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元器件型号：52405 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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类型

清除

*单向通道

清除

*双向通道

清除

电压 - 反向关态（典型值）

清除

*电压 - 击穿（最小值）

清除

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

清除

*电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）

清除

*功率 - 峰值脉冲

清除

*电源线路保护

清除

应用

清除

不同频率时的电容

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 52405
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 1N6281AG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC AXIAL
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：23.1V
2箝位电压最大值(V)2：37.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：轴向
料号：T2-2376
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N6281AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6281AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6281AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6281AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N6380G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 36VWM 65.2VC AXIAL
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：36V
2箝位电压最大值(V)2：65.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：轴向
料号：T2-2377
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N6380G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6380G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6380G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6380G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 3.0SMCJ24A-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMC
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：24V
2箝位电压最大值(V)2：38.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：77.1A
4峰值脉冲功率(W)4：3000W（3kW）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：SMC
料号：T2-2378
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3.0SMCJ24A-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3.0SMCJ24A-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3.0SMCJ24A-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3.0SMCJ24A-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 3.0SMCJ5.0A-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMC
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5V
2箝位电压最大值(V)2：9.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：326.1A
4峰值脉冲功率(W)4：3000W（3kW）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：SMC
料号：T2-2379
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3.0SMCJ5.0A-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3.0SMCJ5.0A-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3.0SMCJ5.0A-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3.0SMCJ5.0A-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N6282AG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC AXIAL
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：25.6V
2箝位电压最大值(V)2：41.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：轴向
料号：T2-2380
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N6282AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6282AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6282AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6282AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1.5KE16AG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC AXIAL
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：13.6V
2箝位电压最大值(V)2：22.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：67A
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：轴向
料号：T2-2381
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1.5KE16AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1.5KE16AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1.5KE16AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1.5KE16AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 1N6274AG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC AXIAL
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：11.1V
2箝位电压最大值(V)2：18.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：轴向
料号：T2-2382
包装： 散装
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合作现货:0
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型号： 1.5KE36AG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC AXIAL
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：30.8V
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3峰值脉冲电流(10/1000us)3：30A
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：轴向
料号：T2-2383
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1.5KE36AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1.5KE36AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1N6276AG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC AXIAL
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：13.6V
2箝位电压最大值(V)2：22.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：轴向
料号：T2-2384
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N6276AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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型号： 1N6279AG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC AXIAL
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：18.8V
2箝位电压最大值(V)2：30.6V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：轴向
料号：T2-2385
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N6279AG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6279AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6279AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N6279AG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SDC36C.TCT
品牌： SEMTECH/升特 Semtech Corporation 升特
描述： TVS DIODE 33VWM 47VC
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W
5单向通道5：2
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：33V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：47V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：4A（1.2/50µs）
4峰值脉冲功率(W)4：225W
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：T2-2386
包装： 圆盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDC36C.TCT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDC36C.TCT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SDC36C.TCT' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： 1N5908
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 5V 8.5V DO201
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：5V
2箝位电压最大值(V)2：8.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：120A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AD，轴向
封装：CB429
料号：T2-2387
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1N5908' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5908' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5908' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1N5908' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： 3KASMC12AHM3_A/H
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:151A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：12V
2箝位电压最大值(V)2：19.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：151A
4峰值脉冲功率(W)4：3000W（3kW）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB（SMCJ）
料号：T2-2388
包装： 3000个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3KASMC12AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3KASMC12AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3KASMC12AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3KASMC12AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 3KASMC14AHM3_A/H
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:151A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:14V 电压 - 击穿（最小值）:15.6V *2箝位电压最大值(V)*2:23.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：14V
2箝位电压最大值(V)2：23.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：129A
