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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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逻辑电压 

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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 停产
型号： ISL6614IBZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：14-SOIC（3.90mm 宽）
封装：14-SOIC
料号：P4-1461
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614IBZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL6614IR-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-1462
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614IR-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： ISL6614IRZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-1463
包装： 75个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614IRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： ISL6614IRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：4
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：16-VQFN 裸露焊盘
封装：16-QFN（4x4）
料号：P4-1464
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6614IRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6614IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL6700IB-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 15V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.4A，1.3A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1465
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6700IB-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IB-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IB-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IB-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： ISL6700IR-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 15V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.4A，1.3A
5输入类型5：非反相
外壳：12-VQFN 裸露焊盘
封装：12-QFN（4x4）
料号：P4-1466
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6700IR-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IR-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL6700IRZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 15V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.4A，1.3A
5输入类型5：非反相
外壳：12-VQFN 裸露焊盘
封装：12-QFN（4x4）
料号：P4-1467
包装： 750个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6700IRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL6700IRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12QFN
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 15V
7逻辑电压7：0.8V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.4A，1.3A
5输入类型5：非反相
外壳：12-VQFN 裸露焊盘
封装：12-QFN（4x4）
料号：P4-1468
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6700IRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6700IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL6801ABT
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：高端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：1
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 6.5V
7逻辑电压7：1.4V，3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：200mA，200mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1469
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6801ABT' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6801ABT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6801ABT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6801ABT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 停产
型号： MC33395EW
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 24V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：32-BSSOP(7.50mm 宽)
封装：32-SOIC
料号：P4-1470
包装： 42个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33395EW' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33395EW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33395EW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33395EW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： MC33395EWR2
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 24V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：32-BSSOP(7.50mm 宽)
封装：32-SOIC
料号：P4-1471
包装： 1000个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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型号： MC33395TEW
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 24V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：32-BSSOP(7.50mm 宽)
封装：32-SOIC
料号：P4-1472
包装： 42个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33395TEW' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33395TEW' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MC33395TEWR2
品牌： NXP/恩智浦 NXP Semiconductors 恩智浦半导体
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 32SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：3 相
3驱动器数3：6
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：5.5V ~ 24V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：32-BSSOP(7.50mm 宽)
封装：32-SOIC
料号：P4-1473
包装： 1000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33395TEWR2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'NXP/恩智浦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33395TEWR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33395TEWR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33395TEWR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 停产
型号： ADP3419JRMZ-REEL
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOP
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.6V ~ 6V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：10-TFSOP，10-MSOP(3.00mm宽)
封装：10-MSOP
料号：P4-1474
包装： 3000个/ 卷带
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ADP3419JRMZ-REEL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ADP3110AKRZ
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.6V ~ 13.2V
7逻辑电压7：0.8V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1475
包装： 98个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ADP3110AKRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ADP3110AKRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ADP3110AKRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ADP3110AKRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： MC33151D
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1476
包装： 98个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33151D' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151D' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： MC33151DR2
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1477
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33151DR2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151DR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151DR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151DR2' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： MC33151P
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-1478
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33151P' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MC33151P' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： MC33151VDR2
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:4 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 15V *7逻辑电压*7:0.8V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.4A，1.3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:1 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 6.5V *7逻辑电压*7:1.4V，3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA，200mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:NXP/恩智浦 制造商统称:未设定 制造商统称:NXP USA Inc. 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5.5V ~ 24V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 6V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.6V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:0.8V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:反相，非反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:6.5V ~ 18V *7逻辑电压*7:0.8V，2.6V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.5A，1.5A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.5V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1479
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： MC33152VDR2
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：6.1V ~ 18V
7逻辑电压7：0.8V，2.6V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.5A，1.5A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-1480
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MC33152VDR2' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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