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元器件型号：52405 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

清除

类型

清除

*单向通道

清除

*双向通道

清除

电压 - 反向关态（典型值）

清除

*电压 - 击穿（最小值）

清除

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

清除

*电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）

清除

*功率 - 峰值脉冲

清除

*电源线路保护

清除

应用

清除

不同频率时的电容

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 52405
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： MPLAD15KP75CAE3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TVS DIODE 75V 121V PLAD
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW）
5单向通道5：齐纳
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：75V
2箝位电压最大值(V)2：121V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：123A
4峰值脉冲功率(W)4：15000W（15kW）
外壳：非标准型 SMD
封装：PLAD
料号：T2-2936
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPLAD15KP75CAE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP75CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP75CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP75CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MPLAD15KP15CAE3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TVS DIODE 15V 24.4V PLAD
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW）
5单向通道5：齐纳
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：15V
2箝位电压最大值(V)2：24.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：618A
4峰值脉冲功率(W)4：15000W（15kW）
外壳：非标准型 SMD
封装：PLAD
料号：T2-2937
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPLAD15KP15CAE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP15CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP15CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP15CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MPLAD15KP58CAE3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW）
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：58V
2箝位电压最大值(V)2：93.6V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：159A
4峰值脉冲功率(W)4：15000W（15kW）
外壳：非标准型 SMD
封装：PLAD
料号：T2-2938
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPLAD15KP58CAE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP58CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP58CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD15KP58CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MPLAD30KP350A
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TVS DIODE 350VWM 564VC PLAD
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW）
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：350V
2箝位电压最大值(V)2：564V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：53A
4峰值脉冲功率(W)4：30000W（30kW）
外壳：非标准型 SMD
封装：PLAD
料号：T2-2939
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPLAD30KP350A' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP350A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP350A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP350A' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： MPLAD30KP24CA
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TVS DIODE 24VWM 39.8VC PLAD
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW）
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：24V
2箝位电压最大值(V)2：39.8V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：753A
4峰值脉冲功率(W)4：30000W（30kW）
外壳：非标准型 SMD
封装：PLAD
料号：T2-2940
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPLAD30KP24CA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP24CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP24CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP24CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： MPLAD30KP43CAE3
品牌： Microchip/微芯 Microchip Technology 微芯科技
描述： TVS DIODE 43VWM 69.4VC PLAD
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW）
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：43V
2箝位电压最大值(V)2：69.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：432A
4峰值脉冲功率(W)4：30000W（30kW）
外壳：非标准型 SMD
封装：PLAD
料号：T2-2941
包装： 散装
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MPLAD30KP43CAE3' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Microchip/微芯' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP43CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP43CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MPLAD30KP43CAE3' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： DF2S30FS,L3M
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 23V SOD923
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：23V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOD-923
封装：SOD-923
料号：T2-2942
包装：
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合作现货:0
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型号： DF2S24FS,L3M
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 19V SOD923
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
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6双向通道6：1
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外壳：SOD-923
封装：SOD-923
料号：T2-2943
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S24FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DF2S10FS,L3M
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 8V FSC
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：1
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1反向截止电压(典型值V)1：8V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOD-923
封装：fSC（SOD-923）
料号：T2-2944
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF2S10FS,L3M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S10FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S10FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S10FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DF2S16FS,L3M
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 12V SOD923
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：12V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOD-923
封装：SOD-923
料号：T2-2945
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF2S16FS,L3M' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S16FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S16FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S16FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： DF2S20FS,L3M
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 15VWM
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
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外壳：SOD-923
封装：SOD-923
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品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 1.5V SOD923
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
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外壳：SOD-923
封装：SOD-923
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S5.1FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S5.1FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S5.1FS,L3M' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 6.5VWM SOD923
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:7.7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
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1反向截止电压(典型值V)1：6.5V（最大）
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4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOD-923
封装：SOD-923
料号：T2-2948
包装： 圆盘
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型号： DF2S16CT,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 12VWM
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:7.7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
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型号： DF2S20CT,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 15VWM
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:7.7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
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料号：T2-2950
包装： 圆盘
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品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 23VWM
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:7.7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23V 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
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1反向截止电压(典型值V)1：23V
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOD-882
封装：CST2
料号：T2-2951
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF2S30CT,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S30CT,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S30CT,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： DF2S6.2CT,L3F
品牌： TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述： TVS DIODE 5VWM
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:7.7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23V 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5V
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOD-882
封装：CST2
料号：T2-2952
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF2S6.2CT,L3F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S6.2CT,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S6.2CT,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF2S6.2CT,L3F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： MMBZ27VALT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 22V 40V SOT23-3
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:7.7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23V 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:25.65V *2箝位电压最大值(V)*2:40V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A *4峰值脉冲功率(W)*4:40W
5单向通道5：2
6双向通道6：1
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外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：T2-2953
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ27VALT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ27VALT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ27VALT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ27VALT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
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状态： 在售
型号： D5V0M1U2LP3-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 5.5VWM 11VC X3-DFN0603
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:7.7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23V 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:25.65V *2箝位电压最大值(V)*2:40V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A *4峰值脉冲功率(W)*4:40W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:11V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:120W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5.5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：11V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：10A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：120W
外壳：2-XFDFN
封装：X3-DFN0603-2
料号：T2-2954
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'D5V0M1U2LP3-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0M1U2LP3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0M1U2LP3-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态：
型号： SZMMBZ27VCLT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 22V 38V SOT23-3
参数： 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:123A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:Military, MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:618A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:159A *4峰值脉冲功率(W)*4:15000W（15kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:350V 电压 - 击穿（最小值）:389V *2箝位电压最大值(V)*2:564V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:53A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:39.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:753A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:军用，MIL-PRF-19500 制造商:Microchip/微芯 制造商统称:未设定 制造商统称:Microsemi Corporation 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43V 电压 - 击穿（最小值）:47.8V *2箝位电压最大值(V)*2:69.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:432A *4峰值脉冲功率(W)*4:30000W（30kW） 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:23V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:19V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:9.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:1.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:7.7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:15.3V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:18.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:23V 电压 - 击穿（最小值）:28V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:25.65V *2箝位电压最大值(V)*2:40V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A *4峰值脉冲功率(W)*4:40W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:11V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:120W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:25.65V *2箝位电压最大值(V)*2:38V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A *4峰值脉冲功率(W)*4:40W
5单向通道5：2
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：22V
2箝位电压最大值(V)2：38V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：1A
4峰值脉冲功率(W)4：40W
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3（TO-236）
料号：T2-2955
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SZMMBZ27VCLT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ27VCLT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ27VCLT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SZMMBZ27VCLT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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