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元器件型号：52405 件
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系列

清除

制造商统称

清除

制造商统称

清除

类目

清除

类型

清除

*单向通道

清除

*双向通道

清除

电压 - 反向关态（典型值）

清除

*电压 - 击穿（最小值）

清除

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

清除

*电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）

清除

*功率 - 峰值脉冲

清除

*电源线路保护

清除

应用

清除

不同频率时的电容

清除

工作温度

清除

安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 52405
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： SMBJ58A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 58V 93.6V SMB
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：58V
2箝位电压最大值(V)2：93.6V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：6.4A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-3730
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ58A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ58A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ58A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ58A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： P4SMA30CA-E3/61
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 25.6V 41.4V DO214AC
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：齐纳
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：25.6V
2箝位电压最大值(V)2：41.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：9.7A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMA）
料号：T2-3731
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMA30CA-E3/61' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMA30CA-E3/61' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMA30CA-E3/61' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMA30CA-E3/61' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMBJ90CA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 90V 146V SMB
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：90V
2箝位电压最大值(V)2：146V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：4.1A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：T2-3732
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ90CA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ90CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ90CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ90CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMBJ54CA-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 54VWM 87.1VC SMB
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：54V
2箝位电压最大值(V)2：87.1V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：6.9A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-3733
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ54CA-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ54CA-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ54CA-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ54CA-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 停产
型号： 1.5KE82CARL
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 70.1VWM 146VC DO201
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：70.1V
2箝位电压最大值(V)2：146V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：69A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-201AA，DO-27，轴向
封装：DO-201
料号：T2-3734
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1.5KE82CARL' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1.5KE82CARL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1.5KE82CARL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1.5KE82CARL' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SM15T24CAY
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 20.5VWM 42.8VC SMC
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW）
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：20.5V
2箝位电压最大值(V)2：42.8V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：234A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：1500W（1.5kW）
外壳：DO-214AB，SMC
封装：SMC
料号：T2-3735
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SM15T24CAY' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM15T24CAY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM15T24CAY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM15T24CAY' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
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状态： 在售
型号： P4SMAJ12ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 12VWM 19.9VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：12V
2箝位电压最大值(V)2：19.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：20.1A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3736
包装： 圆盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ12ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： P4SMAJ70ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 70VWM 113VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：70V
2箝位电压最大值(V)2：113V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：3.5A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3737
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ70ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ70ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ70ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ70ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： P4SMAJ20ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 20VWM 32.4VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：20V
2箝位电压最大值(V)2：32.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：12.3A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3738
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ20ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ20ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ20ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ20ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： P4SMAJ22ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 22VWM 35.5VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：22V
2箝位电压最大值(V)2：35.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：11.2A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3739
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ22ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ22ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ22ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ22ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： P4SMAJ13ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 13V 21.5V DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
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料号：T2-3740
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ13ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： P4SMAJ36ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 36VWM 58.1VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
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1反向截止电压(典型值V)1：36V
2箝位电压最大值(V)2：58.1V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：6.9A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3741
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ36ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ36ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ36ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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型号： P4SMAJ24ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 24VWM 38.9VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
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1反向截止电压(典型值V)1：24V
2箝位电压最大值(V)2：38.9V
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外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3742
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ24ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ24ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ24ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ24ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： P4SMAJ16ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 16VWM 26VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：16V
2箝位电压最大值(V)2：26V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：15.3A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3743
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ16ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ16ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ16ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： P4SMAJ60ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 60VWM 96.8VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：60V
2箝位电压最大值(V)2：96.8V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：4.1A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3744
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ60ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ60ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ60ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ60ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： P4SMAJ6.0ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 6VWM 10.3VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:38.8A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：6V
2箝位电压最大值(V)2：10.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：38.8A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3745
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ6.0ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ6.0ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ6.0ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ6.0ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： P4SMAJ5.0ADF-13
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 5 VWM 9.2VC DFLAT
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:38.8A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:43.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5V
2箝位电压最大值(V)2：9.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：43.5A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：D-FLAT
料号：T2-3746
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P4SMAJ5.0ADF-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ5.0ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ5.0ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P4SMAJ5.0ADF-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： 1SMA28AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 28VWM 45.4VC SMA
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:38.8A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:43.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:8.8A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：28V
2箝位电压最大值(V)2：45.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：8.8A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：T2-3747
包装： 圆盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMA28AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMA28AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： 1SMA22AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 22VWM 35.5VC SMA
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:38.8A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:43.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:8.8A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：22V
2箝位电压最大值(V)2：35.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：11.3A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：T2-3748
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SMA22AT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMA22AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMA22AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMA22AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： 1SMA36AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMA
参数： 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:P4SMA, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:25.6V 电压 - 击穿（最小值）:28.5V *2箝位电压最大值(V)*2:41.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:9.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:90V 电压 - 击穿（最小值）:100V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:1.5KE，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:70.1V 电压 - 击穿（最小值）:77.9V *2箝位电压最大值(V)*2:146V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:69A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:汽车级，AEC-Q101，SM15TY，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:42.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:234A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:1500W（1.5kW） 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18.6A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6V 电压 - 击穿（最小值）:6.67V *2箝位电压最大值(V)*2:10.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:38.8A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:43.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:45.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:8.8A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:22V 电压 - 击穿（最小值）:24.4V *2箝位电压最大值(V)*2:35.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：36V
2箝位电压最大值(V)2：58.1V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：6.9A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：T2-3749
包装： 圆盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMA36AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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