元器件型号:6417
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制造商统称

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制造商统称

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*驱动配置

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*通道类型

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*栅极类型

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*电压 - 电源

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 停产
型号: 98-0343
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:200mA,350mA
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-1881
包装: 950个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '98-0343' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '98-0343' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '98-0343' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: IR2302S
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:同步
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:200mA,350mA
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-1882
包装: 950个/ 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2302S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2302S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2302S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2302S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: IR2301STR
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:5V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:200mA,350mA
5输入类型5:非反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-1883
包装: 2500个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2301STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2301STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2301STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2301STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: IR2085S
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 15V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1A,1A
5输入类型5:RC 输入电路
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-1884
包装: 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2085S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2085S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2085S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2085S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: IR2085STR
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 15V
7逻辑电压7:-
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1A,1A
5输入类型5:RC 输入电路
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-1885
包装: 2500个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2085STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2085STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2085STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2085STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: IR2304
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:60mA,130mA
5输入类型5:非反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-1886
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2304' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2304' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2304' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2304' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: IR3101
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 11SIP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:非反相
外壳:11-SIP,9 引线
封装:11-SIP
料号:P4-1887
包装: 20个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR3101' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR3101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR3101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR3101' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 停产
型号: IR2011
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.7V,2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1A,1A
5输入类型5:反相
外壳:8-DIP(宽7.62mm间距2.54mm)
封装:8-PDIP
料号:P4-1888
包装: 50个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2011' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: IR2011S
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.7V,2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1A,1A
5输入类型5:反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-1889
包装: 95个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2011S' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011S' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: IR2011STR
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.7V,2.2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:1A,1A
5输入类型5:反相
外壳:8-SOIC(宽3.9mm p1.27mm)
封装:8-SOIC
料号:P4-1890
包装: 2500个/ 卷带(TR)
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2011STR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2011STR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: IR22141SS
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT
6电压-电源(v)6:11.5V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,3A
5输入类型5:非反相
外壳:24-SSOP(5.30mm宽)
封装:24-SSOP
料号:P4-1891
包装: 55个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR22141SS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22141SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22141SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR22141SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: IR2214SS
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT
6电压-电源(v)6:11.5V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,3A
5输入类型5:非反相
外壳:24-SSOP(5.30mm宽)
封装:24-SSOP
料号:P4-1892
包装: 55个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2214SS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2214SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2214SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2214SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: IR2110-1PBF
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:3.3V ~ 20V
7逻辑电压7:6V,9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:14-DIP(7.62mm),13引线
封装:14-PDIP
料号:P4-1893
包装: 25个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2110-1PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2110-1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2110-1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2110-1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: IR3103
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 11SIP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.9V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:-
5输入类型5:非反相
外壳:11-SIP,9 引线
封装:11-SIP
料号:P4-1894
包装: 20个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR3103' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR3103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR3103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR3103' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: IR2114SS
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT
6电压-电源(v)6:11.5V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,3A
5输入类型5:非反相
外壳:24-SSOP(5.30mm宽)
封装:24-SSOP
料号:P4-1895
包装: 55个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2114SS' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2114SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2114SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2114SS' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: IR21368PBF
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:6
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:200mA,350mA
5输入类型5:反相
外壳:28-DIP(15.24mm)
封装:28-PDIP
料号:P4-1896
包装: 13个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21368PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21368PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21368PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21368PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: IR21365JPBF
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:6
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:12V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,3V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:200mA,350mA
5输入类型5:反相
外壳:44-LCC(J形引线),32 引线
封装:44-PLCC,32 引线(16.58x16.58)
料号:P4-1897
包装: 27个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR21365JPBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21365JPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21365JPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR21365JPBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
咨询客服
当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: 98-0334PBF
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:3 相
3驱动器数3:6
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:0.8V,2.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:200mA,350mA
5输入类型5:反相
外壳:44-LCC(J形引线),32 引线
封装:44-PLCC,32 引线(16.58x16.58)
料号:P4-1898
包装: 513个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '98-0334PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '98-0334PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '98-0334PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '98-0334PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 停产
型号: IR2112-1PBF
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14DIP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:高压侧或低压侧
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:10V ~ 20V
7逻辑电压7:6V,9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:250mA,500mA
5输入类型5:非反相
外壳:14-DIP(7.62mm),13引线
封装:14-PDIP
料号:P4-1899
包装: 25个/ 管件
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'IR2112-1PBF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Infineon/英飞凌' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2112-1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2112-1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'IR2112-1PBF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 停产
型号: 98-0119PBF
品牌: Infineon/英飞凌 Infineon Technologies 英飞凌
描述: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16DIP
参数: 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:同步 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:非反相 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 15V *7逻辑电压*7:- *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:RC 输入电路 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:60mA,130mA *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.7V,2.2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:1A,1A *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相 系列:iMOTION™ 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.9V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:- *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT *6电压-电源(v)*6:11.5V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,3A *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:12V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,3V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:3 相 *3驱动器数*3:6 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:0.8V,2.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:200mA,350mA *5输入类型*5:反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:高压侧或低压侧 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:10V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:250mA,500mA *5输入类型*5:非反相 系列: 制造商:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon/英飞凌 制造商统称:Infineon Technologies 类目:- 替代选料:未设定 *1驱动配置*1:半桥 *2通道类型*2:独立式 *3驱动器数*3:2 *4栅极类型*4:IGBT,N 沟道 MOSFET *6电压-电源(v)*6:3.3V ~ 20V *7逻辑电压*7:6V,9.5V *8电流-峰值输出(灌入,拉出)*8:2A,2A *5输入类型*5:非反相
1驱动配置1:半桥
2通道类型2:独立式
3驱动器数3:2
4栅极类型4:IGBT,N 沟道 MOSFET
6电压-电源(v)6:3.3V ~ 20V
7逻辑电压7:6V,9.5V
8电流-峰值输出(灌入,拉出)8:2A,2A
5输入类型5:非反相
外壳:16-DIP(7.62mm),14引线
封装:16-PDIP
料号:P4-1900
包装: 25个/ 管件
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合作现货:0
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海外现货:0
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