元器件型号:52405
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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类型

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*单向通道

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*双向通道

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电压 - 反向关态(典型值)

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*电压 - 击穿(最小值)

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不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

清除

*电流 - 峰值脉冲(10/1000µs)

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*功率 - 峰值脉冲

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*电源线路保护

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应用

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不同频率时的电容

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果: 52405
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: D5V0L2B3W-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODE 5VWM 14VC SOT323
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W
5单向通道5:-
6双向通道6:2
1反向截止电压(典型值V)1:5V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:14V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:6A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:84W
外壳:SC-70,SOT-323
封装:SOT-323
料号:T2-3671
包装: 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'D5V0L2B3W-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0L2B3W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0L2B3W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0L2B3W-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DF5A3.6CJE,LM
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TVS DIODE 1.8VWM ESV PAC
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:4
6双向通道6:-
1反向截止电压(典型值V)1:1.8V
2箝位电压最大值(V)2:-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:SOT-553
封装:ESV
料号:T2-3672
包装: 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF5A3.6CJE,LM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF5A3.6CJE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF5A3.6CJE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF5A3.6CJE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ESDARF02-1BU2CK
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: TVS DIODE 3.6V 12V 0201
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:3.6V
2箝位电压最大值(V)2:12V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:1A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:20W
外壳:0201(0603 公制)
封装:0201
料号:T2-3673
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESDARF02-1BU2CK' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDARF02-1BU2CK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDARF02-1BU2CK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDARF02-1BU2CK' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: 824521600
品牌: Wurth/伍尔特 Wurth Electronics Inc 伍尔特
描述: TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5:-
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:6V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:10.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:58.3A
4峰值脉冲功率(W)4:600W
外壳:DO-214AA,SMB
封装:DO-214AA
料号:T2-3674
包装: 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '824521600' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Wurth/伍尔特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '824521600' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '824521600' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '824521600' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: 824521331
品牌: Wurth/伍尔特 Wurth Electronics Inc 伍尔特
描述: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5:-
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:33V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:53.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:11.3A
4峰值脉冲功率(W)4:600W
外壳:DO-214AA,SMB
封装:DO-214AA
料号:T2-3675
包装: 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '824521331' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Wurth/伍尔特' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '824521331' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '824521331' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '824521331' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: DF5A6.2CJE,LM
品牌: TOSHIBA/东芝 Toshiba Semiconductor 东芝
描述: TVS DIODE 5VWM ESV PAC
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:4
6双向通道6:4
1反向截止电压(典型值V)1:5V
2箝位电压最大值(V)2:-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:SOT-553
封装:ESV
料号:T2-3676
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DF5A6.2CJE,LM' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'TOSHIBA/东芝' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF5A6.2CJE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF5A6.2CJE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DF5A6.2CJE,LM' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: MMBZ6V8AL-7-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODE 4.5V 9.6V SOT23-3
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W
5单向通道5:2
6双向通道6:2
1反向截止电压(典型值V)1:4.5V
2箝位电压最大值(V)2:9.6V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:2.5A
4峰值脉冲功率(W)4:24W
外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装:SOT-23-3
料号:T2-3677
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'MMBZ6V8AL-7-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ6V8AL-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ6V8AL-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'MMBZ6V8AL-7-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: SMLJ28A-TP
品牌: MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述: TVS DIODE 28VWM 45.4VC SMC
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW)
5单向通道5:1
6双向通道6:-
1反向截止电压(典型值V)1:28V
2箝位电压最大值(V)2:45.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:66A
4峰值脉冲功率(W)4:3000W(3kW)
外壳:DO-214AB,SMC
封装:DO-214AB,(SMC)
料号:T2-3678
包装: 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMLJ28A-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMLJ28A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMLJ28A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMLJ28A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DESD5V0V1BCSP-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODES 5VWM 12.8VC 2DSN
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W
5单向通道5:-
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:5V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:12.8V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:1A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:20W
外壳:2-XFDFN
封装:-
料号:T2-3679
包装: 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DESD5V0V1BCSP-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DESD5V0V1BCSP-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DESD5V0V1BCSP-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DESD5V0V1BCSP-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: CPDQ12V0U-HF
品牌: Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述: TVS DIODE 12V 23.7V 0402/SOD923F
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W
5单向通道5:1
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:12V
2箝位电压最大值(V)2:23.7V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:5.9A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:140W
外壳:SOD-923
封装:0402/SOD-923F
料号:T2-3680
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPDQ12V0U-HF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQ12V0U-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQ12V0U-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQ12V0U-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: ESDALC14-1BF4
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: TVS DIODE 5V 18V 0201
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:5V
2箝位电压最大值(V)2:18V(标准)
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4峰值脉冲功率(W)4:100W
外壳:0201(0603 公制)
封装:0201
料号:T2-3681
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDALC14-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: CPDQC12VEU-HF
品牌: Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述: TVS DIODE 12VWM 22VC 0402C/SOD
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W
5单向通道5:1
