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元器件型号：52405 件
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制造商统称

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制造商统称

清除

类目

清除

类型

清除

*单向通道

清除

*双向通道

清除

电压 - 反向关态（典型值）

清除

*电压 - 击穿（最小值）

清除

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

清除

*电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）

清除

*功率 - 峰值脉冲

清除

*电源线路保护

清除

应用

清除

不同频率时的电容

清除

工作温度

清除

安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 52405
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： VBUS051BD-HD1-GS08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 5V 16V LLP1006-2L
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：16V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：3A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：45W
外壳：SOD-882
封装：LLP1006-2L
料号：T2-3769
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VBUS051BD-HD1-GS08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VBUS051BD-HD1-GS08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VBUS051BD-HD1-GS08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VBUS051BD-HD1-GS08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMAJ9.0A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 9V 15.4V SMA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：9V
2箝位电压最大值(V)2：15.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：26A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：T2-3770
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ9.0A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ9.0A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ9.0A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ9.0A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： CPDQC5V0C-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： TVS DIODE 5VWM 14.5VC 0402
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：14.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：4A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：58W
外壳：SOD-923
封装：0402C/SOD-923F
料号：T2-3771
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'CPDQC5V0C-HF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC5V0C-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC5V0C-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'CPDQC5V0C-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMAJ100A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 100V 162V SMA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：100V
2箝位电压最大值(V)2：162V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：2.5A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：T2-3772
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ100A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ100A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ100A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ100A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMAJ6.5A-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 6.5VWM 14.5VC SMA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：6.5V
2箝位电压最大值(V)2：14.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：160A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA（DO-214AC）
料号：T2-3773
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ6.5A-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ6.5A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ6.5A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ6.5A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： VCUT05B1-DD1-G-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 5.5V 12.5V LLP1006-2M
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W
5单向通道5：齐纳
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：5.5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：12.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：3A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：38W
外壳：2-SMD，扁平引线
封装：LLP1006-2M
料号：T2-3774
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'VCUT05B1-DD1-G-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VCUT05B1-DD1-G-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VCUT05B1-DD1-G-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'VCUT05B1-DD1-G-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMAJ20A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 20V 32.4V SMA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：20V
2箝位电压最大值(V)2：32.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：12.3A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：T2-3775
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ20A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ20A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ20A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ20A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ESD11B5.0ST5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 5VWM 10VC DSN2
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：10V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：2A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：2-XFDFN
封装：2-DSN（0.60X0.30）
料号：T2-3776
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESD11B5.0ST5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD11B5.0ST5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD11B5.0ST5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD11B5.0ST5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： UESD5.0DT5G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 5V SOT723
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：2
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOT-723
封装：SOT-723
料号：T2-3777
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'UESD5.0DT5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UESD5.0DT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UESD5.0DT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'UESD5.0DT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： ESDA37L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： DUAL TRANSIL ARRAY FOR ESD PROTE
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W
5单向通道5：2
6双向通道6：2
1反向截止电压(典型值V)1：36V
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：6.3A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：300W
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23
料号：T2-49263
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESDA37L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA37L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA37L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA37L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMAJ30A-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 30V 64.3V SMA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：30V
2箝位电压最大值(V)2：64.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：36A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA（DO-214AC）
料号：T2-3778
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ30A-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ30A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ30A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ30A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SMB7.5AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMB
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：7.5V
2箝位电压最大值(V)2：12.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：46.5A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-3779
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SMB7.5AT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB7.5AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB7.5AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB7.5AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： DT1446-04V-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 5.5VWM 6VC SOT563
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.7A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：4
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5.5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：8.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：4.7A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：T2-3780
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DT1446-04V-7' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DT1446-04V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DT1446-04V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DT1446-04V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： ESDA25L
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 24VWM SOT23
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.7A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:25V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W
5单向通道5：2
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：24V
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：300W
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：T2-3781
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESDA25L' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA25L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA25L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA25L' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ESDR0502NMUTAG
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 5.5V 6UDFN
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.7A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:25V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:3 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:100W
5单向通道5：3
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5.5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：100W
外壳：6-UFDFN
封装：6-UDFN（1.25x1）
料号：T2-3782
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESDR0502NMUTAG' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDR0502NMUTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDR0502NMUTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDR0502NMUTAG' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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个
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMF05T1G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 5VWM 12.5VC SOT353
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.7A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:25V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:3 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:200W
5单向通道5：4
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5V
2箝位电压最大值(V)2：12.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：12A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：200W
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SC-88A（SC-70-5 / SOT-353）
料号：T2-3783
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMF05T1G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMF05T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMF05T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMF05T1G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SMB75AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 75VWM 121VC SMB
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.7A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:25V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:3 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：75V
2箝位电压最大值(V)2：121V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：4.9A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-3784
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SMB75AT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB75AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB75AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB75AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMAJ7.5A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMA
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.7A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:25V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:3 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：7.5V
2箝位电压最大值(V)2：12.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：31A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：SMA
料号：T2-3785
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ7.5A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ7.5A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ7.5A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ7.5A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMAJ33A-E3/61
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 33V 53.3V DO214AC
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.7A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:25V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:3 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：33V
2箝位电压最大值(V)2：53.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：7.5A
4峰值脉冲功率(W)4：400W
外壳：DO-214AC，SMA
封装：DO-214AC（SMA）
料号：T2-3786
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMAJ33A-E3/61' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ33A-E3/61' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ33A-E3/61' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMAJ33A-E3/61' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： D5V0F4U6V-7
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 5.5VWM 12VC SOT563
参数： 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.9V *2箝位电压最大值(V)*2:16V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:26A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:58W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:100V 电压 - 击穿（最小值）:111V *2箝位电压最大值(V)*2:162V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:SMAJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:160A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:38W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20V 电压 - 击穿（最小值）:22.2V *2箝位电压最大值(V)*2:32.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:uESD 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.2V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:37V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:SMAJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:36A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:46.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.7A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDA，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:25V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:3 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:100W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:75V 电压 - 击穿（最小值）:83.3V *2箝位电压最大值(V)*2:121V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:7.5V 电压 - 击穿（最小值）:8.33V *2箝位电压最大值(V)*2:12.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:400W 系列:- 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:转向装置（轨至轨） *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：4
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：5.5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：12V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：3A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SOT-563，SOT-666
封装：SOT-563
料号：T2-3787
包装： 圆盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'D5V0F4U6V-7' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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