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元器件型号：52405 件
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系列

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制造商统称

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制造商统称

清除

类目

清除

类型

清除

*单向通道

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*双向通道

清除

电压 - 反向关态（典型值）

清除

*电压 - 击穿（最小值）

清除

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

清除

*电流 - 峰值脉冲（10/1000µs）

清除

*功率 - 峰值脉冲

清除

*电源线路保护

清除

应用

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不同频率时的电容

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工作温度

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安装类型

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清除筛选 应用筛选 筛选结果： 52405
封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
状态： 在售
型号： 1SMB9.0AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：9V
2箝位电压最大值(V)2：15.4V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：39A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1938
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SMB9.0AT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB9.0AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB9.0AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB9.0AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： ATV02W120-HF
品牌： Comchip/典琦 Comchip Technology 典琦科技
描述： TVS DIODE 12VWM 19.9VC SOD-123
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：12V
2箝位电压最大值(V)2：19.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：10.05A
4峰值脉冲功率(W)4：200W
外壳：SOD-123F
封装：SOD-123
料号：T2-1939
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ATV02W120-HF' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Comchip/典琦' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATV02W120-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATV02W120-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ATV02W120-HF' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： 1SMB58AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：58V
2箝位电压最大值(V)2：93.6V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：6.4A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1940
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = '1SMB58AT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB58AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB58AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = '1SMB58AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 热销
型号： SMBJ130CA
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 130V 209V SMB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：130V
2箝位电压最大值(V)2：209V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：2.9A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：T2-1941
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ130CA' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ130CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ130CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ130CA' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： SMBJ28CA-TR
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 28VWM 59VC SMB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：28V
2箝位电压最大值(V)2：59V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：68A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB（DO-214AA）
料号：T2-1942
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJ28CA-TR' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ28CA-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ28CA-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJ28CA-TR' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PESD5V0S2UQ,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TVS DIODE 5V 20V SOT663
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W
5单向通道5：2
6双向通道6：2
1反向截止电压(典型值V)1：5V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：20V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：15A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：150W
外壳：SOT-663
封装：SOT-663
料号：T2-1943
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PESD5V0S2UQ,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD5V0S2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD5V0S2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD5V0S2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： PESD3V3S2UQ,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TVS DIODE 3.3V 20V SOT663
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W
5单向通道5：2
6双向通道6：2
1反向截止电压(典型值V)1：3.3V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：20V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：15A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：150W
外壳：SOT-663
封装：SOT-663
料号：T2-1944
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PESD3V3S2UQ,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3S2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3S2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3S2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PESD3V3U1UB,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TVS DIODE 3.3V SOD523
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:-
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：3.3V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：-
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：-
4峰值脉冲功率(W)4：-
外壳：SC-79，SOD-523
封装：SOD-523
料号：T2-1945
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PESD3V3U1UB,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3U1UB,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3U1UB,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
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SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3U1UB,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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型号： PESD24VS2UQ,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TVS DIODE 24V 70V SOT663
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W
5单向通道5：2
6双向通道6：2
1反向截止电压(典型值V)1：24V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：70V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：3A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：150W
外壳：SOT-663
封装：SOT-663
料号：T2-1946
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PESD24VS2UQ,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD24VS2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD24VS2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD24VS2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PESD12VS2UQ,115
