丝印MH1E2 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 6-TSOP Datasheet规格书 多通道MOS管
图片仅为示意图。应从产品数据表中获得确切规格
记录
2018-07-04 09:53:16
| 丝印MH1E2 |
|
| markingcode：MH1E2 |
类别：多通道MOS管 |
| 外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
外壳:6-TSOP |
| 引脚数:6 |
Datasheet规格书 |
| G(Gate)引脚:- |
包装: |
| D(Drain)引脚:- |
等级:- |
| S(Source): |
权限:VIP开放
|
| 反查型号:
VIP开放
|
|
SELECT COLUMN_NAME as bt,COLUMN_COMMENT as bz,SUBSTRING(COLUMN_COMMENT,2,1) as zss_px FROM INFORMATION_SCHEMA.Columns WHERE table_name='golon_jtg_fet_mosfet_zl' AND table_schema='golon' and COLUMN_COMMENT like '*%' and COLUMN_COMMENT REGEXP '[0-9]' ORDER by zss_px limit 6array(6) {
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string(13) "*5Fet功能*5"
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string(4) "gzwd"
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string(16) "*6工作温度*6"
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}
| 主要参数 |
相关问题与支持 |
| Fet类型:
2 N-通道（双） |
1.MH1E2丝印反查常见问题 |
| 漏源极电压(vdss):
30V |
2. |
| 电流-连续漏极(id):
3.7A |
3. |
| 最大功率值:
1.4W |
4. |
| Fet功能:
逻辑电平门 |
5. |
| 工作温度:
-55°C ~ 150°C（TJ） |
更多参考.... |
关键词:丝印MH1E2,标识MH1E2,芯片代码MH1E2,MH1E2反查型号,丝印代码MH1E2,MH1E2型号,MH1E2原厂型号
