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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： TCK423G,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： LOAD SWITCH (GATE DRIVER) IC WCS
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：2.7V ~ 28V
7逻辑电压7：0.4V，1.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：6-XFBGA，WLCSP
封装：6-WCSPG（0.8x1.2）
料号：P4-6166
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TCK423G,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK423G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK423G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK423G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： TCK422G,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： LOAD SWITCH (GATE DRIVER) IC WCS
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：2.7V ~ 28V
7逻辑电压7：0.4V，1.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：6-XFBGA，WLCSP
封装：6-WCSPG（0.8x1.2）
料号：P4-6167
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TCK422G,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK422G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK422G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK422G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： TCK420G,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： LOAD SWITCH (GATE DRIVER) IC WCS
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：2.7V ~ 28V
7逻辑电压7：0.4V，1.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：6-XFBGA，WLCSP
封装：6-WCSPG（0.8x1.2）
料号：P4-6168
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TCK420G,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK420G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK420G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK420G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： LF2104NTR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： GATE DRIVER HALF BRIDGE 0.13A
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-6169
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LF2104NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2104NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2104NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2104NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： LF2101NTR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： GATE DRIVER HIGH/LOW SIDE 0.13A
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-6170
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LF2101NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2101NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2101NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2101NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： LF2106NTR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： GATE DRIVER HIGH/LOW SIDE 0.13A
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.6V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-6171
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LF2106NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2106NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2106NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2106NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1EDN7136GXTMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： INT. POWERSTAGE/DRIVER PG-VSON-1
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.2V ~ 11V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：PG-VSON-10-4
料号：P4-6172
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1EDN7136GXTMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EDN7136GXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EDN7136GXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1EDN7136GXTMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： LF2304NTR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： GATE DRIVER HALF BRIDGE 0.06A
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.7V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-6173
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LF2304NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2304NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2304NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2304NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： LF21064NTR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： GATE DRIVER HIGH/LOW SIDE 0.13A
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.6V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-6174
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LF21064NTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF21064NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF21064NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF21064NTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： LF2136BTR
品牌： IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述： GATE DRIVER HALF BRIDGE 3P 0.12A
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：3
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：28-SOIC(7.50mm 宽)
封装：28-SOIC
料号：P4-6175
包装： 1500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LF2136BTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2136BTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2136BTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LF2136BTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： UCD7100APWP
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： DIGITAL CONTROL COMPATIBLE SINGL
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.25V ~ 14.5V
7逻辑电压7：1.5V，1.65V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽裸露焊盘)
封装：14-HTSSOP
料号：P4-6176
包装： 90个/ 管件
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 4DUC51016CFA2
品牌： Tamura
描述： GATE DRIVER UNIT FOR FUJI ELECTR
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：13V ~ 28V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
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外壳：模块
封装：模块
料号：P4-6177
包装： 20个/ 托盘
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合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 4DUC51016CFA1
品牌： Tamura
描述： GATE DRIVER UNIT FOR FUJI ELECTR
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：IGBT
6电压-电源(v)6：13V ~ 28V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：模块
封装：模块
料号：P4-6178
包装： 20个/ 托盘
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最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 2QG010DDC11N
品牌： Tamura
描述： GATE DRIVER FOR2MBI1800XXG170-50
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：-
封装：-
料号：P4-6179
包装： 20个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2QG010DDC11N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2QG010DDC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2QG020DDC11N
品牌： Tamura
描述： GATE DRIVER FOR FF1800R17IP5
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：-
封装：-
料号：P4-6180
包装： 20个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2QG020DDC11N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2QG020DDC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2QG020DDC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2QG020DDC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TCK421G,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： GATE DRIVER IC VIN:2.7-28V OVLO
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧和低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：2.7V ~ 28V
7逻辑电压7：0.4V，1.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：6-XFBGA，WLCSP
封装：6-WCSPG（0.8x1.2）
料号：P4-6181
包装： 5000个/ 卷带
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK421G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK421G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TCK421G,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： NCP51100ASNT1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： SINGLE 2 A HIGH-SPEED, LOW-SIDE
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 18V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：11V ~ 18V
7逻辑电压7：2V，0.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，3A
5输入类型5：非反相
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SOT-23-5
料号：P4-6182
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP51100ASNT1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP51100ASNT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP51100ASNT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP51100ASNT1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MP1909GTL-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： 30V, 2.2MHZ, 2A HALF-BRIDGE GATE
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 18V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2 V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 12V
7逻辑电压7：0.8V，2.2 V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：SOT-583
封装：SOT-583
料号：P4-6183
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP1909GTL-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1909GTL-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1909GTL-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1909GTL-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： AOZ7200CI
品牌： AOS/万代 AOS 万代
描述： ALPHAZBL, ACTIVE BRIDGE RECTIFIE
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 18V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2 V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:300mA，300mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：全桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：18V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：300mA，300mA
5输入类型5：非反相
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SOT-23-5
料号：P4-6184
包装： 3000个/ 卷带
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： DRV8300DIPWR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： 100-V MAX SIMPLE 3-PHASE GATE DR
参数： 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列:EiceDRIVER™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.2V ~ 11V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.6V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 14.5V *7逻辑电压*7:1.5V，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:Tamura 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 系列: 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 28V *7逻辑电压*7:0.4V，1.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 18V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:MPS/芯源 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2 V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:AOS/万代 制造商统称:AOS/万国半导体 制造商统称:Alpha Omega Semi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:300mA，300mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:750mA，1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧和低压侧
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：3
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：750mA，1.5A
5输入类型5：非反相
外壳：20-TSSOP(4.40mm宽)
封装：20-TSSOP
料号：P4-6185
包装： 3000个/ 卷带
￥2.39 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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