元器件型号:6417
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

清除

*电压 - 电源

清除

逻辑电压 

清除

电流 - 峰值输出(灌入,拉出)

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*输入类型

清除

高压侧电压 - 最大值(自举)

清除

上升/下降时间(典型值)

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工作温度

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清除筛选 应用筛选 筛选结果: 6417
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: TDA21490AUMA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IFX POWERSTAGE/DRIVER
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.25V ~ 16V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:90A,70A
5输入类型5:非反相
外壳:39-PowerVFQFN
封装:PG-IQFN-39
料号:P4-6286
包装: 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TDA21490AUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21490AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21490AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TDA21490AUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: 6EDL7141XUMA1
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: 3-PHASE SMART GATE DRIVE CONTROL
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:3
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5.5V ~ 60V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:48-VFQFN 裸露焊盘
封装:PG-VQFN-48-78
料号:P4-6287
包装: 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '6EDL7141XUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL7141XUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL7141XUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '6EDL7141XUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: RAA2261104GNP#AA0
品牌: Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述: LOW SIDE GAN DRIVER, 4X4 QFN, BU
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:6.5V ~ 18V
7逻辑电压7:1.6V,2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,1.2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-6288
包装: 1个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'RAA2261104GNP#AA0' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2261104GNP#AA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2261104GNP#AA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RAA2261104GNP#AA0' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: CONTROLLER
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:3
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5.5V ~ 60V
7逻辑电压7:1.045V,3.85V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:64-WFQFN 裸露焊盘
封装:PG-VQFN-64-8
料号:P4-6289
包装: 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMD700AQ064X128AAXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD700AQ064X128AAXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD700AQ064X128AAXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD700AQ064X128AAXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: LTC7000ARMSE#PBF
品牌: ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述: FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
1驱动配置1:高端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:3.5V ~ 135V
7逻辑电压7:1.8V,1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:非反相
外壳:16-TFSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装:16-MSOP-EP
料号:P4-6290
包装: 37个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7000ARMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: LTC7000ARMSE-1#PBF
品牌: ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述: FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
1驱动配置1:高端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:3.5V ~ 135V
7逻辑电压7:1.8V,1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:非反相
外壳:16-TFSOP(3.00mm宽)12引线裸露焊盘
封装:16-MSOP-EP
料号:P4-6291
包装: 37个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7000ARMSE-1#PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE-1#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE-1#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000ARMSE-1#PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: LTC7000IMSE#WPBF
品牌: ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述: FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
1驱动配置1:高端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:3.5V ~ 135V
7逻辑电压7:1.8V,1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:非反相
外壳:16-TFSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装:16-MSOP-EP
料号:P4-6292
包装: 37个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7000IMSE#WPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE#WPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE#WPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE#WPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: LTC7000IMSE-1#WPBF
品牌: ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述: FAST 150V PROTECTED HI SIDE NMOS
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns
1驱动配置1:高端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:3.5V ~ 135V
7逻辑电压7:1.8V,1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:非反相
外壳:16-TFSOP(3.00mm宽)12引线裸露焊盘
封装:16-MSOP-EP
料号:P4-6293
包装: 37个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC7000IMSE-1#WPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE-1#WPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE-1#WPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC7000IMSE-1#WPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: CONTROLLER
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:3
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5.5V ~ 60V
7逻辑电压7:1.045V,3.85V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:64-WFQFN 裸露焊盘
封装:PG-VQFN-64-8
料号:P4-6294
包装: 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IMD701AQ064X128AAXUMA1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD701AQ064X128AAXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD701AQ064X128AAXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IMD701AQ064X128AAXUMA1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: 2CG010BBC12N
品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER (CORE, +15/,-15V)
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:-
2通道类型2:-
3驱动器数3:-
4栅极类型4:-
6电压-电源(v)6:-
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:-
外壳:-
封装:-
料号:P4-6295
包装: 30个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2CG010BBC12N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC12N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC12N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: 2CG010DBC12N
品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER (CORE, +15/,-15V)
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:-
2通道类型2:-
3驱动器数3:-
4栅极类型4:-
6电压-电源(v)6:-
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:-
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型号: 2CG010BBC13N
品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER (CORE, +18/,-4V)
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:-
2通道类型2:-
3驱动器数3:-
4栅极类型4:-
6电压-电源(v)6:-
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:-
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC13N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC13N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER (CORE, +15V,-10V)
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:-
2通道类型2:-
3驱动器数3:-
4栅极类型4:-
6电压-电源(v)6:-
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:-
外壳:-
封装:-
料号:P4-6298
包装: 30个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2CG010DBC11N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
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品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER (CORE, +15V,-10V)
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:-
2通道类型2:-
3驱动器数3:-
4栅极类型4:-
6电压-电源(v)6:-
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:-
外壳:-
封装:-
料号:P4-6299
包装: 30个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2CG010BBC11N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 2CG010BBC14N
品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER (CORE, +18/,-2V)
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:-
2通道类型2:-
3驱动器数3:-
4栅极类型4:-
6电压-电源(v)6:-
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:-
外壳:-
封装:-
料号:P4-6300
包装: 30个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2CG010BBC14N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC14N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC14N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2CG010BBC14N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: 2DUD51008CXE1
品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER UNIT (WITHOUT GATE R
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT
6电压-电源(v)6:13V ~ 28V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:非反相
外壳:模块
封装:模块
料号:P4-6301
包装: 30个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2DUD51008CXE1' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2DUD51008CXE1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2DUD51008CXE1' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: 2PG010DDC11N
品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER FOR2MBI1800XXF170-50
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:-
2通道类型2:-
3驱动器数3:-
4栅极类型4:-
6电压-电源(v)6:-
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:-
外壳:-
封装:-
料号:P4-6302
包装: 20个/ 托盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2PG010DDC11N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2PG010DDC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2PG010DDC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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品牌: Tamura
描述: GATE DRIVER FOR2MBI1800XXF170-50
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):-
1驱动配置1:-
2通道类型2:-
3驱动器数3:-
4栅极类型4:-
6电压-电源(v)6:-
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:-
外壳:-
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料号:P4-6303
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SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '2PG010DCC11N' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Tamura' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2PG010DCC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '2PG010DCC11N' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: DGD1003FTA-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: HV GATE DRIVER V-DFN3035-8(TYPE
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA,600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):150 V 上升/下降时间(典型值):70ns,35ns
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:290mA,600mA
5输入类型5:非反相
外壳:8-VDFN
封装:V-DFN3035-8
料号:P4-6304
包装: 5000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DGD1003FTA-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD1003FTA-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD1003FTA-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DGD1003FTA-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ZXGD3004E6QTA
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANSISTOR GATE DRIVER SOT26 T&R
参数: 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.25V ~ 16V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:90A,70A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1.6V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,1.2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):30ns,31ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 135V *7逻辑电压*7:1.8V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):14 V 上升/下降时间(典型值):90ns,40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:3 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 60V *7逻辑电压*7:1.045V,3.85V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:13V ~ 28V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:未设定 制造商统称:Tamura 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:- *2通道类型*2:- *3驱动器数*3:- *4栅极类型*4:- *6电压-电源(v)*6:- *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:- 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):- 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA,600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):150 V 上升/下降时间(典型值):70ns,35ns 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:40V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:8A,8A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值(自举):- 上升/下降时间(典型值):14ns,14ns
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:40V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:8A,8A
5输入类型5:非反相
外壳:SOT-23-6
封装:SOT-26
料号:P4-6305
包装: 3000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ZXGD3004E6QTA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3004E6QTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3004E6QTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ZXGD3004E6QTA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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