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1反向截止电压(典型值V)1:12V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:22V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:5A(8/20µs)
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外壳:0402(1006 公制)
封装:0402C/SOD-923F
料号:T2-3682
包装: 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPDQC12VEU-HF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC12VEU-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC12VEU-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC12VEU-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: DZQA5V6AXV5-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODE 3V 13V SOT553
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W
5单向通道5:4
6双向通道6:-
1反向截止电压(典型值V)1:3V
2箝位电压最大值(V)2:13V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:20W
外壳:SOT-553
封装:SOT-553
料号:T2-3683
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZQA5V6AXV5-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZQA5V6AXV5-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号: D5V0F2U3LP-7B
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODE 5.5V 12V 3DFN1006
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:2
6双向通道6:2
1反向截止电压(典型值V)1:5.5V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:12V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:1.5A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:3-UFDFN
封装:3-X1DFN1006
料号:T2-3684
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'D5V0F2U3LP-7B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0F2U3LP-7B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0F2U3LP-7B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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状态: 在售
型号: DZQA6V8AXV5-7
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODE 4.3V 13V SOT553
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4.3V 电压 - 击穿(最小值):6.47V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W
5单向通道5:4
6双向通道6:-
1反向截止电压(典型值V)1:4.3V
2箝位电压最大值(V)2:13V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:20W
外壳:SOT-553
封装:SOT-553
料号:T2-3685
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DZQA6V8AXV5-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZQA6V8AXV5-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZQA6V8AXV5-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DZQA6V8AXV5-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: D5V0L1B2LP4-7B
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODE 5V 14V DFN1006-2
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4.3V 电压 - 击穿(最小值):6.47V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:5V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:14V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:6A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:84W
外壳:0402(1006 公制)
封装:X2-DFN1006-2
料号:T2-3686
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'D5V0L1B2LP4-7B' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0L1B2LP4-7B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0L1B2LP4-7B' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: CPDQC5V0U-HF
品牌: Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述: TVS DIODE 5VWM 12.5VC SOD-923F
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4.3V 电压 - 击穿(最小值):6.47V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:16A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:200W
5单向通道5:1
6双向通道6:-
1反向截止电压(典型值V)1:5V
2箝位电压最大值(V)2:12.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:16A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:200W
外壳:SOD-923
封装:0402C/SOD-923F
料号:T2-3687
包装: 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPDQC5V0U-HF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC5V0U-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC5V0U-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC5V0U-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SMCJ8.5A-13-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODE 8.5V 14.4V SMC
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4.3V 电压 - 击穿(最小值):6.47V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:16A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:- *5单向通道*5:- *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:- 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:-
6双向通道6:-
1反向截止电压(典型值V)1:-
2箝位电压最大值(V)2:-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:-
封装:-
料号:T2-3688
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMCJ8.5A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMCJ8.5A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: SMC5K12AHM3_A/H
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: TVS DIODE 12VWM 19.9VC
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4.3V 电压 - 击穿(最小值):6.47V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:16A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:- *5单向通道*5:- *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:- 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:251A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW)
5单向通道5:1
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:12V
2箝位电压最大值(V)2:19.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:251A
4峰值脉冲功率(W)4:5000W(5kW)
外壳:DO-214AB,SMC
封装:DO-214AB(SMCJ)
料号:T2-49224
包装: 3000个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMC5K12AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMC5K12AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMC5K12AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMC5K12AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: SMBJ8.5CA-13-F
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMB
参数: 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:1.8V 电压 - 击穿(最小值):3.4V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):7.02V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:58.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:WE-TVSP 制造商:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth/伍尔特 制造商统称:Wurth Electronics Inc 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V(最大) 电压 - 击穿(最小值):38.65V(标准) *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:TOSHIBA/东芝 制造商统称:未设定 制造商统称:Toshiba Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:4.5V 电压 - 击穿(最小值):6.46V *2箝位电压最大值(V)*2:9.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:24W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿(最小值):31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:66A *4峰值脉冲功率(W)*4:3000W(3kW) 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:12.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:23.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.9A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:140W 系列:ESDA 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):13V *2箝位电压最大值(V)*2:18V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V(最大) 电压 - 击穿(最小值):13.5V *2箝位电压最大值(V)*2:22V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿(最小值):5.3V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.5A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4.3V 电压 - 击穿(最小值):6.47V *2箝位电压最大值(V)*2:13V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:14V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:84W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿(最小值):6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:16A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:* 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:- *5单向通道*5:- *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:- 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿(最小值):13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:251A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:8.5V 电压 - 击穿(最小值):9.44V *2箝位电压最大值(V)*2:14.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:41.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5:-
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:8.5V
2箝位电压最大值(V)2:14.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:41.7A
4峰值脉冲功率(W)4:600W
外壳:DO-214AA,SMB
封装:SMB
料号:T2-3689
包装: 圆盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ8.5CA-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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