元器件型号:6417
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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: TC4423COE713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-921
包装: 1000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4423COE713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4423COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4423COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4423COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: TC4425COE713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:3A,3A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-922
包装: 1000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4425COE713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4425COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: TC4422EMF
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:9A,9A
5输入类型5:非反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-923
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4422EMF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4422EMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4422EMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4422EMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态:
型号: TC4421EMF
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:9A,9A
5输入类型5:反相
外壳:8-VDFN 裸露焊盘
封装:8-DFN-S(6x5)
料号:P4-924
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4421EMF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4421EMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4421EMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4421EMF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MD1812K6-G
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 13V
7逻辑电压7:0.3V,1.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-VQFN 裸露焊盘
封装:16-QFN(4x4)
料号:P4-925
包装: 3300个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MD1812K6-G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1812K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1812K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MD1812K6-G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TC4627CPA
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-926
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4627CPA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627CPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627CPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627CPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: TC4626CPA
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-927
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4626CPA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626CPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: TC4626COE713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-928
包装: 1000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4626COE713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: TC4627COE713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-929
包装: 1000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4627COE713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627COE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: TC4422CAT
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:9A,9A
5输入类型5:非反相
外壳:TO-220-5
封装:TO-220-5
料号:P4-930
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4422CAT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4422CAT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4422CAT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4422CAT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号: TC4627EOE
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-931
包装: 47个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4627EOE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EOE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EOE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EOE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TC4626EOE
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-932
包装: 47个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4626EOE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EOE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EOE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EOE' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: TC4627EPA
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-933
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4627EPA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: TC4626EPA
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-934
包装: 60个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4626EPA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EPA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: TC4626EOE713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-935
包装: 1000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4626EOE713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EOE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EOE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4626EOE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: TC4627EOE713
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4V ~ 6V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.5A,1.5A
5输入类型5:非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-936
包装: 1000个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4627EOE713' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EOE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EOE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4627EOE713' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: MIC4452ZT
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:12A,12A
5输入类型5:非反相
外壳:TO-220-5
封装:TO-220-5
料号:P4-937
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIC4452ZT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4452ZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4452ZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MIC4452ZT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: TC4467EOE
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.2A,1.2A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.2A,1.2A
5输入类型5:反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-938
包装: 47个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TC4467EOE' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号: MIC4469ZWM
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.2A,1.2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.2A,1.2A *5输入类型*5:反相,非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:4
4栅极类型4:N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1.2A,1.2A
5输入类型5:反相,非反相
外壳:16-SOIC(7.50mm宽)
封装:16-SOIC
料号:P4-939
包装: 47个/ 管件管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MIC4469ZWM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: TC4422VAT
品牌: Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述: IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
参数: 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A,3A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 13V *7逻辑电压*7:0.3V,1.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A,1.5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:12A,12A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.2A,1.2A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.2A,1.2A *5输入类型*5:反相,非反相 系列: 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip/微芯 制造商统称:Microchip Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V,2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A,9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:低端
2通道类型2:单路
3驱动器数3:1
4栅极类型4:IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:4.5V ~ 18V
7逻辑电压7:0.8V,2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:9A,9A
5输入类型5:非反相
外壳:TO-220-5
封装:TO-220-5
料号:P4-940
包装: 50个/ 管件
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4422VAT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TC4422VAT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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