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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

清除

*电压 - 电源

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逻辑电压 

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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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上升/下降时间（典型值）

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 6417
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 2EDF7275KXUMA2
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DRIVER IC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：-，1.65V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，8A
5输入类型5：非反相
外壳：13-TFLGA
封装：PG-TFLGA-13-1
料号：P4-6266
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2EDF7275KXUMA2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDF7275KXUMA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDF7275KXUMA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDF7275KXUMA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： TDA21520AUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IFX POWERSTAGE/DRIVER PG-IQFN-25
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.25V ~ 16V
7逻辑电压7：2V，0.8V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：20A，20A
5输入类型5：非反相
外壳：25-PowerTFQFN
封装：PG-IQFN-25-1
料号：P4-6267
包装： 6000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TDA21520AUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21520AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21520AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21520AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： FAN73912AMX
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： 1200V HIGH-CURRENT, HALF-BRIDGE,
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns
1驱动配置1：高压侧和低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：1.2V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4.5A，4.5A
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-6268
包装： 1000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'FAN73912AMX' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73912AMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73912AMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'FAN73912AMX' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MPQ1922GV-AEC1-P
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： 100V, 3A, HALF-BRIDGE PRE-DRIVER
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：0V ~ 100V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：22-VFQFN 裸露焊盘
封装：22-QFN（4x5）
料号：P4-6269
包装： 500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ1922GV-AEC1-P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ1922GV-AEC1-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ1922GV-AEC1-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ1922GV-AEC1-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： MPQ1922GVE-AEC1-P
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： 100V, 3A, HALF-BRIDGE PRE-DRIVER
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：0V ~ 100V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：22-VFQFN 裸露焊盘
封装：22-QFN（4x5）
料号：P4-6270
包装： 500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPQ1922GVE-AEC1-P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ1922GVE-AEC1-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ1922GVE-AEC1-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPQ1922GVE-AEC1-P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
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状态： 在售
型号： 2EDS8265HXUMA3
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： DRIVER IC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：20V
7逻辑电压7：-，1.65V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，8A
5输入类型5：非反相
外壳：16-SOIC(7.50mm宽)
封装：PG-DSO-16-30
料号：P4-6271
包装： 1500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2EDS8265HXUMA3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDS8265HXUMA3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDS8265HXUMA3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2EDS8265HXUMA3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TDA21535AUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IFX POWERSTAGE/DRIVER
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：-
2通道类型2：-
3驱动器数3：-
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：-
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：-
外壳：-
封装：-
料号：P4-6272
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TDA21535AUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： UCC27282QDQ1
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： 120V LOW COST HS/LS DRIVER- D PK
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 16V
7逻辑电压7：0.9V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，3.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-6273
包装： 75个/ 管件
￥9.58 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC27282QDQ1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27282QDQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27282QDQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27282QDQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UCC27282QDDAQ1
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： AUTOMOTIVE 3-A, 120-V HALF BRIDG
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 16V
7逻辑电压7：1.3V，1.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，3.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-6274
包装： 75个/ 管件
￥9.58 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC27282QDDAQ1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27282QDDAQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27282QDDAQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27282QDDAQ1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LTC7062EMSE#PBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： 100V DUAL HIGH-SIDE MOSFET GATE
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 14V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：12-TSSOP(3.00mm宽裸露焊盘)
封装：12-MSOP-EP
料号：P4-6275
包装： 37个/ 管件
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7062EMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7062EMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7062EMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7062EMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： LTC7067RMSE#PBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： 25A, 20V SYNC BUCK REGULATOR
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：140V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，3A
5输入类型5：非反相
外壳：12-TSSOP(3.00mm宽裸露焊盘)
封装：12-MSOP-EP
料号：P4-6276
包装： 37个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7067RMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7067RMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7067RMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7067RMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： RAA2270634GNP#HA0
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： THREE PHASE 60V MOTOR DRIVER, 7X
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：3
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 60V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：48-WFQFN 裸露焊盘
封装：48-QFN（7x7）
料号：P4-6277
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RAA2270634GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2270634GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2270634GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2270634GNP#HA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LTC7000ARMSE-1#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.5V ~ 135V
7逻辑电压7：1.8V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：16-TFSOP(3.00mm宽)12引线裸露焊盘
封装：16-MSOP-EP
料号：P4-6278
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7000ARMSE-1#TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE-1#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE-1#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE-1#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： LTC7000ARMSE#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.5V ~ 135V
7逻辑电压7：1.8V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：16-TFSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：16-MSOP-EP
料号：P4-6279
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7000ARMSE#TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： TDA21570AUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IFX POWERSTAGE/DRIVER PG-IQFN-39
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:29 V 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：高压侧和低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：1
4栅极类型4：-
6电压-电源(v)6：4.25V ~ 16V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：39-PowerVFQFN
封装：PG-IQFN-39
料号：P4-6280
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TDA21570AUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21570AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21570AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21570AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： RAA2261104GNP#MA0
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： LOW SIDE GAN DRIVER, 4X4 QFN, T&
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:29 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，31ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.5V ~ 18V
7逻辑电压7：1.6V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，1.2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-6281
包装： 250个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RAA2261104GNP#MA0' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2261104GNP#MA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2261104GNP#MA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2261104GNP#MA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： LTC7000IMSE#WTRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:29 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，31ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.5V ~ 135V
7逻辑电压7：1.8V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：16-TFSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：16-MSOP-EP
料号：P4-6282
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7000IMSE#WTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE#WTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE#WTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE#WTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LTC7000IMSE-1#WTRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:29 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，31ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.5V ~ 135V
7逻辑电压7：1.8V，1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：16-TFSOP(3.00mm宽)12引线裸露焊盘
封装：16-MSOP-EP
料号：P4-6283
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7000IMSE-1#WTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE-1#WTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE-1#WTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE-1#WTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 2ED4820EMXUMA2
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： 48 V SMART HIGH-SIDE MOSFET GATE
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:29 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，31ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V ~ 70V *7逻辑电压*7:0.4V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:300mA，1.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:3µs，3µs （最大）
1驱动配置1：高端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：20V ~ 70V
7逻辑电压7：0.4V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：300mA，1.3A
5输入类型5：非反相
外壳：24-TSSOP(3.90mm宽)裸露焊盘
封装：PG-TSDSO-24
料号：P4-6284
包装： 3000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2ED4820EMXUMA2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED4820EMXUMA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED4820EMXUMA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2ED4820EMXUMA2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DHP1050N10N5AUMA1
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： INT. POWERSTAGE/DRIVER, PG-IQFN-
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:2V，0.8V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:20A，20A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:1.2V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A，4.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:25ns，20ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:0V ~ 100V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V *7逻辑电压*7:-，1.65V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:6.5ns，4.5ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.9V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:1.3V，1.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，3.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:120 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，10ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 14V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:115 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:140V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:18ns，14ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:40ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧和低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:29 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:30ns，31ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V，1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:14 V 上升/下降时间（典型值）:90ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:20V ~ 70V *7逻辑电压*7:0.4V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:300mA，1.3A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:3µs，3µs （最大） 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 17V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:90 V 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：单路
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 17V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：36-PowerVFQFN
封装：PG-IQFN-36-1
料号：P4-6285
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DHP1050N10N5AUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHP1050N10N5AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHP1050N10N5AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DHP1050N10N5AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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