4峰值脉冲功率(W)4：3000W（3kW）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB（SMCJ）
料号：T2-2389
包装： 3000个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3KASMC14AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3KASMC14AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3KASMC14AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 3KASMC18AHM3_A/H
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AB
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:151A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:14V 电压 - 击穿（最小值）:15.6V *2箝位电压最大值(V)*2:23.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V *2箝位电压最大值(V)*2:29.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:103A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：18V
2箝位电压最大值(V)2：29.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：103A
4峰值脉冲功率(W)4：3000W（3kW）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB（SMCJ）
料号：T2-2390
包装： 3000个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '3KASMC18AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3KASMC18AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3KASMC18AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '3KASMC18AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 5.0SMLJ24A-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMC
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:151A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:14V 电压 - 击穿（最小值）:15.6V *2箝位电压最大值(V)*2:23.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V *2箝位电压最大值(V)*2:29.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:103A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：24V
2箝位电压最大值(V)2：38.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：129A
4峰值脉冲功率(W)4：5000W（5kW）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB，（SMC）
料号：T2-2391
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '5.0SMLJ24A-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5.0SMLJ24A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5.0SMLJ24A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态： 在售
型号： 5.0SMLJ60A-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TVS DIODE 60VWM 96.8VC SMCJ
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:151A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:14V 电压 - 击穿（最小值）:15.6V *2箝位电压最大值(V)*2:23.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V *2箝位电压最大值(V)*2:29.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:103A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:51.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：60V
2箝位电压最大值(V)2：96.8V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：51.7A
4峰值脉冲功率(W)4：5000W（5kW）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：DO-214AB，（SMC）
料号：T2-2392
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '5.0SMLJ60A-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5.0SMLJ60A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5.0SMLJ60A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5.0SMLJ60A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 8240136
品牌： Wurth/伍尔特 Wurth Electronics Inc 伍尔特
描述： TVS DIODE 3.3VWM 6VC SOT143
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:151A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:14V 电压 - 击穿（最小值）:15.6V *2箝位电压最大值(V)*2:23.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V *2箝位电压最大值(V)*2:29.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:103A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:51.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW） 系列:WE-TVS 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6V（标准） *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：2
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：3.3V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：6V（标准）
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：12A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：TO-253-4，TO-253AA
封装：SOT-143-4
料号：T2-2393
包装： 圆盘
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合作现货:0
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型号： 5KP120A-E3/54
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 120V 193V P600
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:151A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:14V 电压 - 击穿（最小值）:15.6V *2箝位电压最大值(V)*2:23.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V *2箝位电压最大值(V)*2:29.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:103A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:51.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW） 系列:WE-TVS 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6V（标准） *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:120V 电压 - 击穿（最小值）:133V *2箝位电压最大值(V)*2:193V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：120V
2箝位电压最大值(V)2：193V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：25.9A
4峰值脉冲功率(W)4：5000W（5kW）
外壳：P600，轴向
封装：P600
料号：T2-2394
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '5KP120A-E3/54' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5KP120A-E3/54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5KP120A-E3/54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 5KP150A-E3/54
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 150V 243V P600
参数： 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23.1V 电压 - 击穿（最小值）:25.7V *2箝位电压最大值(V)*2:37.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:42.4V *2箝位电压最大值(V)*2:65.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:77.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:326.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:67A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:11.1V 电压 - 击穿（最小值）:12.4V *2箝位电压最大值(V)*2:18.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:Mosorb™ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18.8V 电压 - 击穿（最小值）:20.9V *2箝位电压最大值(V)*2:30.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:SEMTECH/升特 制造商统称:未设定 制造商统称:Semtech Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:35V *2箝位电压最大值(V)*2:47V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（1.2/50µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:225W 系列:TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:120A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:151A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:14V 电压 - 击穿（最小值）:15.6V *2箝位电压最大值(V)*2:23.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V *2箝位电压最大值(V)*2:29.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:103A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W（3kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:129A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW） 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:51.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW） 系列:WE-TVS 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6V（标准） *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:120V 电压 - 击穿（最小值）:133V *2箝位电压最大值(V)*2:193V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW） 系列:TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:150V 电压 - 击穿（最小值）:167V *2箝位电压最大值(V)*2:243V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W（5kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：150V
2箝位电压最大值(V)2：243V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：20.6A
4峰值脉冲功率(W)4：5000W（5kW）
外壳：P600，轴向
封装：P600
料号：T2-2395
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '5KP150A-E3/54' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5KP150A-E3/54' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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