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元器件型号：6417 件
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*驱动器数

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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*输入类型

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高压侧电压 - 最大值（自举）

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： ISL95808IRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-VFDFN 裸露焊盘
封装：8-DFN（2x2）
料号：P4-141
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL95808IRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL95808IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL95808IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL95808IRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ISL2101AABZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：1.4V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-142
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL2101AABZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2101AABZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2101AABZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2101AABZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 停产
型号： NCP5106APG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-143
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP5106APG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5106APG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5106APG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5106APG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 停产
型号： NCP5104PG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-144
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP5104PG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5104PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5104PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5104PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： NCP5111PG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-145
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP5111PG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5111PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5111PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5111PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： NCP5304PG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：IGBT，N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10V ~ 20V
7逻辑电压7：0.8V，2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：250mA，500mA
5输入类型5：非反相
外壳：8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装：8-PDIP
料号：P4-146
包装： 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'NCP5304PG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5304PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5304PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'NCP5304PG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： HIP6601BCBZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-147
包装： 2500个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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型号： HIP6601BCBZA-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-148
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'HIP6601BCBZA-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'HIP6601BCBZA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL2101AAR3Z-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：1.4V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：9-VFDFN 裸露焊盘
封装：9-DFN-EP（3x3）
料号：P4-149
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL2101AAR3Z-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2101AAR3Z-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2101AAR3Z-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL2101AAR3Z-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6609ACRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：1V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：-，4A
5输入类型5：非反相
外壳：8-VQFN 裸露焊盘
封装：8-QFN（3x3）
料号：P4-150
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6609ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6609ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL6620IRZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-151
包装： 100个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6620IRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6620IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6620IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6620IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： EL7242CSZ-T13
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
1驱动配置1：低端
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道，P 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 16V
7逻辑电压7：0.8V，2.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：反相，非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-152
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'EL7242CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7242CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7242CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'EL7242CSZ-T13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6612CBZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-153
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6612CBZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612CBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612CBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612CBZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： ISL6612CBZA-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-154
包装： 2500个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6612CBZA-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612CBZA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612CBZA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6612CBZA-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6594ACRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-155
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6594ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6594ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6594ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6594ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL6613ACRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-156
包装： 6000个/ 卷带（TR）
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6613ACRZ-T' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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型号： ISL6613CRZ-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：10.8V ~ 13.2V
7逻辑电压7：-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：10-VFDFN 裸露焊盘
封装：10-DFN（3x3）
料号：P4-157
包装： 6000个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ISL2100AAR3Z-T
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9DFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V，7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：3.7V，7.4V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：9-VFDFN 裸露焊盘
封装：9-DFN-EP（3x3）
料号：P4-158
包装： 6000个/ 卷带（TR）
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合作现货:0
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状态： 停产
型号： ISL6605IRZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V，7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：同步
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：4.5V ~ 5.5V
7逻辑电压7：1V，2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：2A，2A
5输入类型5：非反相
外壳：8-VQFN 裸露焊盘
封装：8-QFN（3x3）
料号：P4-159
包装： 100个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ISL6605IRZ' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Renesas/瑞萨' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ISL6605IRZ' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 停产
型号： ISL89401ABZ
品牌： Renesas/瑞萨 Renesas###Renesas Electronics America 瑞萨电子
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数： 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:未设定 制造商统称:onsemi 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT，N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V，2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA，500mA *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V 上升/下降时间（典型值）:85ns，35ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:15 V 上升/下降时间（典型值）:20ns，20ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:-，4A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:低端 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道，P 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 16V *7逻辑电压*7:0.8V，2.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10.8V ~ 13.2V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:36 V 上升/下降时间（典型值）:26ns，18ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:3.7V，7.4V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:114 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:4.5V ~ 5.5V *7逻辑电压*7:1V，2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A，2A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:33 V 上升/下降时间（典型值）:8ns，8ns 制造商统称:Renesas/瑞萨 制造商统称:Renesas Electronics America Inc 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:9V ~ 14V *7逻辑电压*7:1.4V，2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1.25A，1.25A *5输入类型*5:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:100 V 上升/下降时间（典型值）:16ns，16ns
1驱动配置1：半桥
2通道类型2：独立式
3驱动器数3：2
4栅极类型4：N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6：9V ~ 14V
7逻辑电压7：1.4V，2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8：1.25A，1.25A
5输入类型5：非反相
外壳：8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装：8-SOIC
料号：P4-160
包装： 980个/ 管件
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合作现货:0
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海外现货:0
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