元器件型号:52405
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制造商统称

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制造商统称

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类目

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类型

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*单向通道

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*双向通道

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电压 - 反向关态(典型值)

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*电压 - 击穿(最小值)

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不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

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*电流 - 峰值脉冲(10/1000µs)

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*功率 - 峰值脉冲

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*电源线路保护

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应用

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不同频率时的电容

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态: 在售
型号: ESDS302DBVR
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: FAMILY OF UNI-DIRECTIONAL SURGE
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:2
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2箝位电压最大值(V)2:3V(标准)
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:12A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:85W
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SOT-23-5
料号:T2-49225
包装: 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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1~2周可到达
状态: 在售
型号: ESDS312DBVR
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: FAMILY OF UNI-DIRECTIONAL SURGE
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W
5单向通道5:2
6双向通道6:2
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2箝位电压最大值(V)2:6.5V(标准)
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:25A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:170W
外壳:SC-74A,SOT-753
封装:SOT-23-5
料号:T2-49226
包装: 3000个/
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合作现货:0
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海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: ESDS304DBVR
品牌: TI/德州仪器 TI 德州仪器
描述: FAMILY OF UNI-DIRECTIONAL SURGE
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W
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料号:T2-49227
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最小起订:
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状态: 在售
型号: SMC5K10AHM3_A/H
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: TVS DIODE 10VWM 17VC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW)
5单向通道5:1
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1反向截止电压(典型值V)1:10V
2箝位电压最大值(V)2:17V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:294A
4峰值脉冲功率(W)4:5000W(5kW)
外壳:DO-214AB,SMC
封装:DO-214AB(SMCJ)
料号:T2-49229
包装: 3000个/ 圆盘
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海外现货:0
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型号: SM5S36ATHE3/I
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: TVS DIODE 36V 58.1V DO218AC
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW)
5单向通道5:1
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:36V
2箝位电压最大值(V)2:58.1V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:62A
4峰值脉冲功率(W)4:3600W(3.6kW)
外壳:DO-218AC
封装:DO-218AC
料号:T2-49230
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SM5S36ATHE3/I' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM5S36ATHE3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM5S36ATHE3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SM5S36ATHE3/I' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: 5KASMC24AHM3_A/H
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW)
5单向通道5:1
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:24V
2箝位电压最大值(V)2:38.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:5000W(5kW)
外壳:DO-214AB,SMC
封装:DO-214AB(SMCJ)
料号:T2-49231
包装: 3000个/ 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '5KASMC24AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5KASMC24AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5KASMC24AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '5KASMC24AHM3_A/H' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
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状态: 在售
型号: 5KASMC30AHM3_A/H
品牌: Vishay/威世 Vishay 威世
描述: TVS DIODE 30V 48.4V DO214AB
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包装: 3000个/ 圆盘
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型号: DM6W26AQ-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DO-
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包装:
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型号: DM5W10AQ-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANSIENT VOLT SUPPRESSOR DO-218
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外壳:DO-218AB
封装:DO-218
料号:T2-49234
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DM5W10AQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: DM5W16AQ-13
品牌: DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述: TRANSIENT VOLT SUPPRESSOR DO-218
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW)
5单向通道5:1
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1反向截止电压(典型值V)1:16V
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3峰值脉冲电流(10/1000us)3:138A
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外壳:DO-218AB
封装:DO-218
料号:T2-49235
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'DM5W16AQ-13' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DM5W16AQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'DM5W16AQ-13' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ESDZV5HS-1BF4
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: GENERAL PURPOSE ESD PROTECTION
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:齐纳
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3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:0201(0603 公制)
封装:0201
料号:T2-49236
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDZV5HS-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ESDL031-1BF4
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: ULTRA-LOW CLAMPING SINGLE LINE B
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W
5单向通道5:齐纳
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1反向截止电压(典型值V)1:3.3V(最大)
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外壳:0201(0603 公制)
封装:ST0201
料号:T2-49237
包装:
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDL031-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: ESDZV5-1BF4
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: TVS DIODE 5.5V 10V 0201
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:70W
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:5.5V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:10V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:7A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:70W
外壳:0201(0603 公制)
封装:0201
料号:T2-49238
包装:
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDZV5-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDZV5-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDZV5-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态: 在售
型号: ESD051-1F4
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: LOW CLAMPING SINGLE LINE UNIDIRE
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:70W 系列:ESD 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:9V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W
5单向通道5:1
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:5.5V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:9V(标准)
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:11A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:110W
外壳:0201(0603 公制)
封装:ST0201
料号:T2-49239
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESD051-1F4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD051-1F4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD051-1F4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD051-1F4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态: 在售
