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元器件型号：52405 件
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制造商统称

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制造商统称

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类目

清除

类型

清除

*单向通道

清除

*双向通道

清除

电压 - 反向关态（典型值）

清除

*电压 - 击穿（最小值）

清除

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

清除

*电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）

清除

*功率 - 峰值脉冲

清除

*电源线路保护

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应用

清除

不同频率时的电容

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 52405
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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型号： SMBJ30A-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 30VWM 64.3VC SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：30V
2箝位电压最大值(V)2：64.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：62A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：T2-1000
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ30A-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ30A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ30A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ30A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMF16A-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TVS DIODE 16VWM 26VC SOD123FL
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：16V
2箝位电压最大值(V)2：26V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：7.7A
4峰值脉冲功率(W)4：200W
外壳：SOD-123F
封装：SOD-123FL
料号：T2-1001
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMF16A-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMF16A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMF16A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMF16A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMBJ15A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：15V
2箝位电压最大值(V)2：24.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：24A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1002
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ15A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ15A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ15A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ15A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMBJ12A-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 12V 25.3V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：12V
2箝位电压最大值(V)2：19.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：31A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：T2-1003
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ12A-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ12A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ12A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ12A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMBJ6.5A-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 6.5VWM 14.5VC DO214AA
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：6.5V
2箝位电压最大值(V)2：14.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：276A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：T2-1004
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ6.5A-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ6.5A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ6.5A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ6.5A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMBJ5.0A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 5V 9.2V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：5V
2箝位电压最大值(V)2：9.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：65.2A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1005
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ5.0A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ5.0A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ5.0A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ5.0A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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2~5天可到达
1~2周可到达
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型号： SMBJ130A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 130VWM 209VC SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：130V
2箝位电压最大值(V)2：209V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：2.9A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1006
包装： 圆盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ130A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMBJ30A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 30V 48.4V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：30V
2箝位电压最大值(V)2：48.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：12.4A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1007
包装： 3000个/ 圆盘
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合作现货:0
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型号： ESDA6V1W5
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 3V SOT323-5
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W
5单向通道5：4
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1反向截止电压(典型值V)1：3V
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4峰值脉冲功率(W)4：150W
外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
封装：SOT-323-5
料号：T2-1008
包装：
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA6V1W5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA6V1W5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA6V1W5' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SMBJ36A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 36V 58.1V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：36V
2箝位电压最大值(V)2：58.1V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：10.3A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1009
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ36A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ36A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ36A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ36A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
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当天可发货
2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMBJ54A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 54V 87.1V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
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3峰值脉冲电流(10/1000us)3：6.9A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1010
包装：
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合作现货:0
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型号： SMBJ13A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 13V 21.5V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
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1反向截止电压(典型值V)1：13V
2箝位电压最大值(V)2：21.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：27.9A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1011
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ13A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ13A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ13A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ13A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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状态： 在售
型号： SMBJ33A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 33V 53.3V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：33V
2箝位电压最大值(V)2：53.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：11.3A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1012
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ33A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ33A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ33A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ33A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMBJ24A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 24V 38.9V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：24V
2箝位电压最大值(V)2：38.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：15.4A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1013
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ24A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ24A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ24A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ24A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMBJ70A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 70V 113V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：70V
2箝位电压最大值(V)2：113V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：5.3A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1014
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ70A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ70A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ70A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ70A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： GSOT04C-E3-08
品牌： Vishay/威世 Vishay 威世
描述： TVS DIODE 4VWM 14.3VC SOT23
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:429W
5单向通道5：2
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：4V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：14.3V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：30A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：429W
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：SOT-23-3
料号：T2-1015
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'GSOT04C-E3-08' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Vishay/威世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSOT04C-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSOT04C-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'GSOT04C-E3-08' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMBJ24A-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 24V 50V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:429W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:16A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：24V
2箝位电压最大值(V)2：38.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：16A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：T2-1016
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ24A-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ24A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ24A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ24A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMBJ33A-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 33VWM 69.7VC SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:429W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:16A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:69.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:57A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：33V
2箝位电压最大值(V)2：69.7V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：57A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：T2-1017
包装： 圆盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ33A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ33A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ33A-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： SMBJ18A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 18V 29.2V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:429W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:16A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:69.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:57A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V *2箝位电压最大值(V)*2:29.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：18V
2箝位电压最大值(V)2：29.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：20.5A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1018
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ18A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ18A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ18A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ18A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMBJ60A-13-F
品牌： DIODES/美台 Diodes Incorporated 美台半导体
描述： TVS DIODE 60V 96.8V SMB
参数： 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:64.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:62A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:16V 电压 - 击穿（最小值）:17.8V *2箝位电压最大值(V)*2:26V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:7.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.7V *2箝位电压最大值(V)*2:24.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:24A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:31A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:6.5V 电压 - 击穿（最小值）:7.2V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:276A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:9.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:65.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30V 电压 - 击穿（最小值）:33.3V *2箝位电压最大值(V)*2:48.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:3V 电压 - 击穿（最小值）:6.1V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:36V 电压 - 击穿（最小值）:40V *2箝位电压最大值(V)*2:58.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:54V 电压 - 击穿（最小值）:60V *2箝位电压最大值(V)*2:87.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:13V 电压 - 击穿（最小值）:14.4V *2箝位电压最大值(V)*2:21.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:53.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:11.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:70V 电压 - 击穿（最小值）:77.8V *2箝位电压最大值(V)*2:113V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5.3A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:- 制造商:Vishay/威世 制造商统称:Vishay/威世 制造商统称:Vishay 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:4V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.3V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:30A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:429W 系列:SMBJ, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V 电压 - 击穿（最小值）:26.7V *2箝位电压最大值(V)*2:38.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:16A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:33V 电压 - 击穿（最小值）:36.7V *2箝位电压最大值(V)*2:69.7V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:57A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:18V 电压 - 击穿（最小值）:20V *2箝位电压最大值(V)*2:29.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:20.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:DIODES/美台 制造商统称:DIODES/美台 制造商统称:Diodes Incorporated 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:60V 电压 - 击穿（最小值）:66.7V *2箝位电压最大值(V)*2:96.8V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：60V
2箝位电压最大值(V)2：96.8V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：6.2A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1019
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ60A-13-F' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'DIODES/美台' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ60A-13-F' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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