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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

清除

*电压 - 电源

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逻辑电压 

清除

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

清除

*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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安装类型

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： LTC1623CS8#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：2.7V ~ 5.5V
7逻辑电压7：0.6V，1.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SO
料号：P4-1261
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC1623CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1623CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1623CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1623CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： LTC1693- 2CS8#TRPBF
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC MOSFET DVR N-CH DUAL 8-SOIC
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：高压侧或低压侧
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：n 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4.5 v ~ 13.2 v
7逻辑电压7：1.7v，2.2v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5a ，1.5a
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.90mm 间距1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1262
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LTC1693-\r\r\n2CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1693-\r\r\n2CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1693-\r\r\n2CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LTC1693-\r\r\n2CS8#TRPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： TPS2819DBVTG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC NONINVERT FET DRVR SOT-23-5
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：n 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4 v ~ 14 v
7逻辑电压7：1v，4v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2a，2a
5输入类型5：非反相
外壳：SC-74A，SOT-753
封装：SOT-23-5
料号：P4-1263
包装： 标准卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPS2819DBVTG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2819DBVTG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2819DBVTG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2819DBVTG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： TPS2814DG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 14V
7逻辑电压7：1V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1264
包装： 75个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPS2814DG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814DG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814DG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814DG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TPS2814PW
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 14V
7逻辑电压7：1V，4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-TSSOP（4.40mm 宽）
封装：8-TSSOP
料号：P4-1265
包装： 150个/ 管件
￥6.23 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPS2814PW' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814PW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814PW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814PW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： TPS2814PWG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC DUAL HS MOSFET DRVR 8-TSSOP
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低压侧
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：n 沟道，p 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4 v ~ 14 v
7逻辑电压7：1v，4v
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2a，2a
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-TSSOP(4.40mm宽)
封装：8-TSSOP
料号：P4-1266
包装： 管件
array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'TPS2814PWG4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814PWG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814PWG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'TPS2814PWG4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： UCC27321DGNR
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相
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2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4V ~ 15V
7逻辑电压7：1V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：9A，9A
5输入类型5：反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-HVSSOP
料号：P4-1267
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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状态： 在售
型号： UCC27322DGNRG4
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC MOSFET DRIVER SGL HS 9A 8MSOP
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低压侧
2通道类型2：单路
3驱动器数3：1
4栅极类型4：n 沟道，p 沟道 mosfet
6电压-电源(v)6：4 v ~ 15 v
7逻辑电压7：1.1v，2.7v
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5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP8-MSOP(3.00mm宽)裸焊盘
封装：8-MSOP-POWERPAD
料号：P4-1268
包装： 标准卷带
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： LM5100CMYX/NOPB
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：2.3V，-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1A，1A
5输入类型5：非反相
外壳：8-PowerTSSOP,8-MSOP(3.00mm 宽)
封装：8-MSOP-PowerPad
料号：P4-1269
包装： 3500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM5100CMYX/NOPB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5100CMYX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5100CMYX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5100CMYX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： LM5101MX/NOPB
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.6A，1.6A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1270
包装： 2500个/ 卷带（TR）
￥10.31 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5101MX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
总额：
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ADP3634ARHZ-R7
品牌： ADI/亚德诺 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相
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2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：4A，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-TSSOP,8-MSOP(3.00mm宽)裸露焊盘
封装：8-MSOP-EP
料号：P4-1271
包装： 1000个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： UCC27528DSDT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SON
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
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外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-SON（3x3）
料号：P4-1272
包装： 250个/ 卷带
￥8.38 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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海外现货:0
最小起订:
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总额：
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： UCC27527DSDT
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SON
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
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6电压-电源(v)6：4.5V ~ 18V
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5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-WDFN 裸露焊盘
封装：8-SON（3x3）
料号：P4-1273
包装： 250个/ 卷带
￥8.38 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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2~5天可到达
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状态： 停产
型号： SC1405DITSTRT
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14TSSOP
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.6V ~ 6V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，3A
5输入类型5：非反相
外壳：14-TSSOP(4.40mm宽)
封装：14-TSSOP
料号：P4-1274
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： MAX5063AASA+T
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 12.6V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1275
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX5063AASA+T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063AASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063AASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063AASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MAX5064BATC+T
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12TQFN
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 12.6V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：12-WQFN 裸露焊盘
封装：12-TQFN（4x4）
料号：P4-1276
包装： 2500个/ 卷带
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX5064BATC+T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5064BATC+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5064BATC+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5064BATC+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： MAX5063CASA+T
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：8V ~ 12.6V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)裸焊盘
封装：8-SOIC-EP
料号：P4-1277
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX5063CASA+T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063CASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063CASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063CASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： MAX5063BASA+T
品牌： ADI(Maxim美信)/亚德诺 Maxim 美信
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
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6电压-电源(v)6：8V ~ 12.6V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1278
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MAX5063BASA+T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ADI(Maxim美信)/亚德诺' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063BASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063BASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MAX5063BASA+T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 停产
型号： LM5111-3M/NOPB
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：3.5V ~ 14V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，5A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1279
包装： 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'LM5111-3M/NOPB' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TI/德州仪器' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5111-3M/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5111-3M/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5111-3M/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： LM5101ASDX/NOPB
品牌： TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
参数： 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:2.7V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:0.6V，1.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列:- 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:Linear Technology 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4.5 v ~ 13.2 v *7逻辑电压*7:1.7v，2.2v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5a ，1.5a *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 14V *7逻辑电压*7:1V，4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 14 v *7逻辑电压*7:1v，4v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2a，2a *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4V ~ 15V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9A，9A *5输入类型*5:反相 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低压侧 *2通道类型*2:单路 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:n 沟道，p 沟道 mosfet *6电压-电源(v)*6:4 v ~ 15 v *7逻辑电压*7:1.1v，2.7v *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:9a，9a *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A，1A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.6A，1.6A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 制造商统称:ADI/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:4A，4A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:5A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim美信)/亚德诺 制造商统称:ADI(Maxim)/亚德诺 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:8V ~ 12.6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.5V ~ 14V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，5A *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:2.3V，- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:3A，3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：2.3V，-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：3A，3A
5输入类型5：非反相
外壳：10-WDFN 裸露焊盘
封装：10-WSON（4x4）
料号：P4-1280
包装： 4500个/ 卷带（TR）
￥10.74 array(5) { ["count"]=> string(1) "0" ["gys_id"]=> NULL ["zzsbh"]=> NULL ["price"]=> NULL ["show_price"]=> NULL }
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5101ASDX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5101ASDX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'LM5101ASDX/NOPB' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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