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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

清除

*驱动配置

清除

*通道类型

清除

*驱动器数

清除

*栅极类型

清除

*电压 - 电源

清除

逻辑电压 

清除

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

清除

*输入类型

清除

高压侧电压 - 最大值（自举）

清除

上升/下降时间（典型值）

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 6417
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： TPS28226DG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC SINK SYNC MOSFET DVR 2A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：n 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：6.8 v ~ 8.8 v
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.90mm 间距1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1201
包装： 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPS28226DG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS28226DG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS28226DG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS28226DG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： SC1214TSTRT
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20TSSOP
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 15V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：20-TSSOP(4.40mm宽)
封装：20-TSSOP
料号：P4-1202
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SC1214TSTRT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'SEMTECH/升特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SC1214TSTRT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SC1214TSTRT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SC1214TSTRT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SN75372PSRE4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SO
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500mA，500mA
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(5.30mm宽)
封装：8-SO
料号：P4-1203
包装： 2000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SN75372PSRE4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SN75372PSRE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SN75372PSRE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SN75372PSRE4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SN75372DRG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC DUAL MOSFET DRIVER 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：n 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v
7逻辑电压7：0.8v，2v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：500ma，500ma
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.90mm 间距1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1204
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SN75372DRG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SN75372DRG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SN75372DRG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SN75372DRG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： LM5104SDX/NOPB
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.6A，1.6A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：10-WDFN 裸露焊盘
封装：10-WSON（4x4）
料号：P4-1205
包装： 4500个/ 卷带（TR）
￥9.06 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM5104SDX/NOPB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5104SDX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5104SDX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5104SDX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： UCC27321DR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 15V
7逻辑电压7：1.1V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1206
包装： 2500个/ 卷带
￥3.58 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC27321DR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27321DR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27321DR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27321DR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UCC27321DRG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC MOSFET DRIVER SGL HS 9A 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：n 沟道，p 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4 v ~ 15 v
7逻辑电压7：1.1v，2.7v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9a，9a
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.90mm 间距1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1207
包装： 标准卷带
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型号： UCC27322DRG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 15V
7逻辑电压7：1.1V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1208
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC27322DRG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UCC37321DGNR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 15V
7逻辑电压7：1.1V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-HVSSOP
料号：P4-1209
包装： 2500个/ 卷带（TR）
￥3.58 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC37321DGNR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： UCC37321DGNRG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC MOSFET DRIVER SGL HS 9A 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
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6电压-电源(v)6：4 v ~ 15 v
7逻辑电压7：1.1v，2.7v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9a，9a
5输入类型5：反相
外壳：8-TSSOP8-MSOP(3.00mm宽)裸焊盘
封装：8-MSOP-POWERPAD
料号：P4-1210
包装： 标准卷带
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UCC37321DGNRG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC37321DGNRG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC37321DGNRG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC37321DGNRG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： UCC37322DGNR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 15V
7逻辑电压7：1.1V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-HVSSOP
料号：P4-1211
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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状态： 停产
型号： UCC37322DGNRG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 15V
7逻辑电压7：1.1V，2.7V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-HVSSOP
料号：P4-1212
包装： 2500个/ 卷带（TR）
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UCC37322DGNRG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： ADP3634ARDZ-R7
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-1213
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ADP3634ARDZ-R7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ADP3634ARDZ-R7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LM5111-4M/NOPB
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.5V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，5A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1214
包装： 95个/ 管件
￥9.01 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： LM25101BMA/NOPB
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：2.3V，-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1215
包装： 95个/ 管件管件
￥14.50 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM25101BMA/NOPB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM25101BMA/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM25101BMA/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM25101BMA/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 不适用于新设计
型号： LM5101ASD
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：2.3V，-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，3A
5输入类型5：非反相
外壳：10-WDFN 裸露焊盘
封装：10-WSON（4x4）
料号：P4-1216
包装： 1000个/ 卷带
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合作现货:0
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状态： 不适用于新设计
型号： LM5100ASD
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：2.3V，-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，3A
5输入类型5：非反相
外壳：10-WDFN 裸露焊盘
封装：10-WSON（4x4）
料号：P4-1217
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM5100ASD' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5100ASD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5100ASD' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
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状态： 在售
型号： LTC1154CS8#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：P4-1218
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC1154CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1154CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1154CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1154CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： LTC1623CMS8#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8MSOP
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：2.7V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.6V，1.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)
封装：8-MSOP
料号：P4-1219
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC1623CMS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1623CMS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1623CMS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1623CMS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LTC1693- 1IS8#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC
参数： 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:6.8 v ~ 8.8 v *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:Combi-Sense® 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.75V ~ 5.25V，4.75V ~ 24V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500mA，500mA *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.75 v ~ 5.25 v，4.75 v ~ 24 v *7逻辑电压*7:0.8v，2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:500ma，500ma *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1.1V，2.7V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：n 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4.5 v ~ 13.2 v
7逻辑电压7：1.7v，2.2v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5a ，1.5a
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.90mm 间距1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1220
包装： 标准卷带
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1693-\r\r\n1IS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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