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TVS DIODE 12V 35V SOT663
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W
5单向通道5：2
6双向通道6：2
1反向截止电压(典型值V)1：12V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：35V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：5A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：150W
外壳：SOT-663
封装：SOT-663
料号：T2-1947
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PESD12VS2UQ,115' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD12VS2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD12VS2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD12VS2UQ,115' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： PESD12VS2UT,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TVS DIODE 12V 35V SOT23
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W
5单向通道5：2
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1反向截止电压(典型值V)1：12V（最大）
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3峰值脉冲电流(10/1000us)3：5A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：180W
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：TO-236AB
料号：T2-1948
包装：
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD12VS2UT,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： PESD3V3U1UT,215
品牌： Nexperia/安世 Nexperia 安世半导体
描述： TVS DIODE 3.3V 20V SOT23
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：3.3V（最大）
2箝位电压最大值(V)2：20V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：5A（8/20µs）
4峰值脉冲功率(W)4：80W
外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装：TO-236AB
料号：T2-1949
包装： 3000个/
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'PESD3V3U1UT,215' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'Nexperia/安世' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3U1UT,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3U1UT,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'PESD3V3U1UT,215' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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2~5天可到达
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状态： 在售
型号： ESDA19SC6
品牌： ST/意法半导体 STMicroelectronics 意法半导体
描述： TVS DIODE 15V SOT23-6
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:19V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W
5单向通道5：4
6双向通道6：4
1反向截止电压(典型值V)1：15V
2箝位电压最大值(V)2：-
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4峰值脉冲功率(W)4：300W
外壳：SOT-23-6
封装：SOT-23-6
料号：T2-1950
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'ESDA19SC6' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ST/意法半导体' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ESDA19SC6' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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型号： P6SMB24AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC SMB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:19V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:33.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：20.5V
2箝位电压最大值(V)2：33.2V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：18A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1951
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P6SMB24AT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P6SMB24AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P6SMB24AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P6SMB24AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
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状态： 在售
型号： P6SMB10AT3G
品牌： ONSEMI/安森美 ON Semiconductor(Catalyst/AMI) 安森美
描述： TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC SMB
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:19V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:33.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:41A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：8.55V
2箝位电压最大值(V)2：14.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：41A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：SMB
料号：T2-1952
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'P6SMB10AT3G' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'ONSEMI/安森美' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P6SMB10AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P6SMB10AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'P6SMB10AT3G' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMBJP6KE36A-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC SMBJ
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:19V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:33.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:41A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：-
1反向截止电压(典型值V)1：30.8V
2箝位电压最大值(V)2：49.9V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：12.2A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：DO-214AA（SMBJ）
料号：T2-1953
包装： 圆盘
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJP6KE36A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJP6KE36A-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
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型号： SMBJP6KE51CA-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TVS DIODE 43.6VWM 70.1VC SMBJ
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:19V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:33.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:41A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43.6V 电压 - 击穿（最小值）:48.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:8.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：43.6V
2箝位电压最大值(V)2：70.1V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：8.7A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：DO-214AA（SMBJ）
料号：T2-1954
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJP6KE51CA-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJP6KE51CA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1 SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJP6KE51CA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( (`Gsxx_sx` = '国内商城平台') OR (`Gsxx_sx` = '其他经销商') ) LIMIT 1
合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJP6KE51CA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMBJP6KE100A-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TVS DIODE 85.5V 137V DO214AA
