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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： ZXGD3102T8TA
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HI-SIDE/LO-SIDE SM8
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 15V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，5A
5输入类型5：非反相
外壳：SOT-223-8
封装：SM8
料号：P4-5618
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3102T8TA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3102T8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3102T8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3102T8TA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： DGD0636S28-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRDG 28SO 1.5K
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：反相
外壳：28-SOIC(7.50mm 宽)
封装：28-SO
料号：P4-5619
包装： 1500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD0636S28-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0636S28-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0636S28-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD0636S28-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DGD23892S28-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： IC GATE DRV HALF-BRIDG 28SO 1.5K
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 15V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：350mA，650mA
5输入类型5：反相
外壳：28-SOIC(7.50mm 宽)
封装：28-SO
料号：P4-5620
包装： 1500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD23892S28-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD23892S28-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD23892S28-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD23892S28-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PCA9440HE-Q100Z
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： HALF BRIDGE W/ OPT DRIVER ACE-Q1
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：180-VFBGA
封装：180-VFBGA（8x8）
料号：P4-5621
包装： 1500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PCA9440HE-Q100Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PCA9440HE-Q100Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PCA9440HE-Q100Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PCA9440HE-Q100Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MC33883HEG
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：-
3驱动器数3：4
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 55V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SOIC
料号：P4-5622
包装： 38个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33883HEG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33883HEG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33883HEG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33883HEG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MC33GD3100A3EKR2
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IGBT GATE DRIVE IC
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.3V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：15A，15A
5输入类型5：-
外壳：32-BSSOP(7.50mm 宽)
封装：32-SOIC
料号：P4-5623
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33GD3100A3EKR2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33GD3100A3EKR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33GD3100A3EKR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33GD3100A3EKR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： MC33GD3100EKR2
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IGBT GATE DRIVE IC
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：15A，15A
5输入类型5：-
外壳：32-BSSOP(7.50mm 宽)
封装：32-SOIC
料号：P4-5624
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33GD3100EKR2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33GD3100EKR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33GD3100EKR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33GD3100EKR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： M57962L-71R-02
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IC GATE DRVR PWR MGMT MOSFET
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：14V ~ 15V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：非反相
外壳：14-SIP 模块，12 引线
封装：模块
料号：P4-5625
包装： 1个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'M57962L-71R-02' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'M57962L-71R-02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'M57962L-71R-02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'M57962L-71R-02' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： VLA546-01R
品牌： Powerex Inc. Powerex 鑫鸿电子
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：14V ~ 17V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：TTL
外壳：14-SIP 模块，10 引线
封装：-
料号：P4-5626
包装： 1个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VLA546-01R' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Powerex Inc.' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VLA546-01R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VLA546-01R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VLA546-01R' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： NCP81168MNTBG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.7V，3.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-VFDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（2x2）
料号：P4-5627
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81168MNTBG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81168MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81168MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81168MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NCP81156MNTBG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRV HALFBRDG/LO-SID 8DFN
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥，低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-VFDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（2x2）
料号：P4-5628
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP81156MNTBG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81156MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81156MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP81156MNTBG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RAA220001GNP#HA0
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： BUCK MOSFET DRIVER 8LD DFN 2 X 2
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-VFDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（2x2）
料号：P4-5629
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RAA220001GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA220001GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA220001GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA220001GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： HIP2106AIRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：1.3V，1.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-，4A
5输入类型5：-
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-5630
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP2106AIRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2106AIRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2106AIRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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型号： HIP2105FRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： SYNCH RECT BUCK MOSFET HI/LI INP
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：1.65V，1.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-5631
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP2105FRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2105FRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2105FRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2105FRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： HIP2106AIRZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：1.3V，1.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-，4A
5输入类型5：-
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-5632
包装： 1000个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP2106AIRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2106AIRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2106AIRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： HIP2105FRZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： SYNCH RECT BUCK MOSFET HI/LI INP
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：1.65V，1.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-5633
包装： 1000个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP2105FRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2105FRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2105FRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP2105FRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： RAA220002GNP#HA0
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： BUCK MOSFET DRIVER 12LD 3X3 EP T
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：12-WFDFN 裸露焊盘
封装：12-TDFN（3x3）
料号：P4-5634
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RAA220002GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA220002GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA220002GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA220002GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NJW4830U2-TE2
品牌： Nisshinbo/日清纺微 Nisshinbo(JRC) 日清纺微电子
描述： SINGLE HIGH SIDE SWITCH
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Nisshinbo/日清纺微 制造商统称:未设定 制造商统称:Nisshinbo Micro Devices Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.9V，2.64V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.6V ~ 40V
7逻辑电压7：0.9V，2.64V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：SOT-89-5/6
封装：SOT-89-5
料号：P4-5635
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NJW4830U2-TE2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nisshinbo/日清纺微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4830U2-TE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4830U2-TE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4830U2-TE2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NJW4832KH1-B-TE3
品牌： Nisshinbo/日清纺微 Nisshinbo(JRC) 日清纺微电子
描述： 1-CHANNEL HIGH SIDE SWITCH
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Nisshinbo/日清纺微 制造商统称:未设定 制造商统称:Nisshinbo Micro Devices Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.9V，2.64V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Nisshinbo/日清纺微 制造商统称:未设定 制造商统称:Nisshinbo Micro Devices Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.9V，2.64V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.6V ~ 40V
7逻辑电压7：0.9V，2.64V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（1.6x1.6）
料号：P4-5636
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NJW4832KH1-B-TE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nisshinbo/日清纺微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4832KH1-B-TE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4832KH1-B-TE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4832KH1-B-TE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NJW4832KH1-A-TE3
品牌： Nisshinbo/日清纺微 Nisshinbo(JRC) 日清纺微电子
描述： 1-CHANNEL HIGH SIDE SWITCH
参数： 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，650mA *5输入类型*5:反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 55V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:15A，15A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Powerex Inc. 制造商统称:未设定 制造商统称:Powerex Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:14V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:TTL 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，3.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1.65V，1.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Nisshinbo/日清纺微 制造商统称:未设定 制造商统称:Nisshinbo Micro Devices Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.9V，2.64V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Nisshinbo/日清纺微 制造商统称:未设定 制造商统称:Nisshinbo Micro Devices Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.9V，2.64V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Nisshinbo/日清纺微 制造商统称:未设定 制造商统称:Nisshinbo Micro Devices Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 40V *7逻辑电压*7:0.9V，2.64V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.6V ~ 40V
7逻辑电压7：0.9V，2.64V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：6-XFDFN 裸露焊盘
封装：6-DFN（1.6x1.6）
料号：P4-5637
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NJW4832KH1-A-TE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nisshinbo/日清纺微' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4832KH1-A-TE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4832KH1-A-TE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NJW4832KH1-A-TE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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