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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*电压 - 电源

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： IRS44262STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：11.2V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.3A，3.3A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-101
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS44262STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS44262STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS44262STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS44262STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MP18021HN-A-LF-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，2.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOICE
料号：P4-102
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP18021HN-A-LF-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HN-A-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HN-A-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HN-A-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MP18021HN-LF-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 16V
7逻辑电压7：1V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，2.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOICE
料号：P4-103
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP18021HN-LF-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HN-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HN-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HN-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IRS25091SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-104
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS25091SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS25091SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS25091SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS25091SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MP18021HQ-A-LF-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，2.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-VDFN 裸露焊盘
封装：8-QFN（3x3）
料号：P4-105
包装： 5000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP18021HQ-A-LF-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HQ-A-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HQ-A-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP18021HQ-A-LF-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MP1907AGQ-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，2.5A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-QFN（3x3）
料号：P4-106
包装： 5000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP1907AGQ-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1907AGQ-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1907AGQ-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1907AGQ-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MP1907GQ-Z
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10QFN
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：1V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2.5A，2.5A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-QFN（3x3）
料号：P4-107
包装： 5000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP1907GQ-Z' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1907GQ-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1907GQ-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1907GQ-Z' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： IRS2111STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：8.3V，12.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-108
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2111STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2111STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2111STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2111STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： IRS2453DSTRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR FULL-BRIDGE 14SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns
1驱动配置1：全桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 15.6V
7逻辑电压7：4.7V，9.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：180mA，260mA
5输入类型5：RC 输入电路
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-109
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2453DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2453DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2453DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2453DSTRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： AUIRS2127STR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：12V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-110
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIRS2127STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRS2127STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRS2127STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIRS2127STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 不适用于新设计
型号： AUIR3240STR
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 36V
7逻辑电压7：0.9V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：PG-DSO-8-903
料号：P4-111
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'AUIR3240STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIR3240STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIR3240STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'AUIR3240STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： IRS2106STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：290mA，600mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-112
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2106STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2106STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2106STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2106STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 停产
型号： IR25602SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：210mA，360mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-113
包装： 3800个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR25602SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR25602SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR25602SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 最后售卖
型号： IR2102PBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：210mA，360mA
5输入类型5：反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-114
包装： 3000个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2102PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2102PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2102PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2102PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IRS2509SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-115
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IRS2509SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2509SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2509SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IRS2509SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： L6743QTR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:-
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5V ~ 12V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，-
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-116
包装： 4000个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'L6743QTR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743QTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743QTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'L6743QTR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： IR1169STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 19V *7逻辑电压*7:2V，2.25V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，4A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：11V ~ 19V
7逻辑电压7：2V，2.25V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，4A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-117
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR1169STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR1169STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR1169STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR1169STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： IR25601SPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 19V *7逻辑电压*7:2V，2.25V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，4A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：60mA，130mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-118
包装： 3800个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR25601SPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR25601SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR25601SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR25601SPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： IR1166STRPBF
品牌： Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 19V *7逻辑电压*7:2V，2.25V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，4A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.4V ~ 18V *7逻辑电压*7:2V，2.15V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:21ns，10ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：11.4V ~ 18V
7逻辑电压7：2V，2.15V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-119
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR1166STRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR1166STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR1166STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR1166STRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MP1906DS-LF
品牌： MPS/芯源 Monolithic Power Systems Inc. 芯源系统
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.2V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.3A，3.3A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 16V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:1V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2.5A，2.5A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:12ns，9ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:8.3V，12.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:全桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15.6V *7逻辑电压*7:4.7V，9.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:180mA，260mA *5输入类型*5:RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:120ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:80ns，40ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 36V *7逻辑电压*7:0.9V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:290mA，600mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，35ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:210mA，360mA *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:100ns，50ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:150ns，50ns 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 12V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:41 V 上升/下降时间（典型值）:- 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11V ~ 19V *7逻辑电压*7:2V，2.25V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，4A *5输入类型*5:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，10ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA，130mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:200ns，100ns 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:11.4V ~ 18V *7逻辑电压*7:2V，2.15V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:21ns，10ns 制造商统称:MPS/芯源 制造商统称:Monolithic Power Systems Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:350mA，350mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:80 V 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 16V
7逻辑电压7：0.8V，2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：350mA，350mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-120
包装： 100个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MP1906DS-LF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MPS/芯源' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1906DS-LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1906DS-LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MP1906DS-LF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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