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:19V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:33.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:41A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43.6V 电压 - 击穿（最小值）:48.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:8.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:85.5V 电压 - 击穿（最小值）:95V *2箝位电压最大值(V)*2:137V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：1
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：85.5V
2箝位电压最大值(V)2：137V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：4.5A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：DO-214AA（SMBJ）
料号：T2-1955
包装：
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJP6KE100A-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
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状态： 在售
型号： SMBJP6KE150CA-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TVS DIODE 128VWM 207VC SMBJ
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:19V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:33.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:41A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43.6V 电压 - 击穿（最小值）:48.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:8.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:85.5V 电压 - 击穿（最小值）:95V *2箝位电压最大值(V)*2:137V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:128V 电压 - 击穿（最小值）:143V *2箝位电压最大值(V)*2:207V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：128V
2箝位电压最大值(V)2：207V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：2.9A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：DO-214AA（SMBJ）
料号：T2-1956
包装： 圆盘
SELECT count(zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM `golon_gys_file_new` WHERE ( `zzsbh` = 'SMBJP6KE150CA-TP' ) AND ( `gys_id` = '348' ) AND ( `zzs` = 'MCC/美微科' ) LIMIT 1 自营现货:0
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJP6KE150CA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
最小起订:
个
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2~5天可到达
1~2周可到达
状态： 在售
型号： SMBJP6KE16CA-TP
品牌： MCC/美微科 Micro Commercial Co 美微科
描述： TVS DIODE 13.6VWM 22.5VC SMBJ
参数： 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:9V 电压 - 击穿（最小值）:10V *2箝位电压最大值(V)*2:15.4V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:39A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:Comchip/典琦 制造商统称:未设定 制造商统称:Comchip Technology 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V 电压 - 击穿（最小值）:13.3V *2箝位电压最大值(V)*2:19.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:10.05A *4峰值脉冲功率(W)*4:200W 系列:- 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:58V 电压 - 击穿（最小值）:64.4V *2箝位电压最大值(V)*2:93.6V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:6.4A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:Fairchild/ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:130V 电压 - 击穿（最小值）:144V *2箝位电压最大值(V)*2:209V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ，TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:28V 电压 - 击穿（最小值）:31.1V *2箝位电压最大值(V)*2:59V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:68A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:6.4V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.2V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:15A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:4.5V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:- 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:24V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:26.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:3A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:ESD protection 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:2 *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:150W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:2 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:12V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:14.7V *2箝位电压最大值(V)*2:35V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:180W 系列:汽车ESD保护和TVS 制造商:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia/安世 制造商统称:Nexperia USA Inc. 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:3.3V（最大） 电压 - 击穿（最小值）:5.8V *2箝位电压最大值(V)*2:20V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:5A（8/20µs） *4峰值脉冲功率(W)*4:80W 系列:ESDA, TRANSIL™ 制造商:ST/意法半导体 制造商统称:ST/意法半导体 制造商统称:STMicroelectronics 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:4 *6双向通道*6:4 *1反向截止电压(典型值V)*1:15V 电压 - 击穿（最小值）:19V *2箝位电压最大值(V)*2:- *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:- *4峰值脉冲功率(W)*4:300W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:20.5V 电压 - 击穿（最小值）:22.8V *2箝位电压最大值(V)*2:33.2V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:18A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:汽车级，AEC-Q101 制造商:ONSEMI/安森美 制造商统称:未设定 制造商统称:ON Semiconductor 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:8.55V 电压 - 击穿（最小值）:9.5V *2箝位电压最大值(V)*2:14.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:41A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:- *1反向截止电压(典型值V)*1:30.8V 电压 - 击穿（最小值）:34.2V *2箝位电压最大值(V)*2:49.9V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:12.2A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:43.6V 电压 - 击穿（最小值）:48.5V *2箝位电压最大值(V)*2:70.1V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:8.7A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:1 *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:85.5V 电压 - 击穿（最小值）:95V *2箝位电压最大值(V)*2:137V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:4.5A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:128V 电压 - 击穿（最小值）:143V *2箝位电压最大值(V)*2:207V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:2.9A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W 系列:SMBJ 制造商:MCC/美微科 制造商统称:未设定 制造商统称:Micro Commercial Co 类目:未设 替代选料:未设定 类型:齐纳 *5单向通道*5:- *6双向通道*6:1 *1反向截止电压(典型值V)*1:13.6V 电压 - 击穿（最小值）:15.2V *2箝位电压最大值(V)*2:22.5V *3峰值脉冲电流(10/1000us)*3:27.1A *4峰值脉冲功率(W)*4:600W
5单向通道5：-
6双向通道6：1
1反向截止电压(典型值V)1：13.6V
2箝位电压最大值(V)2：22.5V
3峰值脉冲电流(10/1000us)3：27.1A
4峰值脉冲功率(W)4：600W
外壳：DO-214AA，SMB
封装：DO-214AA（SMBJ）
料号：T2-1957
包装： 圆盘
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合作现货:0
SELECT count(a.zzsbh) c,sum(stock) as stock FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'SMBJP6KE16CA-TP' ) AND ( `gys_id` <> '348' ) AND ( b.Gsxx_sx = '国际商城平台' ) LIMIT 1
海外现货:0
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