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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： FAN3224TM1X-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE DUAL 4A
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9.5V ~ 18V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-5658
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN3224TM1X-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3224TM1X-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3224TM1X-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3224TM1X-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： FAN3224TUM1X-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE DUAL 4A
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9.5V ~ 18V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：5A，5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-5659
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN3224TUM1X-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3224TUM1X-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3224TUM1X-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN3224TUM1X-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： NCP302055MNTWG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN31
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥，低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.7V，2.65V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：100mA，100mA
5输入类型5：非反相
外壳：31-PowerWFQFN
封装：31-PQFN（5x5）
料号：P4-5660
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP302055MNTWG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP302055MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP302055MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP302055MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NCP303151MNTWG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE PQFN39
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.65V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：100mA，100mA
5输入类型5：非反相
外壳：39-PowerVFQFN
封装：39-PQFN（5x6）
料号：P4-5661
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP303151MNTWG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303151MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303151MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303151MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： NCV51511PDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 16V
7逻辑电压7：2V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，6A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-5662
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV51511PDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV51511PDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV51511PDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV51511PDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： NCV57080CDR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC IGBT GATE DRIVER 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：6V，14V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：8A，8A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5663
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV57080CDR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV57080CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV57080CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV57080CDR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCP303150MNTWG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥，低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.65V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：100mA，100mA
5输入类型5：非反相
外壳：39-PowerVFQFN
封装：39-PQFN（5x6）
料号：P4-5664
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP303150MNTWG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303150MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303150MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303150MNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCP303150DMNTWG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC DRIVER/MOSFET 39PQFN
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥，低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.65V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：100mA，100mA
5输入类型5：非反相
外壳：39-PowerVFQFN
封装：39-PQFN（5x6）
料号：P4-5665
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP303150DMNTWG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303150DMNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303150DMNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP303150DMNTWG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： FAN1110-F085
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC IGNITION GATE DRIVER 8SOIC
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：-
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：4V ~ 28V
7逻辑电压7：2.4V，1.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5666
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN1110-F085' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN1110-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN1110-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN1110-F085' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： STSR2PCD
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，3.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-5667
包装： 100个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'STSR2PCD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STSR2PCD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STSR2PCD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'STSR2PCD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： NCD57001FDWR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： ISOLATED HIGH CURRENT AND HIGH E
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：24V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：7.8A，7.1A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-5668
包装： 1000个/ 卷带
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： ISL78434AVEZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5669
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78434AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78434AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78434AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78434AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL78444AVEZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5670
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78444AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78444AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78444AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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海外现货:0
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型号： ISL78424AVEZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5671
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78424AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78424AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78424AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78424AVEZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCV7520FPR2G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 32TQFP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100, FLEXMOS™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.75V ~ 5.25V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：32-TQFP 裸露焊盘
封装：32-TQFP-EP（5x5）
料号：P4-5672
包装： 3000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCV7520FPR2G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV7520FPR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV7520FPR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCV7520FPR2G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ISL78444AVEZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100, FLEXMOS™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5673
包装： 960个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78444AVEZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78444AVEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78444AVEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： ISL78434AVEZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100, FLEXMOS™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5674
包装： 960个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78434AVEZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78434AVEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78434AVEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDG 14HTSSOP
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100, FLEXMOS™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.1V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-5675
包装： 960个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL78424AVEZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78424AVEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL78424AVEZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： L9375TRLF
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE POWERSO-36
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100, FLEXMOS™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:8 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：同步
3驱动器数3：8
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.2V ~ 20V
7逻辑电压7：1V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：反相，非反相
外壳：36-PowerBSSOP(11.00mm 宽)
封装：PowerSO-36，底部焊盘
料号：P4-5676
包装： 600个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L9375TRLF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9375TRLF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9375TRLF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9375TRLF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： RAA229001GNP#HA0
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： DSKTOP 2OUT/8PH INTEL DIGI CONT
参数： 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.7V，2.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，6A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:6V，14V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A，8A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥，低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.65V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:100mA，100mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4V ~ 28V *7逻辑电压*7:2.4V，1.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，3.5A *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:7.8A，7.1A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100, FLEXMOS™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.1V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:8 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：12-WFDFN 裸露焊盘
封装：12-TDFN（3x3）
料号：P4-5677
包装： 4000个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA229001GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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