元器件型号:6417
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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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电流 - 峰值输出(灌入,拉出)

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*输入类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: TC4627COE
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-901
包装: 47个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4627COE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627COE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627COE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627COE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MIC5020YM-TR
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:11V ~ 50V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-902
包装: 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIC5020YM-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC5020YM-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC5020YM-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC5020YM-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MCP14E6-E/P
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-903
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14E6-E/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14E6-E/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14E6-E/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14E6-E/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: TC4424VMF
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:非反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-904
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4424VMF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4424VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4424VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4424VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TC4423VMF
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-905
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4423VMF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4423VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4423VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4423VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TC4425VMF
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-906
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4425VMF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MCP14E11-E/SN
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-907
包装: 100个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP14E11-E/SN' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14E11-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14E11-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP14E11-E/SN' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MD1810K6-G
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 12V
7逻辑电压7:0.3V,1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-908
包装: 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MD1810K6-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1810K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1810K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1810K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MD1811K6-G
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 12V
7逻辑电压7:0.3V,1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-909
包装: 3300个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MD1811K6-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1811K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1811K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1811K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: TC4451VMF
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:13A,13A
5输入类型5:反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-910
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4451VMF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4451VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4451VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4451VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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型号: TC4451VMF713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:13A,13A
5输入类型5:反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-911
包装: 3300个/ 卷带(TR)
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合作现货:0
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型号: TC4452VMF
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:13A,13A
5输入类型5:非反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-912
包装: 60个/ 管件
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4452VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4452VMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号: TC4452VMF713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:13A,13A
5输入类型5:非反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-913
包装: 3300个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4452VMF713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号: MCP1404-E/P
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:4.5A,4.5A
5输入类型5:非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-914
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MCP1404-E/P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP1404-E/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP1404-E/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MCP1404-E/P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MIC4422AZT
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:9A,9A
5输入类型5:非反相
外壳:TO-220-5
封装:TO-220-5
料号:P4-915
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIC4422AZT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4422AZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4422AZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4422AZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: IXDD614SITR
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 35V
7逻辑电压7:0.8V,3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:14A,14A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装:8-SOIC-EP
料号:P4-916
包装: 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDD614SITR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: IXDI614SITR
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 35V
7逻辑电压7:0.8V,3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:14A,14A
5输入类型5:反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装:8-SOIC-EP
料号:P4-917
包装: 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDI614SITR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI614SITR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDI614SITR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
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型号: IXDN614SITR
品牌: IXYS/艾赛斯 IXYS Littelfuse/力特
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 35V
7逻辑电压7:0.8V,3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:14A,14A
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装:8-SOIC-EP
料号:P4-918
包装: 2000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IXDN614SITR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'IXYS/艾赛斯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN614SITR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN614SITR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IXDN614SITR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TC4425COE
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-919
包装: 47个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4425COE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425COE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425COE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425COE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: TC4424COE713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 50V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:13A,13A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4.5A,4.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:IXYS/艾赛斯 制造商统称:未设定 制造商统称:IXYS Integrated Circuits Division 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 35V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:14A,14A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-920
包装: 1000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4424COE713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4424COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4424COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4424COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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