丝印BBU8P TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MICRO3™/SOT-23 Datasheet规格书 单通道MOS管
图片仅为示意图。应从产品数据表中获得确切规格
记录
2018-11-28 15:27:23
| 丝印BBU8P |
|
| markingcode：BBU8P |
类别：单通道MOS管 |
| 外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
外壳:MICRO3™/SOT-23 |
| 引脚数:3 |
Datasheet规格书 |
| G(Gate)引脚: |
包装:带卷（TR） |
| D(Drain)引脚: |
等级:- |
| S(Source): |
权限:VIP开放
|
| 反查型号:
VIP开放
|
|
SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as bz,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_d' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' and COLUMN_COMMENT REGEXP '[0-9]' ORDER by zss_px limit 6array(6) {
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string(5) "fetlx"
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string(13) "*1Fet类型*1"
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string(25) "*2漏源极电压(vdss)*2"
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string(7) "dl_lxlj"
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string(27) "*3电流-连续漏极(id)*3"
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string(1) "3"
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string(19) "*5功率-最大值*"
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string(4) "gzwd"
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string(15) "*6工作温度*"
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string(1) "6"
}
}
| 主要参数 |
相关问题与支持 |
| Fet类型:
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
1.BBU8P丝印反查常见问题 |
| 漏源极电压(vdss):
30V |
2. |
| 电流-连续漏极(id):
1.2A（Ta） |
3. |
| Vgs(最大值):
|
4. |
| 功率-最大值:
540mW |
5. |
| 工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ） |
更多参考.... |
关键词:丝印BBU8P,标识BBU8P,芯片代码BBU8P,BBU8P反查型号,丝印代码BBU8P,BBU8P型号,BBU8P原厂型号
