首页 >> 商品目录 >> 电源管理 >> 栅极驱动器
元器件型号：6417 件
当前类别共6417 件相关商品

系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

*驱动配置

清除

*通道类型

清除

*驱动器数

清除

*栅极类型

清除

*电压 - 电源

清除

逻辑电压 

清除

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

清除

*输入类型

清除

高压侧电压 - 最大值（自举）

清除

上升/下降时间（典型值）

清除

工作温度

清除

安装类型

清除
清除筛选 应用筛选 筛选结果： 6417
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 不适用于新设计
型号： AUIRS2118STR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：6V，9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-41
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRS2118STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRS2118STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRS2118STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRS2118STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRS2807DSTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：PG-DSO-8-903
料号：P4-42
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2807DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2807DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2807DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2807DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HIP4086AABZT
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：7V ~ 15V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：24-SOIC(7.50mm宽)
封装：24-SOIC
料号：P4-43
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP4086AABZT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4086AABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4086AABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4086AABZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： HIP4083ABZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：3
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：7V ~ 15V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：反相
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-44
包装： 960个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP4083ABZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4083ABZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 最后售卖
型号： EL7457CLZ-T7A
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QFN
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-45
包装： 250个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CLZ-T7A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CLZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EL7457CUZ-T7A
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16QSOP
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SSOP(3.90mm宽)
封装：16-QSOP
料号：P4-46
包装： 250个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CUZ-T7A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CUZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ISL89164FBEAZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 16V
7逻辑电压7：1.22V，2.08V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：6A，6A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-47
包装： 980个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL89164FBEAZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89164FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89164FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL89164FBEAZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6614ACRZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-48
包装： 75个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614ACRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614ACRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 最后售卖
型号： EL7457CSZ-T7A
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(3.90mm宽)
封装：16-SOIC
料号：P4-49
包装： 250个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7457CSZ-T7A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7457CSZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EL7158ISZ-T13
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 12V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-50
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7158ISZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ISL2111ABZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 14V
7逻辑电压7：1.4V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-51
包装： 98个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL2111ABZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111ABZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111ABZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2111ABZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： HIP4080AIBT
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9.5V ~ 15V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.6A，2.4A
5输入类型5：非反相
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SOIC
料号：P4-52
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP4080AIBT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4080AIBT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4080AIBT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4080AIBT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： HIP4081AIBT
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9.5V ~ 15V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.6A，2.4A
5输入类型5：非反相
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SOIC
料号：P4-53
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP4081AIBT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4081AIBT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4081AIBT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4081AIBT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EL7158ISZ-T7
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 12V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-54
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7158ISZ-T7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： HIP4080AIB
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9.5V ~ 15V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.6A，2.4A
5输入类型5：非反相
外壳：20-SOIC(7.50mm 宽)
封装：20-SOIC
料号：P4-55
包装： 380个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP4080AIB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4080AIB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4080AIB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4080AIB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： L9915
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC IGBT SMART PWR DRIVER
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 高压侧电压 - 最大值（自举）: 上升/下降时间（典型值）:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：
封装：
料号：P4-56
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L9915' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9915' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9915' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9915' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： HIP4086ABT
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 高压侧电压 - 最大值（自举）: 上升/下降时间（典型值）: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：7V ~ 15V
7逻辑电压7：1V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：24-SOIC(7.50mm宽)
封装：24-SOIC
料号：P4-57
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP4086ABT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4086ABT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4086ABT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP4086ABT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： EL7158ISZ-T7A
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 高压侧电压 - 最大值（自举）: 上升/下降时间（典型值）: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 12V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：12A，12A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-58
包装： 250个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7158ISZ-T7A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7158ISZ-T7A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： L9915A
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC IGBT SMART PWR DRIVER
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 高压侧电压 - 最大值（自举）: 上升/下降时间（典型值）: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 高压侧电压 - 最大值（自举）: 上升/下降时间（典型值）:
1驱动配置1：
2通道类型2：
3驱动器数3：
4栅极类型4：
6电压-电源(v)6：
7逻辑电压7：
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：
5输入类型5：
外壳：
封装：
料号：P4-59
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L9915A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9915A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9915A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L9915A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IRS10752LTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V，9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，25ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:35ns，30ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.22V，2.08V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:6A，6A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13.5ns，13ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:9ns，7.5ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.6A，2.4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 高压侧电压 - 最大值（自举）: 上升/下降时间（典型值）: 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:7V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:95 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A，12A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:12ns，12.2ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1: *2通道类型*2: *3驱动器数*3: *4栅极类型*4: *6电压-电源(v)*6: *7逻辑电压*7: *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8: *5输入类型*5: 高压侧电压 - 最大值（自举）: 上升/下降时间（典型值）: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:160mA，240mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，40ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：160mA，240mA
5输入类型5：非反相
外壳：SOT-23-6
封装：PG-SOT23-6
料号：P4-60
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS10752LTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS10752LTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS10752LTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS10752LTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
  共有6417个记录    每页显示20条，本页41-60条    3/321页    首 页    上一页   1  2  3  4  5  6  7   下一页    尾 页      
复制成功

IC型号索引 ：

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

业务介绍

芯片采购
芯片丝印
商品选型
芯片烧录
开发工具
Bom采购
SMT贴片

购物指南

注册登录
找回密码
购物流程
常见问题
支付方式
配送方式

联系我们

直线：0755-28435922
总部地址：广东省深圳市龙岗区坂田上雪村金鹏工业区新一栋5楼
联系我们
公司简介

关注我们

微信扫码
辰科物联介绍

粤公网安备 号

粤ICP备2023141824号-1

Copyright © 2002-2025 深圳市辰科物联有限公司 版权所有

销售在线 销售在线 工程师在线 工程师在线 电话咨询

销售在线

刘s:2355289363

手机: 15074164838

销售在线

陈s:2355289368

手机: 13510573285

工程师在线

吴工:2355289360

手机: 13824329149

工程师在线

陈工:2355289365

手机: 15818753382

电话咨询

0755-28435922