T7A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78434AVEZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78434AVEZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： NCD57000DWR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：24V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：7.8A，7.1A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-5533
包装： 1000个/ 卷带
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： NCD57001DWR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:800mA，1A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:0.75V，4.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:CMOS 系列: 制造商:Trinamic Motion Control GmbH 制造商统称:未设定 制造商统称:Trinamic Motion Control GmbH 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:- 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 22V *7逻辑电压*7:1.2V，1.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:EiceDriver™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，SiC MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.47V，1.84V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ROHM/罗姆 制造商统称:ROHM/罗姆 制造商统称:Rohm Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，3.9A *5输入类型*5:非反相 系列:MOTIX™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3V ~ 42V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：24V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：7.8A，7.1A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-5534
包装： 1000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCD57001DWR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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