型号: ESDV5-1BF4
品牌: ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述: TVS DIODE 16.3VC 1.7A IPP ST0201
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:70W 系列:ESD 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:9V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):8.5V *2箝位电压最大值(V)*2:16.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:20W
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:5.5V
2箝位电压最大值(V)2:16.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:1.7A
4峰值脉冲功率(W)4:20W
外壳:0201(0603 公制)
封装:ST0201
料号:T2-49240
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESDV5-1BF4' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDV5-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDV5-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDV5-1BF4' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ESD7331MUT5G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TVS DIODE 3.3V 7.5V 2X3DFN
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:70W 系列:ESD 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:9V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):8.5V *2箝位电压最大值(V)*2:16.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4V *2箝位电压最大值(V)*2:7.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:3.3V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:7.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:0201(0603 公制)
封装:2-X3DFN(0.62x0.32)
料号:T2-49241
包装: 10000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESD7331MUT5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD7331MUT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD7331MUT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号: ESD5581MXT5G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TVS DIODE 12VC 6A IPP 2X3DFN
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:70W 系列:ESD 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:9V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):8.5V *2箝位电压最大值(V)*2:16.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4V *2箝位电压最大值(V)*2:7.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:5V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:12V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:6A(8/20µs)
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:0201(0603 公制)
封装:2-X3DFN(0.62x0.32)
料号:T2-49242
包装: 10000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESD5581MXT5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5581MXT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5581MXT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5581MXT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: ESD5101FCT5G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TVS DIODE 6.5VC 2DSN
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:70W 系列:ESD 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:9V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):8.5V *2箝位电压最大值(V)*2:16.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4V *2箝位电压最大值(V)*2:7.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):3.68V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:3.3V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:6.5V(标准)
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:01005(0402 公制)
封装:2-DSN(0.44x0.23)
料号:T2-49243
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESD5101FCT5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5101FCT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5101FCT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5101FCT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号: ESD5111PFCT5G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TVS DIODE 3.3V 6.5V 2WLCSP
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:70W 系列:ESD 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:9V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):8.5V *2箝位电压最大值(V)*2:16.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4V *2箝位电压最大值(V)*2:7.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):3.68V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):3.68V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:3.3V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:6.5V(标准)
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:-
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:2-XFBGA,WLCSP
封装:2-WLCSP(0.6x0.3)
料号:T2-49244
包装:
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESD5111PFCT5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5111PFCT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5111PFCT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESD5111PFCT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态: 在售
型号: ESDM3551MXT5G
品牌: ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述: TVS DIODE 5.5V 8.2V 2X3DFN
参数: 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:25A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:170W 系列:- 制造商:TI/德州仪器 制造商统称:TI/德州仪器 制造商统称:Texas Instruments 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.6V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:3V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:85W 系列:Automotive, AEC-Q101, TransZorb® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:294A *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿(最小值):40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿(最小值):26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101, PAR® 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿(最小值):33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:5000W(5kW) 系列:Automotive, AEC-Q101 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:26V 电压 - 击穿(最小值):28.9V *2箝位电压最大值(V)*2:42.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:109A *4峰值脉冲功率(W)*4:4600W(4.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:10V 电压 - 击穿(最小值):11.1V *2箝位电压最大值(V)*2:17V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:211A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:Automotive, AEC-Q100 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿(最小值):17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:138A *4峰值脉冲功率(W)*4:3600W(3.6kW) 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):7V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESDL 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5V *2箝位电压最大值(V)*2:7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:45W 系列:ESDZ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):- *2箝位电压最大值(V)*2:10V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:70W 系列:ESD 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:9V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:110W 系列:- 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V 电压 - 击穿(最小值):8.5V *2箝位电压最大值(V)*2:16.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:1.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:20W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):4V *2箝位电压最大值(V)*2:7.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:12V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6A(8/20µs) *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):3.68V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V(最大) 电压 - 击穿(最小值):3.68V *2箝位电压最大值(V)*2:6.5V(标准) *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:齐纳 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5.5V(最大) 电压 - 击穿(最小值):5.6V *2箝位电压最大值(V)*2:8.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:8A *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5:齐纳
6双向通道6:1
1反向截止电压(典型值V)1:5.5V(最大)
2箝位电压最大值(V)2:8.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3:8A
4峰值脉冲功率(W)4:-
外壳:0201(0603 公制)
封装:2-X3DFN(0.62x0.32)
料号:T2-49245
包装: 10000个/ 卷盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESDM3551MXT5G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDM3551MXT5G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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