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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： 1SD312F2-CM900HB-90H
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：15.5V ~ 16.8V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：-
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5838
包装： 1个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SD312F2-CM900HB-90H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Power Integrations' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-CM900HB-90H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-CM900HB-90H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-CM900HB-90H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SD312F2-CM900HC-90H
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：15.5V ~ 16.8V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：-
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5839
包装： 1个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SD312F2-CM900HC-90H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Power Integrations' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-CM900HC-90H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-CM900HC-90H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-CM900HC-90H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： 1SD312F2-DIM600NSM45-F000
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：15.5V ~ 16.8V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：-
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5840
包装： 1个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SD312F2-DIM600NSM45-F000' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Power Integrations' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-DIM600NSM45-F000' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-DIM600NSM45-F000' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-DIM600NSM45-F000' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SD312F2-MBN900D45A
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：15.5V ~ 16.8V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：-
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5841
包装： 1个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SD312F2-MBN900D45A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Power Integrations' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-MBN900D45A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-MBN900D45A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-MBN900D45A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SD312F2-MG900GXH1US53
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：15.5V ~ 16.8V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：-
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5842
包装： 1个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SD312F2-MG900GXH1US53' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Power Integrations' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-MG900GXH1US53' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-MG900GXH1US53' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD312F2-MG900GXH1US53' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： 1SD418F2-5SNA1200E250100
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：14.5V ~ 15.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5843
包装： 1个/ 盒
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SD418F2-5SNA1200E250100' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Power Integrations' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD418F2-5SNA1200E250100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD418F2-5SNA1200E250100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SD418F2-5SNA1200E250100' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SD418F2-5SNA1200E330100
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
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品牌： Power Integrations Power Integrations
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1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
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4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
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外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5846
包装： 1个/ 盒
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品牌： Power Integrations Power Integrations
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品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
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外壳：模块
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料号：P4-5848
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
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1驱动配置1：半桥
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6电压-电源(v)6：14.5V ~ 15.5V
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品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
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描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
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合作现货:0
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品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
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1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
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7逻辑电压7：-
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外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5854
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合作现货:0
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品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：14.5V ~ 15.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：18A，18A
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外壳：模块
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料号：P4-5855
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型号： 1SD418F2-FZ1500R25KF1
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
参数： 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:15.5V ~ 16.8V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:- 系列:SCALE™-1 制造商:Power Integrations 制造商统称:未设定 制造商统称:Power Integrations 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:14.5V ~ 15.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:18A，18A *5输入类型*5:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：14.5V ~ 15.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：18A，18A
5输入类型5：-
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5856
包装： 1个/ 盒
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型号： 1SD418F2-FZ2400R17KF6
品牌： Power Integrations Power Integrations
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
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1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：14.5V ~ 15.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：18A，18A
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外壳：模块
封装：模块
料号：P4-5857
包装： 1个/ 盒
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